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1.

发明授权
晶圆接合工艺和结构有权

公开(公告)号：CN104867895B

公开(公告)日：2018-01-05

申请号：CN201410344902.7

申请日：2014-07-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 刘丙寅 , 匡训冲 , 萧清泰 , 黄信华 , 赵兰璘

IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60

CPC分类号： H01L24/80 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/89 , H01L25/0657 , H01L2224/02181 , H01L2224/0219 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/03616 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/0516 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05559 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/0603 , H01L2224/06517 , H01L2224/08147 , H01L2224/80011 , H01L2224/80012 , H01L2224/80013 , H01L2224/80014 , H01L2224/8084 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80948 , H01L2224/8192 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2924/01026 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/04953 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2224/80001

摘要： 在本发明中提供了一种半导体器件及其制造方法。在实施例中，在第一衬底上方形成一个或多个钝化层。在钝化层中形成凹槽且在凹槽中形成一个或多个导电焊盘。在钝化层和导电焊盘之间形成一个或多个阻挡层。将第一衬底的导电焊盘与第二衬底的导电焊盘对准，并且使用直接接合方法使第一导电焊盘与第二导电焊盘接合。本发明还涉及晶圆接合工艺和结构。

2.

发明授权
实现连接结构的方法有权转让

公开(公告)号：CN102456587B

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201110307001.7

申请日：2011-10-11

申请人： 硅绝缘体技术有限公司

发明人： 迪迪埃·朗德吕

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/488

CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/0332 , H01L2224/034 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03462 , H01L2224/03616 , H01L2224/05006 , H01L2224/05082 , H01L2224/05139 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05181 , H01L2224/05186 , H01L2224/05187 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05576 , H01L2224/05578 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/08121 , H01L2224/80203 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2225/06513 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01029 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00014 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/04941 , H01L2924/00

摘要： 本发明涉及实现半导体衬底(1000)中的连接结构(2200)的方法，并且涉及相应地实现的半导体衬底。半导体衬底(1000)至少具有第一表面并沿第一表面与第二衬底(1700)3D集成，其中该3D集成经受至少一个维度上的横向错位，该横向错位具有错位值；本发明的方法可包括生长扩散阻挡结构(2211)以防止导电层的元素扩散到半导体衬底的其余部分的步骤，其特征在于：扩散阻挡结构(2211)的第一端面可以在横向错位的方向上具有依赖于错位值的长度，该第一端面是扩散阻挡结构的沿垂直于第一表面且从衬底向第一表面的方向的与第一表面大致平行的最外侧表面，其中扩散阻挡结构(2211)的长度被选择为在3D集成结构中防止第二衬底(1700)的导电层的元素在集成状态下扩散。

3.

发明公开
半导体器件及制造该半导体器件的方法无效

公开(公告)号：CN102867795A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210237416.6

申请日：2012-07-09

申请人： 瑞萨电子株式会社

发明人： 押田大介

IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/768

CPC分类号： H01L24/03 , H01L21/76898 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05546 , H01L2224/05548 , H01L2224/05567 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05649 , H01L2224/05657 , H01L2224/05666 , H01L2224/05684 , H01L2224/05686 , H01L2224/06181 , H01L2224/13025 , H01L2224/13111 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/01047 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 本发明提供了一种半导体器件及制造该半导体器件的方法，所述半导体器件具有供应大电流的第一通路和第一互连，其中具有第一通路和第一互连的第一表面是平坦的。该半导体器件具有：第一通路，其从第一衬底的第一表面穿透第一衬底；和第一互连，其掩埋在第一衬底的第一表面中且与至少一个第一通路的一端连接。第一通路具有倾斜部分，在该倾斜部分中，形成在第一通路的侧面和第一通路的底部之间的角度大于形成在第一互连的侧面和第一互连的底部之间的角度。

4.

