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公开(公告)号：CN102685657B
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201210131103.2
申请日：2012-03-16
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , B81B7/0061 , B81B2207/095 , H04R19/005 , H04R31/00
Abstract: 本发明涉及一种用于MEMS构件(1)的基于晶片级的封装方案，所述MEMS构件具有至少一个构造在构件前侧中的膜片结构(2)，其中，与所述MEMS构件(1)的前侧连接有内插件(5)，所述内插件具有至少一个通孔(7)作为通向所述MEMS构件(1)的膜片结构(2)的通道开口，并且设有电敷镀通孔(8)，从而所述MEMS构件(1)可通过所述内插件(5)电接通。根据本发明，所述内插件(5)中的所述至少一个通孔(7)的横截面积比所述MEMS构件(1)的横向延展小得多。所述至少一个通孔(7)通到所述膜片结构(2)与所述内插件(5)之间的空腔(6)中。
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公开(公告)号：CN110873932B
公开(公告)日：2023-04-07
申请号：CN201910814563.7
申请日：2019-08-30
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及一种用于将电磁波耦合输入到芯片或类似物中的设备，所述设备包括用于容纳光源的腔和用于允许光源的光穿透的开口，所述开口与所述腔连接，其中，所述设备具有第一表面和与所述第一表面相对置的第二表面，其中，所述两个表面中的至少一个具有至少两个第一表面区段，所述至少两个第一表面区段以一倾斜角彼此倾斜地布置，其中，在所述腔的和/或所述开口的不同侧上第一表面与第二表面之间的距离不同，其中，在所述腔的和/或所述开口的不同侧上分别与所述腔/所述开口相邻的表面区域具有相同的倾斜角。
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公开(公告)号：CN102009946A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN201010273807.4
申请日：2010-09-03
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H01L21/568 , B81B2207/096 , B81C1/00301 , B81C1/00357 , B81C2201/019 , B81C2201/0191 , B81C2203/0154 , G01F1/6845 , G01P1/023 , G01P15/0802 , H01L21/561 , H01L23/3121 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/96 , H01L24/97 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/18 , H01L2224/24137 , H01L2224/32245 , H01L2224/83005 , H01L2224/83132 , H01L2224/83192 , H01L2224/92144 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/1301 , H01L2924/14 , H01L2924/1433 , H01L2924/1461 , H01L2924/15747 , H01L2924/181 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种用于制造包含微结构化或纳米结构化的元器件的构件的方法，包括步骤：提供载体(1)，其包括施加在载体(1)上的连接层(2)，在连接层(2)的表面上施加另一个层(3)，其中该另一个层(3)包括导电的区域，该另一个层(3)包括至少两个上下设置的不同的层并且在一个层中存在的导电区域面对着载体，在该另一个层(3)的顶面上施加至少一个微结构化或纳米结构化的元器件(4，4’)，用包封材料(6)至少部分地包封微结构化或纳米结构化的元器件(4，4’)并且从连接层(2)上分离所获得的、包括包封材料(6)，至少一个微结构化或纳米结构化的元器件(4，4’)和另一个层(3)的复合体。
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公开(公告)号：CN110873932A
公开(公告)日：2020-03-10
申请号：CN201910814563.7
申请日：2019-08-30
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
IPC: G02B6/42
Abstract: 本发明涉及一种用于将电磁波耦合输入到芯片或类似物中的设备，所述设备包括用于容纳光源的腔和用于允许光源的光穿透的开口，所述开口与所述腔连接，其中，所述设备具有第一表面和与所述第一表面相对置的第二表面，其中，所述两个表面中的至少一个具有至少两个第一表面区段，所述至少两个第一表面区段以一倾斜角彼此倾斜地布置，其中，在所述腔的和/或所述开口的不同侧上第一表面与第二表面之间的距离不同，其中，在所述腔的和/或所述开口的不同侧上分别与所述腔/所述开口相邻的表面区域具有相同的倾斜角。
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公开(公告)号：CN103609141A
公开(公告)日：2014-02-26
申请号：CN201280019024.0
申请日：2012-02-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81C2203/0154 , G01H11/06 , H01L2224/48091 , H01L2924/15151 , H01L2924/16151 , H01L2924/16195 , H01L2924/1815 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2499/11 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及微机电声音探测装置，包括衬底，壳体，至少一个用于声音穿过的开口和用于拾取声音的微机电元件，其中壳体借助模制被构造用于作为空腔提供前容积和后容积用于通过微机电元件探测声音。本发明同样涉及用于制造微机电声音探测装置的方法以及声音探测装置的应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102685657A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201210131103.2
申请日：2012-03-16
