公开(公告)号：CN109698177A

公开(公告)日：2019-04-30

申请号：CN201811201403.7

申请日：2018-10-16

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 李彗华 ,  谢慧英 ,  柯政宏 ,  邱基综

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

摘要： 一种半导体装置封装包含金属载体、无源装置、导电粘合材料、电介质层和导电通孔。所述金属载体具有第一导电垫和与所述第一导电垫隔开的第二导电垫。所述第一导电垫和所述第二导电垫在其间限定空间。所述无源装置安置于第一导电垫和所述第二导电垫的顶部表面上。所述导电粘合材料将所述无源装置的第一导电触点和第二导电触点分别电连接到所述第一导电垫和所述第二导电垫。所述电介质层覆盖所述金属载体和所述无源装置，并暴露所述第一导电垫和所述第二导电垫的底部表面。所述导电通孔在所述电介质层内延伸，且电连接到所述第一导电垫和/或所述第二导电垫。

公开(公告)号：CN102856296A

公开(公告)日：2013-01-02

申请号：CN201210357830.0

申请日：2012-09-24

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 赵兴华 ,  翁肇甫 ,  唐和明 ,  叶勇谊 ,  张惠珊 ,  赖逸少 ,  谢慧英

IPC分类号： H01L23/498 ,  H01L23/36

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014

摘要： 一种堆迭式半导体封装件包括第一半导体封装件、第二半导体封装件、第一横向散热件、第二横向散热件及直立散热件。第一半导体封装件具有外侧面及上表面。第二半导体封装件堆迭于第一半导体封装件的上表面上且具有上表面及外侧面。第一横向散热件设于第一半导体封装件的上表面与第二半导体封装件之间。第二横向散热件设于第二半导体封装件的上表面上。直立散热件连接于第一横向散热件且沿着第一半导体封装件的外侧面及第二半导体封装件的外侧面延伸。

公开(公告)号：CN113851446A

公开(公告)日：2021-12-28

申请号：CN202111020185.9

申请日：2021-09-01

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 谢慧英 ,  邱基综 ,  陈证元 ,  丁铨佑 ,  蔡忠信

IPC分类号： H01L23/495

摘要： 本发明的实施例提供了一种内埋式封装结构，包括：引线架，具有第一面以及与第一面相对的第二面，焊接掩模设置为邻近第二面，焊接掩模介于第一面和第二面之间。本发明的目的在于提供一种内埋式封装结构，以增加内埋式封装结构的良率。

公开(公告)号：CN107527890A

公开(公告)日：2017-12-29

申请号：CN201710452209.5

申请日：2017-06-15

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 李彗华 ,  邱俊豪 ,  谢慧英 ,  陈国华 ,  邱基综

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/48

CPC分类号： H01L23/49575 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49517 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49866 ,  H01L23/5386 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/00 ,  H01L25/00 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/19 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/24247 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/15153 ,  H01L23/49541 ,  H01L21/4821 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49586

摘要： 一种半导体装置封装包含第一导电基底、第一绝缘层以及第二绝缘层。所述第一导电基底具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的横向表面。所述横向表面包含邻近于所述第一表面的第一部分以及邻近于所述第二表面的第二部分。所述第一绝缘层包括第一绝缘材料。所述第一绝缘层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第一部分。所述第二绝缘层包括第二绝缘材料且覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第二部分。所述第一绝缘材料不同于所述第二绝缘材料。

公开(公告)号：CN109698177B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN201811201403.7

申请日：2018-10-16

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 李彗华 ,  谢慧英 ,  柯政宏 ,  邱基综

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L23/31 ,  H01L23/367 ,  H01L21/50

摘要： 一种半导体装置封装包含金属载体、无源装置、导电粘合材料、电介质层和导电通孔。所述金属载体具有第一导电垫和与所述第一导电垫隔开的第二导电垫。所述第一导电垫和所述第二导电垫在其间限定空间。所述无源装置安置于第一导电垫和所述第二导电垫的顶部表面上。所述导电粘合材料将所述无源装置的第一导电触点和第二导电触点分别电连接到所述第一导电垫和所述第二导电垫。所述电介质层覆盖所述金属载体和所述无源装置，并暴露所述第一导电垫和所述第二导电垫的底部表面。所述导电通孔在所述电介质层内延伸，且电连接到所述第一导电垫和/或所述第二导电垫。

