公开(公告)号：CN105655312A

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201610078238.5

申请日：2010-07-29

申请人： 格罗方德半导体公司

发明人： A·沃尔特 ,  M·列

IPC分类号： H01L23/485 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/481 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/3677 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53238 ,  H01L23/552 ,  H01L23/562 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L24/12 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/03 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/1148 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01327 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/05042 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1433 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/351 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05552 ,  H01L23/485 ,  H01L24/28

摘要： 本发明是包含形成于低K金属化系统上的应力缓冲材料的半导体装置。形成在复杂的半导体装置的金属化系统上的凸块结构或柱状结构可以包含应力缓冲层(260)，该应力缓冲层可以有效地分散典型可能在芯片封装件交互作用期间因为上述组件的热失配所产生的机械应力。应力缓冲层(260)包括覆盖整体表面中显著部份的铜基缓冲区域(265)，其中亦可以使用约3至10μm的厚度。此外，该缓冲区域(265)可以有效地取代铝而做为终端金属主动区域。

公开(公告)号：CN104781924A

公开(公告)日：2015-07-15

申请号：CN201380050485.9

申请日：2013-09-24

申请人： 贝圣德公司

发明人： 乔纳森·C·帕克斯 ,  刘尹浩 ,  柯·成·李 ,  萨拉赫·M·维菲力

IPC分类号： H01L21/82 ,  H01L27/04 ,  H01L21/822

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/60 ,  H01L27/0296 ,  H01L27/11898 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/06133

摘要： 用于集成电路的灵活、省空间的I/O架构简化电路设计且缩短设计时间。在一个方面中，部分地通过将用于电力供应垫的ESD保护电路定位于所述垫本身下方来消除用于这些垫的单元，从而仅留下信号I/O缓冲器。可根据定制电路将耦合到所述信号I/O缓冲器的垫界定为信号I/O垫或电力供应垫。定制电路提供灵活排架构，其中一排内的信号I/O缓冲器分担可与另一排的信号I/O缓冲器的电力供应要求不同的电力供应要求。灵活地界定排的数目及属于每一排的信号I/O缓冲器的数目。定制电路提供灵活垫选项，借此IC垫可经配置以用于不同封装技术，举例来说，用于线接合、用于倒装芯片接合或用于其它类型的接合。

公开(公告)号：CN104347562A

公开(公告)日：2015-02-11

申请号：CN201410377224.4

申请日：2014-08-01

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： A·布里纳 ,  H·布里施 ,  M·齐格尔德鲁姆

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/09 ,  H01L24/40 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/70 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/03831 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04073 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/09133 ,  H01L2224/09153 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/40247 ,  H01L2224/45014 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/45155 ,  H01L2224/45157 ,  H01L2224/45166 ,  H01L2224/45169 ,  H01L2224/45176 ,  H01L2224/45181 ,  H01L2224/45184 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48101 ,  H01L2224/48153 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48453 ,  H01L2224/48463 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/4847 ,  H01L2224/49111 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73271 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/053 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12031 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/1205 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1304 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/37099 ,  H01L2224/84

摘要： 本发明公开了一种分段键合焊盘及其制造方法。根据本发明的实施例，一种半导体器件包括设置在衬底的第一侧处的第一键合焊盘。第一键合焊盘包括第一多个焊盘区段。第一多个焊盘区段中的至少一个焊盘区段与第一多个焊盘区段中的其余焊盘区段电隔离。

公开(公告)号：CN103503122A

公开(公告)日：2014-01-08

申请号：CN201280021467.3

申请日：2012-05-16

申请人： 索尼公司

发明人： 藤井宣年 ,  香川恵永

IPC分类号： H01L21/3205 ,  H01L21/02 ,  H01L21/768 ,  H01L23/522 ,  H01L25/00 ,  H01L27/00 ,  H01L27/14

CPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/522 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/50 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/1464 ,  H01L2224/05547 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/0616 ,  H01L2224/06517 ,  H01L2224/08123 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06565 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2924/00 ,  H01L21/7684