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/04 , B81B7/0061 , B81B2207/095 , H04R19/005 , H04R31/00
Abstract: 本发明涉及一种用于MEMS构件(1)的基于晶片级的封装方案，所述MEMS构件具有至少一个构造在构件前侧中的膜片结构(2)，其中，与所述MEMS构件(1)的前侧连接有内插件(5)，所述内插件具有至少一个通孔(7)作为通向所述MEMS构件(1)的膜片结构(2)的通道开口，并且设有电敷镀通孔(8)，从而所述MEMS构件(1)可通过所述内插件(5)电接通。根据本发明，所述内插件(5)中的所述至少一个通孔(7)的横截面积比所述MEMS构件(1)的横向延展小得多。所述至少一个通孔(7)通到所述膜片结构(2)与所述内插件(5)之间的空腔(6)中。
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公开(公告)号：CN102649535B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201210041782.4
申请日：2012-02-22
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81B2207/097 , B81C2203/0109 , B81C2203/0154 , G01L19/0084 , G01L19/141 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H04R1/086 , H04R19/04 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提出了一种构件载体，其能够实现具有敏感结构的MEMS构件的成本有利、位置节省且应力较小的封装。构件载体(130)尤其适于应被安装在壳体(120)的空腔中并且被电接通的MEMS构件(10)。根据本发明的构件载体(330)被实现为在一侧敞开的空心体形式的复合件，复合件基本上由在其造型方面柔性的、三维成形的载体膜(331)和包覆材料(332)形成。包覆材料(332)在一侧成型在载体膜(331)上，使得载体膜(331)设置在构件载体(330)的内壁上。在具有载体膜(131)的内壁上构造有用于至少一个构件(10，51)的至少一个安装面。此外，载体膜(331)设有用于所述至少一个构件(10，51)的电接通的接触面和绝缘的印制导线。
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公开(公告)号：CN103609141B
公开(公告)日：2017-10-13
申请号：CN201280019024.0
申请日：2012-02-20
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81C2203/0154 , G01H11/06 , H01L2224/48091 , H01L2924/15151 , H01L2924/16151 , H01L2924/16195 , H01L2924/1815 , H04R19/04 , H04R31/00 , H04R2499/11 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及微机电声音探测装置，包括衬底，壳体，至少一个用于声音穿过的开口和用于拾取声音的微机电元件，其中壳体借助模制被构造用于作为空腔提供前容积和后容积用于通过微机电元件探测声音。本发明同样涉及用于制造微机电声音探测装置的方法以及声音探测装置的应用。
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公开(公告)号：CN102649535A
公开(公告)日：2012-08-29
申请号：CN201210041782.4
申请日：2012-02-22
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B7/007 , B81B2201/0257 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/096 , B81B2207/097 , B81C2203/0109 , B81C2203/0154 , G01L19/0084 , G01L19/141 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/73265 , H04R1/086 , H04R19/04 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提出了一种构件载体，其能够实现具有敏感结构的MEMS构件的成本有利、位置节省且应力较小的封装。构件载体(130)尤其适于应被安装在壳体(120)的空腔中并且被电接通的MEMS构件(10)。根据本发明的构件载体(330)被实现为在一侧敞开的空心体形式的复合件，复合件基本上由在其造型方面柔性的、三维成形的载体膜(331)和包覆材料(332)形成。包覆材料(332)在一侧成型在载体膜(331)上，使得载体膜(331)设置在构件载体(330)的内壁上。在具有载体膜(131)的内壁上构造有用于至少一个构件(10，51)的至少一个安装面。此外，载体膜(331)设有用于所述至少一个构件(10，51)的电接通的接触面和绝缘的印制导线。
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公开(公告)号：CN102659069B
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201110439985.4
申请日：2011-12-23
Applicant: 罗伯特·博世有限公司
CPC classification number: H04R19/005 , B81B7/0061 , B81B2201/0257 , B81C2203/0154 , H01L2224/32145 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H04R19/04 , H04R31/00 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明提出一些措施，这些措施能够成本有利地且节约空间地实现具有MEMS组件和通向MEMS组件的膜片结构的进入通道的部件。所述部件包括MEMS组件，其膜片结构构造在组件上侧中。MEMS组件以组件背面安装在支承件上并至少部分地嵌入到模塑物质中。在模塑物质中构造有进入开口。根据本发明，部件还包括具有至少一个通孔的至少一个另外的半导体组件，其在MEMS组件上方并且与膜片结构间隔开地容纳到模塑物质中，从而在半导体组件与膜片结构之间形成空腔。模塑物质中的进入开口通到半导体组件的通孔中并且与通孔以及半导体组件与膜片结构之间的空腔一起形成通向膜片结构的进入通道。
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