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公开(公告)号：CN110086432B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN201910116067.4
申请日：2014-12-30
申请人： 天工方案公司
摘要： 关于动态误差向量幅度(DEVM)校正的系统、电路和方法。在一些实施例中，功率放大器(PA)系统可以包括具有多个放大级的PA电路、以及与所述PA电路通信并被配置为向所述放大级提供偏置信号的偏置系统。所述PA系统还可以包括第一校正电路，所述第一校正电路被配置为产生导致用于所选择的放大级的调整的偏置信号的校正电流，其中所述调整的偏置信号被配置为在动态操作模式期间补偿误差向量幅度(EVM)。所述PA系统还可以包括第二校正电路，所述第二校正电路被配置为基于与PA电路相关联的操作状态改变所述校正电流。
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公开(公告)号：CN104753472B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201410841739.5
申请日：2014-12-30
申请人： 天工方案公司
摘要： 关于用于动态误差向量幅度校正的嵌入传感器的装置和方法。在一些实施例中，功率放大器(PA)可以包括PA裸芯和实施在PA裸芯上的放大级。所述放大级可以包括放大晶体管的阵列，所述阵列被配置为接收和放大射频(RF)信号。所述PA还可以包括实施在PA裸芯上的传感器。所述传感器可以被相对于所述放大晶体管的阵列放置以允许感测代表至少一些所述放大晶体管的操作状态。所述传感器可以基本上与所述RF信号隔离。
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公开(公告)号：CN110086432A
公开(公告)日：2019-08-02
申请号：CN201910116067.4
申请日：2014-12-30
申请人： 天工方案公司
摘要： 关于动态误差向量幅度(DEVM)校正的系统、电路和方法。在一些实施例中，功率放大器(PA)系统可以包括具有多个放大级的PA电路、以及与所述PA电路通信并被配置为向所述放大级提供偏置信号的偏置系统。所述PA系统还可以包括第一校正电路，所述第一校正电路被配置为产生导致用于所选择的放大级的调整的偏置信号的校正电流，其中所述调整的偏置信号被配置为在动态操作模式期间补偿误差向量幅度(EVM)。所述PA系统还可以包括第二校正电路，所述第二校正电路被配置为基于与PA电路相关联的操作状态改变所述校正电流。
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公开(公告)号：CN104753471B
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201410840560.8
申请日：2014-12-30
申请人： 天工方案公司
摘要： 关于动态误差向量幅度(DEVM)校正的系统、电路和方法。在一些实施例中，功率放大器(PA)系统可以包括具有多个放大级的PA电路、以及与所述PA电路通信并被配置为向所述放大级提供偏置信号的偏置系统。所述PA系统还可以包括第一校正电路，所述第一校正电路被配置为产生导致用于所选择的放大级的调整的偏置信号的校正电流，其中所述调整的偏置信号被配置为在动态操作模式期间补偿误差向量幅度(EVM)。所述PA系统还可以包括第二校正电路，所述第二校正电路被配置为基于与PA电路相关联的操作状态改变所述校正电流。
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公开(公告)号：CN104753472A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410841739.5
申请日：2014-12-30
申请人： 天工方案公司
CPC分类号： H03F1/30 , H03F1/0261 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/72 , H03F2200/447 , H03F2200/451 , H03F2203/21131 , H03F2203/21145
摘要： 关于用于动态误差向量幅度校正的嵌入传感器的装置和方法。在一些实施例中，功率放大器(PA)可以包括PA裸芯和实施在PA裸芯上的放大级。所述放大级可以包括放大晶体管的阵列，所述阵列被配置为接收和放大射频(RF)信号。所述PA还可以包括实施在PA裸芯上的传感器。所述传感器可以被相对于所述放大晶体管的阵列放置以允许感测代表至少一些所述放大晶体管的操作状态。所述传感器可以基本上与所述RF信号隔离。
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公开(公告)号：CN108538834B
公开(公告)日：2022-10-11
申请号：CN201810295076.X
申请日：2013-06-25
申请人： 天工方案公司
IPC分类号： H01L27/06 , H01L29/732 , H01L29/78 , H01L21/761
摘要： 公开了一种用于利用被布置在基底的高电阻率区域上或其上面的一个或多个双极型晶体管处理射频(RF)信号的系统和方法。基底例如可以包括块状硅，所述块状硅的至少部分具有高电阻率特性。例如，块状基底可以具有大于500Ohm*cm的电阻率，诸如在1kOhm*cm左右。在某些实施例中，双极型器件的一个或多个由被配置为减少谐波效应和其它干扰的低电阻率注入物围绕。
