公开(公告)号：CN103904131B

公开(公告)日：2018-06-19

申请号：CN201310757047.8

申请日：2013-12-12

申请人： 现代自动车株式会社

发明人： 李钟锡 ,  洪坰国 ,  千大焕 ,  郑永均

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L29/36 ,  H01L21/04

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0804 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606

摘要： 本发明涉及—种肖特基二极管，包括：设置在n+型碳化硅衬底的第一表面的n‑型外延层；设置在n‑型外延层内，且设置在n+型碳化硅衬底的第一表面的第一部分上的多个n型柱区；设置在n‑型外延层内，且在垂直于n型柱区的方向上延伸的p型区域；多个P+区域，n‑型外延层被设置在其表面，且它们与n型柱区和p型区域分隔；设置在n‑型外延层和P+区域上的肖特基电极；设置在n+型碳化硅衬底的第二表面的欧姆电极。

公开(公告)号：CN103872130B

公开(公告)日：2018-05-22

申请号：CN201310438998.9

申请日：2013-09-24

申请人： 现代自动车株式会社

发明人： 李钟锡 ,  洪坰国 ,  千大焕 ,  郑永均

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66068 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明涉及一种半导体器件，包括布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的多个n型柱区和n‑型外延层；布置在多个n型柱区和n‑型外延层上的p型外延层和n+区；穿过n+区和p型外延层并布置在多个n型柱区和n‑型外延层上的沟槽；布置在沟槽内的栅极绝缘膜；布置在栅极绝缘膜上的栅电极；布置在栅电极上的氧化膜；布置在p型外延层，n+区，和氧化膜上的源极电极；以及布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的漏极电极，其中沟槽的每个角部接触对应的n型柱区。

公开(公告)号：CN104752240A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410432816.1

申请日：2014-08-28

申请人： 现代自动车株式会社

发明人： 洪坰国 ,  姜修槟

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L24/27 ,  B22F1/0085 ,  B22F1/0096 ,  B22F1/02 ,  B22F3/10 ,  B22F3/1003 ,  B22F2998/10 ,  B23K1/00 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29488 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/83055 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 本发明提供一种接合银浆的方法，其包括制备包含多个银粉末和能够环绕各个银粉末的固相烧结介质材料的银浆。此外，该方法包括在大于大气压水平的氧分压下加热银浆，以及接合银粉末。

公开(公告)号：CN103915511A

公开(公告)日：2014-07-09

申请号：CN201310542137.5

申请日：2013-11-05

申请人： 现代自动车株式会社

发明人： 洪坰国 ,  李钟锡 ,  千大焕 ,  郑永均

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/10 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/0619 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/872

摘要： 本发明涉及一种肖特基势垒二极管，其包括：n+型碳化硅衬底；布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的n-型外延层，其包括电极区以及位于电极区的外部的端接区；布置在端接区中的n-型外延层上的第一沟槽和第二沟槽；布置在第一沟槽和第二沟槽的下方的p区；布置在电极区中的n-型外延层上的肖特基电极；以及布置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的欧姆电极，其中第一沟槽和第二沟槽位置相邻以形成台阶。

公开(公告)号：CN103872147A

公开(公告)日：2014-06-18

申请号：CN201310661032.1

申请日：2013-12-09

申请人： 现代自动车株式会社

发明人： 千大焕 ,  李钟锡 ,  洪坰国 ,  郑永均

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/8611 ,  H01L29/36

摘要： 本发明涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法，该肖特基势垒二极管包括n-型外延层，设置在n+型碳化硅基板的第一表面，多个n型支柱区域，设置在n+型碳化硅基板的第一表面的第一部分的n-型外延层中，多个p+区域，设置在n-型外延层的表面且与n型支柱区域分离，肖特基电极，设置在n-型外延层和p+区域上，以及欧姆电极，设置在n+型碳化硅基板的第二表面。n型支柱区域的掺杂密度大于n-型外延层的掺杂密度。

公开(公告)号：CN112951812A

公开(公告)日：2021-06-11

申请号：CN202010730802.3

申请日：2020-07-27

申请人： 现代自动车株式会社 ,  起亚自动车株式会社

发明人： 洪坰国 ,  金永锡

IPC分类号： H01L25/07 ,  H01L23/467 ,  H02M7/00 ,  H02M7/48

摘要： 本公开的实施例提供一种适用于电力模块的基板结构。适用于电力模块的基板结构包括上基板和下基板，其中下基板包括：器件区域，多个半导体器件设置在器件区域上；源信号电极，将源信号传输到半导体器件；以及栅信号电极，将栅信号传输到半导体器件，源信号电极和栅信号电极中的一个通过导电柱连接到上基板，并且通过源信号电极和栅信号电极中的一个传输的信号通过上基板传输到半导体器件。