发明授权
半导体器件及其制造方法失效转让

公开(公告)号：CN1139122C

公开(公告)日：2004-02-18

申请号：CN99120209.0

申请日：1999-09-17

申请人： 恩益禧电子股份有限公司

发明人： 冈田纪雄

IPC分类号： H01L23/485 , H01L21/768 , H01L21/60

CPC分类号： H01L21/76847 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L21/76846 , H01L21/7685 , H01L23/53238 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L2221/1078 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05546 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/13099 , H01L2224/131 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48463 , H01L2224/48472 , H01L2224/48624 , H01L2224/48647 , H01L2224/48724 , H01L2224/48747 , H01L2224/48799 , H01L2224/73265 , H01L2924/0001 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01042 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/10253 , H01L2924/14 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/013 , H01L2924/00013 , H01L2924/01004 , H01L2924/01033

摘要： 通过减少工艺步骤的数量可以形成用于装配导体的铜焊垫膜，导体由用于外部连接的突点形导体或线形导体组成。半导体器件包括在半导体衬底上形成厚度为3到4μm的保护性绝缘膜，在保护性绝缘膜上形成直径约50μm且深度约2μm的互连用沟槽，在互连用沟槽内嵌入由氮化钛组成厚度约50nm的第一阻挡金属膜上的最上层铜布线。此外，在最上层铜布线的近似中心区域厚度约70nm的第二阻挡金属膜8上嵌入铜焊垫膜。

5.

发明公开
在基板与管芯之间包括光敏填料的集成器件封装有权

公开(公告)号：CN107004612A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580066082.2

申请日：2015-12-10

申请人： 高通股份有限公司

发明人： V·诺维斯基 , M·P·沙哈 , R·库马

IPC分类号： H01L21/60

CPC分类号： H01L23/5283 , H01L23/3157 , H01L23/49827 , H01L23/49838 , H01L23/5226 , H01L24/03 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0347 , H01L2224/0348 , H01L2224/03602 , H01L2224/03914 , H01L2224/05546 , H01L2224/05568 , H01L2224/05571 , H01L2224/05647 , H01L2224/1111 , H01L2224/11334 , H01L2224/11438 , H01L2224/13007 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/16013 , H01L2224/16014 , H01L2224/16111 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/16238 , H01L2224/2711 , H01L2224/27438 , H01L2224/29006 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81101 , H01L2224/81191 , H01L2224/81192 , H01L2224/81801 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2924/2064 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012

摘要： 一种包括管芯、基板、填料以及导电互连的集成器件封装。管芯包括柱，其中柱具有第一柱宽度。基板(例如，封装基板、中介体)包括介电层和基板互连(例如，表面互连、嵌入式互连)。填料位于管芯与基板之间。导电互连位于填料内。导电互连包括与第一柱宽度大致相同或比其小的第一互连宽度。导电互连被耦合至柱和基板互连。填料是非导电光敏材料。填料是光敏膜。基板互连包括等于或大于第一柱宽度的第二互连宽度。导电互连包括至少糊剂、焊料和/或包括聚合材料的增强型焊料中的一者。

6.

发明公开
半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置有权

公开(公告)号：CN102867847A

公开(公告)日：2013-01-09

申请号：CN201210233277.X

申请日：2012-07-05

申请人： 索尼公司

发明人： 香川恵永 , 青柳健一 , 萩本贤哉 , 藤井宣年

IPC分类号： H01L29/40 , H01L23/522 , H01L21/28 , H01L21/768 , H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14636 , H01L21/76807 , H01L21/7684 , H01L21/76841 , H01L21/76843 , H01L23/481 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53266 , H01L23/53295 , H01L23/564 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L27/0688 , H01L27/14609 , H01L27/14621 , H01L27/14625 , H01L27/1464 , H01L27/14645 , H01L27/1469 , H01L2221/1031 , H01L2224/02245 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05546 , H01L2224/05547 , H01L2224/05571 , H01L2224/05573 , H01L2224/05578 , H01L2224/05647 , H01L2224/05686 , H01L2224/08121 , H01L2224/08145 , H01L2224/0903 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80091 , H01L2224/80097 , H01L2224/80203 , H01L2224/80345 , H01L2224/80357 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83345 , H01L2924/00014 , H01L2924/12043 , H01L2924/13091 , H04N5/369 , H01L2924/00012 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2924/053 , H01L2924/049 , H01L2924/00 , H01L2224/05552