摘要： 第一半导体装置包括：第一配线层，它包括第一层间绝缘膜、第一电极焊盘和第一虚设电极，第一电极焊盘埋在第一层间绝缘膜内并且具有与第一层间绝缘膜的一个表面在同一面上的一个表面，和第一虚设电极埋在第一层间绝缘膜内，具有与第一层间绝缘膜的上述一个表面在同一面上的一个表面，并且在第一电极焊盘的周围配置；和第二配线层，它包括第二层间绝缘膜、第二电极焊盘和第二虚设电极，第二电极焊盘埋在第二层间绝缘膜内，具有与第二层间绝缘膜的一个表面在同一表面上的一个表面，并且与第一电极焊盘接合，和第二虚设电极具有与第二层间绝缘膜的更靠近第一层间绝缘膜的表面在同一面上的一个表面，在第二电极焊盘的周围配置，并且与第一虚设电极接合。第二半导体装置包括：包括第一电极的第一半导体部，第一电极在更靠近接合界面的表面上形成并在第一方向上延伸；和包括第二电极并被配置成在所述接合界面处与第一半导体部贴合的第二半导体部，第二电极与第一电极接合并在与第一方向交叉的第二方向上延伸。

公开(公告)号：CN101685818B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200910205258.4

申请日：2006-11-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 林崇弘 ,  丰岛俊辅 ,  坂本和夫 ,  森野直纯 ,  田中一雄

IPC分类号： H01L27/04 ,  H01L23/528 ,  H01L23/485

CPC分类号： H01L23/49844 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/092 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06143 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06163 ,  H01L2224/49105 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 本发明的目的在于提供一种能够减小半导体器件的平面尺寸的技术。输入/输出电路形成在半导体衬底上方，接地布线和电源布线通过输入/输出电路上方，且用于键合焊盘的导电层形成在其上方。输入/输出电路由用作保护元件的nMISFET形成区域和pMISFET形成区域中的MISFET元件、电阻元件形成区域中的电阻元件以及二极管元件形成区域中的二极管元件形成。连接到保护元件并置于接地布线和电源布线下方的布线在nMISFET形成区域和pMISFET形成区域之间以及在接地布线和电源布线之间的引出区域中引出，以连接到导电层。

公开(公告)号：CN101937916A

公开(公告)日：2011-01-05

申请号：CN201010255093.4

申请日：2006-11-29

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 林崇弘 ,  丰岛俊辅 ,  坂本和夫 ,  森野直纯 ,  田中一雄

IPC分类号： H01L27/02 ,  H01L23/00 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L23/49844 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/50 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/53228 ,  H01L23/585 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/49 ,  H01L27/0255 ,  H01L27/092 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05093 ,  H01L2224/05095 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/06102 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06143 ,  H01L2224/06153 ,  H01L2224/06163 ,  H01L2224/49105 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 一种半导体设备，包括：半导体芯片；输出电路(11)，在半导体芯片中成行布置，输出电路中的每个包括彼此耦合的第一MISFET(27)和第二MISFET(21)；键合焊盘(4)；布线(M7)，其中的每个布线布置在键合焊盘中的每个之下；导电塞(PG)，其中的每个导电塞布置在键合焊盘中的每个以及布线中的每个之间；接地布线(7)，布置在键合焊盘之下，并且耦合至输出电路中的每个的第一MISFET；以及电源布线(8)，布置在键合焊盘之下，并且耦合至输出电路中的每个的第二MISFET，其中在平面视图中，布线中的每个以及导电塞中的每个位于输出电路中的每个的第一MISFET和第二MISFET之间，以及其中在平面视图中，布线中的每个以及导电塞中的每个位于接地布线和电源布线之间。