公开(公告)号：CN104752522B

公开(公告)日：2019-04-09

申请号：CN201410484433.9

申请日：2014-09-19

申请人： 现代自动车株式会社

发明人： 千大焕 ,  洪坰国 ,  李钟锡 ,  朴正熙 ,  郑永均

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L29/06 ,  H01L21/329

摘要： 本发明涉及一种肖特基势垒二极管及其制造方法，该肖特基势垒二极管包括：n‑型外延层，布置在n+型碳化硅基板的第一表面上；第一p+区，布置在n‑型外延层上；n型外延层，布置在n‑型外延层和第一p+区上；第二p+区，布置在n型外延层上，并且与第一p+区相接触；肖特基电极，布置在n型外延层和第二p+区上；以及欧姆电极，布置在n+碳化硅基板的第二表面上，其中第一p+区具有栅格形状，其包括多个垂直部以及将各个垂直部的两端彼此连接的水平部，垂直部包括多个具有类六边形的第一部、多个连接各个第一部的第二部、以及多个连接第一部和水平部的第三部，并且第二部和第三部被定形为类杆状。

公开(公告)号：CN104752506A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410482926.9

申请日：2014-09-19

申请人： 现代自动车株式会社

发明人： 李钟锡 ,  千大焕 ,  洪坰国 ,  朴正熙 ,  郑永均

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/0465 ,  H01L21/049 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/36 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/51 ,  H01L29/512 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/7827 ,  H01L29/78 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66477

摘要： 本发明涉及一种半导体器件，其包括：布置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n-型外延层；布置在第一n-型外延层上的p型外延层；布置在p型外延层上的第二n-型外延层；布置在第二n-型外延层上的n+区；穿过第二n-型外延层、p型外延层和n+区并被布置第一n-型外延层上的沟槽；布置在p型外延层上并与该沟槽隔开的p+区；以及位于该沟槽中的栅绝缘层，其中所述沟道被布置在沟槽两侧的第二n-型外延层以及沟槽两侧的p型外延层中。

公开(公告)号：CN104465339A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201310757104.2

申请日：2013-12-27

申请人： 现代自动车株式会社

发明人： 郑永均 ,  千大焕 ,  洪坰国 ,  李钟锡 ,  朴正熙

IPC分类号： H01L21/04

CPC分类号： H01L29/66666 ,  H01L21/02104 ,  H01L21/0475 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7813

摘要： 本发明提供一种半导体器件的制造方法，包括：在n+型碳化硅衬底的第一表面上顺序地形成n-型外延层、p-型外延层、以及n+区域；在n+区域形成缓冲层；在缓冲层的一部分上形成光敏薄膜图案；利用光敏薄膜图案作为掩模对缓冲层蚀刻以形成缓冲层图案，缓冲层图案布置在光敏薄膜图案下方并露出n+区域的一部分；在n+区域的露出部分和光敏薄膜图案上顺序地形成第一金属层和第二金属层；去除缓冲层图案、光敏薄膜图案、第一金属层的第二部分、以及第二金属层的第二部分；利用第一金属层的第一部分和第二金属层的第一部分作为掩模对n+区域的露出部分蚀刻以形成沟槽，其中沟槽穿过n+区域和p-型外延层，形成在n-型外延层上。

公开(公告)号：CN103681883A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201210570518.X

申请日：2012-12-25

申请人： 现代自动车株式会社

发明人： 李钟锡 ,  洪坰国

IPC分类号： H01L29/872 ,  H01L21/329

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/872

摘要： 本发明涉及肖特基垫垒二极管及其制造方法。一种肖特基势垒二极管，可以包括配置在n+型碳化硅衬底的第一表面上的第一n-型外延层，配置在第一n-型外延层中的第一p+区，配置在第一n-型外延层和第一p+区上的第二n型外延层，配置在第二n型外延层中的第二p+区，配置在第二n型外延层和第二p+区上的肖特基电极，以及配置在n+型碳化硅衬底的第二表面上的欧姆电极，其中第一p+区和第二p+区可以彼此接触。