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公开(公告)号：CN104916579A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410443141.0
申请日：2014-09-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11821 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13693 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2224/1182 , H01L2924/00012 , H01L2924/04953 , H01L2924/01047
摘要： 本发明提供了一种半导体器件结构和制造方法。该方法包括在半导体衬底上方形成导电柱。该方法还包括在导电柱上方形成焊料层。该方法还包括在焊料层上方形成水溶性助焊剂。此外，该方法包括使焊料层回流以在导电柱上方形成焊料凸块并在焊料层回流期间在导电柱的侧壁上方形成侧壁保护层。本发明还涉及半导体器件结构和制造方法。
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公开(公告)号：CN104916617B
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：CN201410566501.6
申请日：2014-10-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/14 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05013 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13014 , H01L2224/13023 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/16058 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供了半导体器件结构及制造方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的介电层。该半导体器件结构还包括位于介电层上方的导电迹线。该半导体器件结构还包括位于导电迹线上方的导电部件，并且导电部件的宽度基本上等于或大于导电迹线的最大宽度。另外，该半导体器件结构包括位于导电部件上方的导电凸块。
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公开(公告)号：CN104916617A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410566501.6
申请日：2014-10-22
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L23/498 , H01L21/48
CPC分类号： H01L24/14 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05013 , H01L2224/05023 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05558 , H01L2224/05564 , H01L2224/05568 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1134 , H01L2224/11462 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13014 , H01L2224/13023 , H01L2224/13147 , H01L2224/1403 , H01L2224/1411 , H01L2224/16058 , H01L2224/16238 , H01L2224/73204 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074 , H01L2924/00014
摘要： 本发明提供了半导体器件结构及制造方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的介电层。该半导体器件结构还包括位于介电层上方的导电迹线。该半导体器件结构还包括位于导电迹线上方的导电部件，并且导电部件的宽度基本上等于或大于导电迹线的最大宽度。另外，该半导体器件结构包括位于导电部件上方的导电凸块。
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公开(公告)号：CN104916579B
公开(公告)日：2018-04-20
申请号：CN201410443141.0
申请日：2014-09-02
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L2224/0345 , H01L2224/03912 , H01L2224/0401 , H01L2224/05008 , H01L2224/05022 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05573 , H01L2224/0558 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/1145 , H01L2224/11462 , H01L2224/1147 , H01L2224/11821 , H01L2224/11827 , H01L2224/11848 , H01L2224/11849 , H01L2224/119 , H01L2224/13006 , H01L2224/13007 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13111 , H01L2224/13147 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13693 , H01L2924/13091 , H01L2924/00 , H01L2924/01074 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01079 , H01L2224/1182 , H01L2924/00012 , H01L2924/04953 , H01L2924/01047
摘要： 本发明提供了一种半导体器件结构和制造方法。该方法包括在半导体衬底上方形成导电柱。该方法还包括在导电柱上方形成焊料层。该方法还包括在焊料层上方形成水溶性助焊剂。此外，该方法包括使焊料层回流以在导电柱上方形成焊料凸块并在焊料层回流期间在导电柱的侧壁上方形成侧壁保护层。本发明还涉及半导体器件结构和制造方法。
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