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公开(公告)号：CN103681354A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310417159.9
申请日：2013-09-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/337
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/28008 , H01L21/28229 , H01L21/743 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4916 , H01L29/495 , H01L29/51 , H01L29/66734 , H01L29/7827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开的是一种用于产生可控半导体元件的方法。在具有顶侧和底侧的半导体本体中，在共同的蚀刻过程中形成从顶侧突出到半导体本体中的第一沟槽和从顶侧突出到半导体本体中的第二沟槽。第一沟槽具有第一宽度，且第二沟槽具有大于第一宽度的第二宽度。然后，在共同的过程中，将氧化物层形成在第一沟槽和第二沟槽中，使得氧化物层填充第一沟槽，并使第二沟槽的表面电绝缘。随后，从第一沟槽完全或至少部分地去除氧化物层，使得半导体本体包括布置于第一沟槽中的暴露的第一表面区域。
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公开(公告)号：CN103633063A
公开(公告)日：2014-03-12
申请号：CN201310363695.5
申请日：2013-08-20
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/0694 , H01L21/02 , H01L21/743 , H01L21/762 , H01L21/76224 , H01L21/823418 , H01L21/823475 , H01L23/48 , H01L27/0629 , H01L29/06 , H01L29/0657 , H01L29/407 , H01L29/417 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/66477 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7803 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/7845 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件、集成电路及其制造方法。半导体器件的一个实施例包括：具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面的半导体主体。半导体器件进一步包括：第一接触沟槽，其在第一侧面处延伸到半导体主体中。第一接触沟槽包括电耦合到与第一接触沟槽邻近的半导体主体的第一导电材料。半导体器件进一步包括：第二接触沟槽，其在第二侧面处延伸到半导体主体中。第二接触沟槽包括电耦合到与第二接触沟槽邻近的半导体主体的第二导电材料。
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公开(公告)号：CN103972234B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410043900.4
申请日：2014-01-30
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种包括半导体器件的集成电路具有功率部件和传感器部件，所述功率部件包括在单元阵列中的多个沟槽，该多个沟槽在第一方向上延伸，所述传感器部件被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元，传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积。集成电路进一步包括在传感器部件和功率部件之间设置的隔离沟槽，绝缘材料被设置在隔离沟槽中。隔离沟槽在与第一方向不同的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN104576737A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410543952.8
申请日：2014-10-15
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/78 , H01L29/7811 , H01L29/7825 , H01L29/7835 , H01L29/7838 , H01L29/8083
摘要： 本发明涉及半导体器件。半导体器件包含在包含主要表面的半导体衬底中形成的晶体管。晶体管包含源极区、漏极区、沟道区、和栅极电极。源极区和漏极区沿着第一方向被安置，第一方向与主要表面平行。沟道区具有沿着第一方向延伸的脊的形状，脊包含顶侧和第一侧壁和第二侧壁。栅极电极被安置在沟道区的第一侧壁处，并且栅极电极不在沟道区的第二侧壁处。
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公开(公告)号：CN103972301A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410044010.5
申请日：2014-01-30
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/66825 , G11C16/0425 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/42336 , H01L29/66787 , H01L29/7883 , H01L29/7889
摘要： 本发明涉及半导体器件、集成电路和制造集成电路的方法。一种半导体器件在包括第一主表面的半导体衬底中形成并且包括置放于在第一主表面中形成的第一沟槽的下部中的控制栅、在控制栅上方置放在第一沟槽中并且从控制栅绝缘的浮栅、第一导电类型的源极区域、第二导电类型的本体区域和第一导电类型的漏极区域。
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公开(公告)号：CN103972234A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410043900.4
申请日：2014-01-30
