公开(公告)号：CN102157391A

公开(公告)日：2011-08-17

申请号：CN201110031135.0

申请日：2011-01-28

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： 池熺朝 ,  赵南柱 ,  申韩吉

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/768 ,  H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

摘要： 半导体晶圆具有多个第一半导体小片。第二半导体小片安装在第一半导体小片上。第一半导体小片的活性表面定向成朝向第二半导体小片的活性表面。密封剂沉积在第一半导体小片和第二半导体小片上。第二半导体小片的与活性表面相对的背面的一部分被移除。导电柱绕第二半导体小片形成。TSV可形成为穿过第一半导体小片。互连结构形成在第二半导体小片的背面、密封剂和导电柱上。互连结构与导电柱电连接。第一半导体小片的与活性表面相对的背面的一部分被移除。热沉或屏蔽层可形成在第一半导体小片的背面上。

公开(公告)号：CN102157391B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201110031135.0

申请日：2011-01-28

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： 池熺朝 ,  赵南柱 ,  申韩吉

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/768 ,  H01L25/00 ,  H01L23/52 ,  H01L23/528

CPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/552 ,  H01L24/19 ,  H01L24/94 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/73209 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/9222 ,  H01L2224/94 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/19104 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

摘要： 半导体晶圆具有多个第一半导体小片。第二半导体小片安装在第一半导体小片上。第一半导体小片的活性表面定向成朝向第二半导体小片的活性表面。密封剂沉积在第一半导体小片和第二半导体小片上。第二半导体小片的与活性表面相对的背面的一部分被移除。导电柱绕第二半导体小片形成。TSV可形成为穿过第一半导体小片。互连结构形成在第二半导体小片的背面、密封剂和导电柱上。互连结构与导电柱电连接。第一半导体小片的与活性表面相对的背面的一部分被移除。热沉或屏蔽层可形成在第一半导体小片的背面上。

公开(公告)号：CN103887191A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201310651453.6

申请日：2013-12-06

申请人： 新科金朋有限公司

发明人： 金敬文 ,  李求鸿 ,  李在学 ,  金永澈 ,  L.洪 ,  P.C.马里穆图 ,  S.安德森 ,  林诗轩 ,  池熺朝

IPC分类号： H01L21/60 ,  H01L21/48 ,  H01L23/488

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L23/49811 ,  H01L21/4867 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/17 ,  H01L24/81 ,  H01L2224/0381 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/17517 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81007 ,  H01L2224/81022 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81986 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

摘要： 本发明涉及半导体器件和用于制作无凸块倒装芯片互连结构的方法。一种半导体器件包括具有接触焊盘的衬底。将掩模设置在衬底上。将铝可湿润性导电浆料印刷在衬底的接触焊盘上。将半导体管芯设置在铝可湿润性导电浆料上。使该铝可湿润性导电浆料回流以在衬底的接触焊盘上形成互连结构。接触焊盘包括铝。将半导体管芯的接触焊盘设置在铝可湿润性导电浆料上。使铝可湿润性导电浆料回流以在半导体管芯的接触焊盘和衬底的接触焊盘之间形成互连结构。将该互连结构直接形成在衬底和半导体管芯的接触焊盘上。在使铝可湿润性导电浆料回流之前对半导体管芯的接触焊盘进行蚀刻。环氧预点保持半导体管芯和衬底之间的分离。