公开(公告)号：CN107808602A

公开(公告)日：2018-03-16

申请号：CN201710806870.1

申请日：2017-09-08

申请人： 三星显示有限公司

发明人： 金炳容 ,  李锺赫 ,  黃晸護

IPC分类号： G09F9/33 ,  G09G3/3208

CPC分类号： H01L27/1244 ,  G02F1/13452 ,  G02F1/13458 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L27/3276 ,  H01L2224/05018 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05083 ,  H01L2224/05084 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06135 ,  G09F9/33 ,  G09G3/3208

摘要： 公开了显示装置。显示装置包括衬底和第一焊盘单元，衬底包括显示图像的显示区域和设置在显示区域周围的焊盘区域，以及第一焊盘单元定位在焊盘区域上并且包括第一端子区，第一端子区具有在第一方向上布置的多个第一焊盘端子，其中，多个第一焊盘端子中的每个包括：多个第一连接焊盘端子，布置在相对于第一方向以第一角度设置的第一列中；多个第二连接焊盘端子，与多个第一连接焊盘端子间隔开，并且布置在相对于第一方向以第二角度设置的第二列中；以及第一端子连接线，配置为连接多个第一连接焊盘端子中的一个和多个第二连接焊盘端子中的一个，并且具有至少一个弯曲形状。第一端子连接线设置在与第一连接焊盘端子和第二连接焊盘端子的层不同的层中。

公开(公告)号：CN104037139B

公开(公告)日：2017-03-01

申请号：CN201310239271.8

申请日：2013-06-17

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈昆仑 ,  杜友伦 ,  王俊智

IPC分类号： H01L23/482 ,  H01L23/488 ,  H01L25/00 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L24/09 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/02375 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06134 ,  H01L2224/06135 ,  H01L2224/08121 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/0901 ,  H01L2224/0903 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16105 ,  H01L2224/80203 ,  H01L2224/80357 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/14 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： 本发明公开了一种接合结构及其形成方法，其中一种封装件，其包括第一封装元件和第二封装元件。第一细长接合焊盘位于第一封装元件表面，第一细长接合焊盘具有沿第一纵向的第一长度和小于第一长度的第一宽度。第二细长接合焊盘位于第二封装元件表面。第二细长接合焊盘与第一细长接合焊盘接合。第二细长接合焊盘具有沿第二纵向的第二长度和小于第二长度的第二宽度。第二纵向与第一纵向不平行。

公开(公告)号：CN103378049B

公开(公告)日：2016-04-06

申请号：CN201310092304.0

申请日：2013-03-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈宪伟 ,  陈英儒 ,  于宗源 ,  陈玉芬 ,  王宗鼎

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L24/06 ,  H01L24/05 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05548 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/05569 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06131 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06179 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/13005 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13166 ,  H01L2224/13181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/207 ,  H01L2924/206

摘要： 一种半导体器件包括具有第一和第二导电焊盘的半导体管芯，以及具有第三和第四接合焊盘的衬底。在内部区域的第一导电焊盘相对于第三接合焊盘的宽度比不同于在外部区域的第二导电焊盘相对于第四接合焊盘的宽度比。本发明提供了用于IC封装的应力减小结构。

公开(公告)号：CN104979317A

公开(公告)日：2015-10-14

申请号：CN201510176791.8

申请日：2015-04-14

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 富田和朗 ,  竹若博基

IPC分类号： H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L23/562 ,  H01L21/4825 ,  H01L21/565 ,  H01L21/78 ,  H01L22/12 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3192 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/544 ,  H01L24/02 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/09 ,  H01L24/45 ,  H01L24/46 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05552 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05567 ,  H01L2224/06133 ,  H01L2224/06155 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/4905 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，能够提高半导体器件的可靠性。实施方式中的特征点在于：在焊盘(PD)与引出布线部(DWU)的连接部位设置有倾斜部(SLP)。由此，能够抑制在通过表面保护膜(PAS)将焊盘(PD)的一部分覆盖的覆盖区域产生裂纹。