半导体发光元件
    2.
    发明授权

    公开(公告)号:CN1298058C

    公开(公告)日:2007-01-31

    申请号:CN200410003659.9

    申请日:2004-02-05

    IPC分类号: H01L33/00

    CPC分类号: H01L33/30 H01L33/305

    摘要: 本发明公开了一种单片结构的半导体发光元件,包括:第一导电类型的半导体衬底;形成在第一导电类型的半导体衬底上的活性层;形成在活性层上的第二导电类型的覆层;以及,形成在第二导电类型的覆层上的电流扩散层,其中活性层为第一导电类型。

    半导体发光元件
    5.
    发明公开

    公开(公告)号:CN1521867A

    公开(公告)日:2004-08-18

    申请号:CN200410003659.9

    申请日:2004-02-05

    IPC分类号: H01L33/00

    CPC分类号: H01L33/30 H01L33/305

    摘要: 本发明公开了一种单片结构的半导体发光元件,包括:第一导电类型的半导体衬底;形成在第一导电类型的半导体衬底上的活性层;形成在活性层上的第二导电类型的覆层;以及,形成在第二导电类型的覆层上的电流扩散层,其中活性层为第一导电类型。

    发光装置及其制造方法和图像显示装置

    公开(公告)号:CN101174666A

    公开(公告)日:2008-05-07

    申请号:CN200710184868.1

    申请日:2007-10-30

    IPC分类号: H01L33/00

    摘要: 本发明提供一种可减小反射板间隔从而实现薄型化的发光装置、该发光装置的制造方法以及使用了该发光装置的图像显示装置。在本发光装置中,在第2树脂层(4)上设置有LED芯片(7)和反射板(2),该反射板(2)被设置在上述LED芯片(7)的两侧,上述LED芯片(7)的发光被上述反射板(2)的反射面(9)反射。在本发光装置中,反射板(2)的反射面(9)被形成得垂直于设置LED芯片(7)的第2树脂层(4)。