摘要： 本发明公开了半导体器件、半导体器件制造方法及电子装置。所述半导体器件包括第一基板和第二基板。所述第一基板包括第一电极以及第一绝缘膜，所述第一绝缘膜由针对所述第一电极的防扩散材料构成并覆盖所述第一电极的周边。所述第一电极与所述第一绝缘膜互相配合而构成结合表面。所述第二基板结合至所述第一基板并设置于所述第一基板上，且所述第二基板包括第二电极以及第二绝缘膜，所述第二电极接合至所述第一电极，所述第二绝缘膜由针对所述第二电极的防扩散材料构成并覆盖所述第二电极的周边。所述第二电极与所述第二绝缘膜互相配合而构成与所述第一基板相结合的结合表面。本发明能够确保电极的结合强度，同时能够防止电极材料的扩散。

7.

发明授权
形成具有凹槽的焊盘的方法失效

公开(公告)号：CN1296980C

公开(公告)日：2007-01-24

申请号：CN02817825.4

申请日：2002-08-20

申请人： 自由度半导体公司

发明人： 托马斯·S·小林 , 斯科特·K·波兹德

IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485

CPC分类号： H01L24/05 , H01L24/03 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05546 , H01L2224/05551 , H01L2224/05556 , H01L2224/05557 , H01L2224/05647 , H01L2224/45139 , H01L2224/45147 , H01L2224/4807 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/48847 , H01L2224/85205 , H01L2924/00011 , H01L2924/01006 , H01L2924/01007 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01018 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01031 , H01L2924/01032 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/04953 , H01L2924/05042 , H01L2924/10329 , H01L2924/19043 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/01049

摘要： 一种焊盘(100)，通过首先在一个焊盘区域中提供铜(18)与氧化硅功能部件(14)的平整化组合而形成。氧化硅功能部件(14)经过蚀刻处理，来在焊盘区域上的铜中形成多个凹槽(15)。在所述铜上和所述凹槽中的氧化硅功能部件上形成一个腐蚀阻隔层(22)。通过直接将探针贴附到所述铜上来对晶片(10)进行探测。一个丝焊部(24)被直接固附在铜(18)上。由于凹陷功能部件(15)的存在，防止了探针(80)完全刺穿铜(18)。利用所述铜中的凹槽(15)，丝焊部(24)更易于破坏和刺穿腐蚀阻隔层，并且不太易于在焊盘(100)上滑动。

8.

发明公开
半导体器件及其制造方法无效

公开(公告)号：CN1652330A

公开(公告)日：2005-08-10

申请号：CN200510002850.6

申请日：2003-01-22

申请人： 株式会社东芝

发明人： 饭岛匡

IPC分类号： H01L23/532 , H01L23/31 , H01L21/768

CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/02126 , H01L21/3124 , H01L23/5329 , H01L23/53295 , H01L24/03 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05006 , H01L2224/05093 , H01L2224/05546 , H01L2224/05554 , H01L2224/05556 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01039 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01082 , H01L2924/05042 , H01L2924/14 , H01L2924/19043 , H01L2924/30105 , H01L2224/05552

摘要： 本发明公开了一种制造半导体器件的方法，包括：在第一和第二区域中层积多个绝缘膜，每个该绝缘膜的相对介电常数最大为3.0，所述第一和第二区域在衬底上形成并且在与衬底的主表面平行的方向上彼此相邻；除去该多个绝缘膜中位于第二区域的那些部分，从而在该多个绝缘膜中制成孔；在该孔中形成相对介电常数大于3.0的绝缘膜；以及在该相对介电常数大于3.0的绝缘膜上形成焊接区；其中，该形成焊接区的步骤包含形成连接部分，所述连接部分延伸跨过第一和第二区域之间的边界并且将焊接区电气连接到该第一部分中形成的导电部分，连接部分的图案具有比焊接区的图案小的宽度。