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/544 , H01L21/76224 , H01L21/823481 , H01L27/088 , H01L29/0696 , H01L29/7813 , H01L29/7815 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 一种包括半导体器件的集成电路具有功率部件和传感器部件，所述功率部件包括在单元阵列中的多个沟槽，该多个沟槽在第一方向上延伸，所述传感器部件被集成到功率部件的单元阵列中并且包括传感器单元，传感器单元具有小于功率部件的单元阵列的面积的面积。集成电路进一步包括在传感器部件和功率部件之间设置的隔离沟槽，绝缘材料被设置在隔离沟槽中。隔离沟槽在与第一方向不同的第二方向上延伸。
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公开(公告)号：CN104576737B
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201410543952.8
申请日：2014-10-15
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/088 , H01L29/0653 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/0865 , H01L29/0882 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/42368 , H01L29/78 , H01L29/7811 , H01L29/7825 , H01L29/7835 , H01L29/7838 , H01L29/8083
摘要： 本发明涉及半导体器件。半导体器件包含在包含主要表面的半导体衬底中形成的晶体管。晶体管包含源极区、漏极区、沟道区、和栅极电极。源极区和漏极区沿着第一方向被安置，第一方向与主要表面平行。沟道区具有沿着第一方向延伸的脊的形状，脊包含顶侧和第一侧壁和第二侧壁。栅极电极被安置在沟道区的第一侧壁处，并且栅极电极不在沟道区的第二侧壁处。
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公开(公告)号：CN103633063B
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201310363695.5
申请日：2013-08-20
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/522 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/0694 , H01L21/02 , H01L21/743 , H01L21/762 , H01L21/76224 , H01L21/823418 , H01L21/823475 , H01L23/48 , H01L27/0629 , H01L29/06 , H01L29/0657 , H01L29/407 , H01L29/417 , H01L29/41741 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/66477 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/78 , H01L29/7803 , H01L29/7813 , H01L29/7827 , H01L29/7845 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体器件、集成电路及其制造方法。半导体器件的一个实施例包括：具有第一侧面和与第一侧面相对的第二侧面的半导体主体。半导体器件进一步包括：第一接触沟槽，其在第一侧面处延伸到半导体主体中。第一接触沟槽包括电耦合到与第一接触沟槽邻近的半导体主体的第一导电材料。半导体器件进一步包括：第二接触沟槽，其在第二侧面处延伸到半导体主体中。第二接触沟槽包括电耦合到与第二接触沟槽邻近的半导体主体的第二导电材料。
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公开(公告)号：CN103972301B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410044010.5
申请日：2014-01-30
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L29/788 , H01L27/115 , H01L21/8247
CPC分类号： H01L29/66825 , G11C16/0425 , H01L27/11519 , H01L27/11521 , H01L29/42336 , H01L29/66787 , H01L29/7883 , H01L29/7889
摘要： 本发明涉及半导体器件、集成电路和制造集成电路的方法。一种半导体器件在包括第一主表面的半导体衬底中形成并且包括置放于在第一主表面中形成的第一沟槽的下部中的控制栅、在控制栅上方置放在第一沟槽中并且从控制栅绝缘的浮栅、第一导电类型的源极区域、第二导电类型的本体区域和第一导电类型的漏极区域。
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公开(公告)号：CN103681354B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201310417159.9
申请日：2013-09-13
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L21/336 , H01L21/331 , H01L21/337
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L21/28008 , H01L21/28229 , H01L21/743 , H01L21/76877 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L29/1095 , H01L29/401 , H01L29/407 , H01L29/4236 , H01L29/4916 , H01L29/495 , H01L29/51 , H01L29/66734 , H01L29/7827 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： 本发明公开的是一种用于产生可控半导体元件的方法。在具有顶侧和底侧的半导体本体中，在共同的蚀刻过程中形成从顶侧突出到半导体本体中的第一沟槽和从顶侧突出到半导体本体中的第二沟槽。第一沟槽具有第一宽度，且第二沟槽具有大于第一宽度的第二宽度。然后，在共同的过程中，将氧化物层形成在第一沟槽和第二沟槽中，使得氧化物层填充第一沟槽，并使第二沟槽的表面电绝缘。随后，从第一沟槽完全或至少部分地去除氧化物层，使得半导体本体包括布置于第一沟槽中的暴露的第一表面区域。
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