公开(公告)号：CN112713125A

公开(公告)日：2021-04-27

申请号：CN202011135495.0

申请日：2020-10-22

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 邱基综 ,  谢慧英 ,  陈国华 ,  陈证元

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L21/56

摘要： 本公开涉及一种半导体封装结构和用于制造半导体封装结构的方法。所述半导体封装结构包括基底、至少一个半导体元件、第一介电层、第二介电层以及电路层。所述半导体元件设置在所述基底上，且其具有上表面。所述第一介电层覆盖所述半导体元件的外围表面的至少一部分，且其具有顶面。所述顶面与所述半导体元件的所述上表面不共平面。所述第二介电层覆盖所述半导体元件和所述第一介电层。所述电路层贯穿所述第二介电层，以电连接所述半导体元件。

公开(公告)号：CN107799477A

公开(公告)日：2018-03-13

申请号：CN201710728601.8

申请日：2017-08-23

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 邱基综 ,  王盟仁 ,  庄程淅 ,  谢慧英 ,  李彗华

IPC分类号： H01L23/13 ,  H01L23/14

摘要： 本发明提供一种半导体器件封装，其包括一导电基底和从该导电基底的一第一表面限定的一空腔。该空腔具有一底表面和一深度。一半导体裸片，其设置在该空腔的该底表面上。该半导体裸片具有一第一表面和与该第一表面相对的一第二表面。该半导体裸片的该第二表面接合到该空腔的该底表面。该半导体裸片的该第一表面和该导电基底的该第一表面之间的一距离为该空腔的该深度的约20％。

公开(公告)号：CN102664170B

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：CN201210118096.2

申请日：2012-04-19

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 赵兴华 ,  翁肇甫 ,  刘昭源 ,  谢慧英

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC分类号： H01L2224/16225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15321

摘要： 本发明提供一种半导体封装结构及其制造方法。此半导体封装结构的制造方法包括：将芯片及多个第一电性连接组件设置于基板的第一表面上，再将一封装胶体及一强化金属层压合于基板的第一表面上，以包覆芯片及第一电性连接组件，接着，在强化金属层上形成至少一窗孔，然后，形成至少一开孔于窗孔暴露出的封装胶体上，用于暴露出第一电性连接组件。本发明的半导体封装结构可做为堆叠式封装体(POP)中的底部封装体，以符合薄型化的要求，并可确保结构强度。

公开(公告)号：CN107527890B

公开(公告)日：2022-01-28

申请号：CN201710452209.5

申请日：2017-06-15

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 李彗华 ,  邱俊豪 ,  谢慧英 ,  陈国华 ,  邱基综

IPC分类号： H01L23/495 ,  H01L21/48

摘要： 一种半导体装置封装包含第一导电基底、第一绝缘层以及第二绝缘层。所述第一导电基底具有第一表面、与所述第一表面相对的第二表面以及在所述第一表面与所述第二表面之间延伸的横向表面。所述横向表面包含邻近于所述第一表面的第一部分以及邻近于所述第二表面的第二部分。所述第一绝缘层包括第一绝缘材料。所述第一绝缘层具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面。所述第一绝缘层覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第一部分。所述第二绝缘层包括第二绝缘材料且覆盖所述第一导电基底的所述横向表面的所述第二部分。所述第一绝缘材料不同于所述第二绝缘材料。

公开(公告)号：CN112234034A

公开(公告)日：2021-01-15

申请号：CN202010639263.2

申请日：2020-07-06

申请人： 日月光半导体制造股份有限公司

发明人： 邱基综 ,  谢慧英 ,  李彗华 ,  陈证元

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/48 ,  H01L23/498 ,  H01L21/56

摘要： 本公开涉及一种半导体封装结构及其制造方法。所述半导体封装结构包含基底材料、至少一个半导体芯片、封装体、凹陷结构、重布层和至少一个导电通孔。所述半导体芯片安置在所述基底材料上。所述封装体安置在所述基底材料上且覆盖所述至少一个半导体芯片。所述封装体具有外侧表面。所述凹陷结构安置成与所述封装体的所述外侧表面相邻并从所述外侧表面中暴露。所述重布层安置在所述封装体上。所述导电通孔安置于所述封装体中且电连接所述半导体芯片与所述重布层。