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公开(公告)号：CN104467745B
公开(公告)日：2018-07-20
申请号：CN201410479794.4
申请日：2014-09-18
申请人： 天工方案公司
CPC分类号： H03F1/0222 , H03F1/0266 , H03F1/0277 , H03F1/56 , H03F3/195 , H03F3/217 , H03F3/245 , H03F3/72 , H03F2200/111 , H03F2200/165 , H03F2200/336 , H03F2200/351 , H03F2200/387 , H03F2200/429 , H03F2200/451 , H03F2200/555 , H03F2203/7209 , H03F2203/7221 , H03F2203/7236 , H04B1/04
摘要： 本公开的各方面涉及动态误差向量幅度(DEVM)补偿。在一个实施例中，一种装置包括放大器、低通滤波器和偏置电路。诸如功率放大器的所述放大器可以放大输入信号。诸如积分器的低通滤波器可以至少部分基于所述放大器的占空比的指示产生校正信号。所述放大器的占空比的指示例如可以是用于放大器的使能信号。所述偏置电路可以至少部分基于所述校正信号产生偏置信号，并且将所述偏置信号提供给放大器以对该放大器进行偏置。
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公开(公告)号：CN104753471A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：CN201410840560.8
申请日：2014-12-30
申请人： 天工方案公司
CPC分类号： H03F1/30 , H03F1/0261 , H03F3/19 , H03F3/211 , H03F3/72 , H03F2200/451 , H03F2200/54 , H03F2203/21131 , H03F2203/21145
摘要： 关于动态误差向量幅度(DEVM)校正的系统、电路和方法。在一些实施例中，功率放大器(PA)系统可以包括具有多个放大级的PA电路、以及与所述PA电路通信并被配置为向所述放大级提供偏置信号的偏置系统。所述PA系统还可以包括第一校正电路，所述第一校正电路被配置为产生导致用于所选择的放大级的调整的偏置信号的校正电流，其中所述调整的偏置信号被配置为在动态操作模式期间补偿误差向量幅度(EVM)。所述PA系统还可以包括第二校正电路，所述第二校正电路被配置为基于与PA电路相关联的操作状态改变所述校正电流。
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公开(公告)号：CN104508827A
公开(公告)日：2015-04-08
申请号：CN201380040230.4
申请日：2013-06-25
申请人： 天工方案公司
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/336
CPC分类号： H01L29/732 , H01L23/49503 , H01L23/49575 , H01L23/49861 , H01L24/06 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L29/0826 , H01L29/36 , H01L2224/04042 , H01L2224/0603 , H01L2224/0612 , H01L2224/32245 , H01L2224/4813 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/48471 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/1305 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/3011 , H01L2924/30111 , H03F3/195 , H03F2200/111 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2224/45099
摘要： 公开了一种用于利用被布置在基底的高电阻率区域上或其上面的一个或多个双极型晶体管处理射频(RF)信号的系统和方法。基底例如可以包括块状硅，所述块状硅的至少部分具有高电阻率特性。例如，块状基底可以具有大于500Ohm*cm的电阻率，诸如在1kOhm*cm左右。在某些实施例中，双极型器件的一个或多个由被配置为减少谐波效应和其它干扰的低电阻率注入物围绕。
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公开(公告)号：CN110034739A
公开(公告)日：2019-07-19
申请号：CN201910312240.8
申请日：2014-12-30
申请人： 天工方案公司
摘要： 关于用于动态误差向量幅度校正的嵌入传感器的装置和方法。在一些实施例中，功率放大器(PA)可以包括PA裸芯和实施在PA裸芯上的放大级。所述放大级可以包括放大晶体管的阵列，所述阵列被配置为接收和放大射频(RF)信号。所述PA还可以包括实施在PA裸芯上的传感器。所述传感器可以被相对于所述放大晶体管的阵列放置以允许感测代表至少一些所述放大晶体管的操作状态。所述传感器可以基本上与所述RF信号隔离。
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