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公开(公告)号:CN100555683C
公开(公告)日:2009-10-28
申请号:CN200610082714.7
申请日:2006-05-18
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L23/482
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有导电性氧化物膜的高可靠性氮化物半导体元件。是一种具有氮化物半导体层的氮化物半导体元件,其中在氮化物半导体层上依次具有导电性氧化物膜、焊盘电极,而且,焊盘电极具有相接于导电性氧化物膜的包括第一金属的接合层和包括第二金属的焊盘层。
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公开(公告)号:CN104752598A
公开(公告)日:2015-07-01
申请号:CN201410815722.2
申请日:2014-12-24
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0095 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L2224/4813 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供一种生产性与散热性的平衡良好的发光装置。发光装置(100)构成为,在半导体发光元件(1)的设置有p侧电极(15)及n侧电极(13)的一方的面侧层叠了支撑体(3),在另一方的面侧层叠了荧光体层(2)。支撑体(3)具备:树脂层(31);在与树脂层(31)的半导体发光元件(1)相接的面的相反侧的面露出的p侧外部连接用电极(34p)及n侧外部连接用电极(34n);和设置在树脂层(31)内、且分别电连接p侧电极(15)与p侧外部连接用电极(34p)之间以及n侧电极(13)与n侧外部连接用电极(34n)之间的内部布线。内部布线分别串联连接了金属线(32p)及金属镀层(33p)、金属线(32n)及金属镀层(33n)。
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公开(公告)号:CN104124319B
公开(公告)日:2018-01-02
申请号:CN201410171732.7
申请日:2014-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/6835 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2021/60 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/04105 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/2401 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/2413 , H01L2224/245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/821 , H01L2224/82106 , H01L2224/85947 , H01L2224/96 , H01L2924/0002 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2224/82
Abstract: 本发明的课题在于,提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的发光装置。为此,本发明的发光装置具有:半导体芯片,其包含p型半导体层和n型半导体层,在该p型半导体层与该n型半导体层之间发光;p侧衬垫电极,其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上;n侧衬垫电极,其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上;树脂层,其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面;和p侧连接电极以及n侧连接电极,其配置在所述树脂层的外表面,且位于所述半导体芯片的上表面侧,所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。
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公开(公告)号:CN104752598B
公开(公告)日:2019-08-02
申请号:CN201410815722.2
申请日:2014-12-24
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/62
CPC classification number: H01L33/62 , H01L33/0095 , H01L33/38 , H01L33/486 , H01L33/507 , H01L33/52 , H01L33/54 , H01L2224/4813 , H01L2933/0033 , H01L2933/0041 , H01L2933/005 , H01L2933/0066
Abstract: 本发明提供一种生产性与散热性的平衡良好的发光装置。发光装置(100)构成为,在半导体发光元件(1)的设置有p侧电极(15)及n侧电极(13)的一方的面侧层叠了支撑体(3),在另一方的面侧层叠了荧光体层(2)。支撑体(3)具备:树脂层(31);在与树脂层(31)的半导体发光元件(1)相接的面的相反侧的面露出的p侧外部连接用电极(34p)及n侧外部连接用电极(34n);和设置在树脂层(31)内、且分别电连接p侧电极(15)与p侧外部连接用电极(34p)之间以及n侧电极(13)与n侧外部连接用电极(34n)之间的内部布线。内部布线分别串联连接了金属线(32p)及金属镀层(33p)、金属线(32n)及金属镀层(33n)。
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公开(公告)号:CN104124319A
公开(公告)日:2014-10-29
申请号:CN201410171732.7
申请日:2014-04-25
Applicant: 日亚化学工业株式会社
CPC classification number: H01L33/62 , H01L21/6835 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/82 , H01L24/85 , H01L24/96 , H01L33/24 , H01L33/38 , H01L33/387 , H01L33/40 , H01L33/486 , H01L33/502 , H01L33/54 , H01L33/56 , H01L2021/60 , H01L2221/6835 , H01L2221/68368 , H01L2221/68372 , H01L2221/68381 , H01L2221/68386 , H01L2224/04105 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/131 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2101 , H01L2224/2105 , H01L2224/211 , H01L2224/215 , H01L2224/2401 , H01L2224/24011 , H01L2224/2405 , H01L2224/2413 , H01L2224/245 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48095 , H01L2224/48101 , H01L2224/4813 , H01L2224/48644 , H01L2224/48647 , H01L2224/48844 , H01L2224/48847 , H01L2224/821 , H01L2224/82106 , H01L2224/85947 , H01L2224/96 , H01L2924/0002 , H01L2924/12035 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2933/0016 , H01L2933/005 , H01L2933/0066 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/01079 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/00014 , H01L2224/82
Abstract: 本发明的课题在于,提供一种小型且具有充分的强度并且具备高量产性的发光装置。为此,本发明的发光装置具有:半导体芯片,其包含p型半导体层和n型半导体层,在该p型半导体层与该n型半导体层之间发光;p侧衬垫电极,其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述p型半导体层上;n侧衬垫电极,其位于所述半导体芯片的上表面侧且配置在所述n型半导体层上;树脂层,其配置为覆盖所述半导体芯片的上表面;和p侧连接电极以及n侧连接电极,其配置在所述树脂层的外表面,且位于所述半导体芯片的上表面侧,所述p侧衬垫电极与所述p侧连接电极之间以及所述n侧衬垫电极与所述n侧连接电极之间的至少一方通过配置在所述树脂内的金属丝而连接。
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公开(公告)号:CN1866560A
公开(公告)日:2006-11-22
申请号:CN200610082714.7
申请日:2006-05-18
Applicant: 日亚化学工业株式会社
IPC: H01L33/00 , H01L31/0224 , H01L23/482
CPC classification number: H01L33/42 , H01L33/32 , H01L33/40 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种具有导电性氧化物膜的高可靠性氮化物半导体元件。是一种具有氮化物半导体层的氮化物半导体元件,其中在氮化物半导体层上依次具有导电性氧化物膜、焊盘电极,而且,焊盘电极具有相接于导电性氧化物膜的包括第一金属的接合层和包括第二金属的焊盘层。
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