公开(公告)号：CN107689398A

公开(公告)日：2018-02-13

申请号：CN201710485975.1

申请日：2017-06-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲诚 ,  林志翰 ,  曾鸿辉

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/7851 ,  H01L21/28008 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/535 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明的实施例公开了一种用于制造半导体器件(例如，鳍式场效应晶体管)的代表性方法，该方法包括以下步骤：形成具有第一横向宽度的栅极结构，并且在栅极结构上方形成第一通孔开口。第一通孔开口具有暴露栅极结构的最上表面的最下部。第一通孔开口的最下部具有第二横向宽度。第二横向宽度与第一横向宽度的比率小于约1.1。邻近栅极结构横向设置源极/漏极(S/D)区。接触部件设置在S/D区上方。第二通孔开口延伸至并暴露接触部件的最上表面。第二通孔开口的最下部设置在栅极结构的最顶部之上。本发明的实施例还公开了一种半导体器件。

公开(公告)号：CN106941118A

公开(公告)日：2017-07-11

申请号：CN201610059555.2

申请日：2016-01-28

Applicant: 联华电子股份有限公司

Inventor： 林建廷

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/764

CPC classification number: H04N5/23238 ,  G02B26/101 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/283 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H04N5/2254 ,  H04N5/2259 ,  H04N5/23254 ,  H04N5/23258 ,  H04N5/23287 ,  H01L29/78 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7825

Abstract: 本发明公开一种半导体结构及其制造方法。此种半导体结构包括一基板、一栅极结构、一第一介电层、以及二气隙。栅极结构设置在基板上。栅极结构具有相对的二侧壁。栅极结构包括一U形结构和一金属栅极电极。U形结构定义朝向上方的一开口。U形结构包括一功函数层。金属栅极电极设置在U形结构所定义的开口中。U形结构的一上表面的水平高度低于金属栅极电极的一上表面的水平高度。第一介电层设置在基板上并邻接于栅极结构。该二气隙分别形成在第一介电层和栅极结构相对的二侧壁的其中一者之间。

公开(公告)号：CN106910768A

公开(公告)日：2017-06-30

申请号：CN201611103068.8

申请日：2016-12-05

Applicant: IMEC 非营利协会

Inventor： M·A·普尔加德里 ,  A·阿莲

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/739 ,  B82Y40/00

CPC classification number: H01L29/7831 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/512 ,  H01L29/7391 ,  B82Y40/00 ,  H01L29/0665 ,  H01L29/42312

Abstract: 公开了一种隧道场效应晶体管(TFET)，其包括半导体材料的源极‑沟道‑漏极结构。该源极‑沟道‑漏极结构包括n型或p型掺杂的源极区，与该源极区相反掺杂的漏极区和位于该源极区和该漏极区之间的固有或低掺杂的沟道区。该TFET进一步包括覆盖该沟道区的参考栅极结构，以及在该参考栅极结构旁的源极侧栅极结构，其中该源极侧栅极结构的功函和/或静电电位，以及该参考栅极结构的参考功函和/或静电电位被选择用于允许操作中的TFET器件的隧穿机制在该沟道区中在该源极侧栅极结构和该参考栅极结构之间的界面或界面区处发生。

公开(公告)号：CN101681841B

公开(公告)日：2011-09-07

申请号：CN200880016037.6

申请日：2008-06-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4991 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  Y10S438/926

Abstract: 本发明提供一种高k栅极介质/金属栅极MOSFET，其具有减少的寄生电容。所述新颖结构包括至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)100，其位于半导体衬底12的表面上。所述至少一个MOSFET 100包括栅极叠层，其从底部至顶部包括高k栅极介质28及含金属的栅极导体30。所述含金属的栅极导体30具有栅极拐角31，其位于含金属的栅极导体的基段处。此外，除了在栅极拐角31处之外，含金属的栅极导体30的垂直侧壁102A及102B不具有高k栅极介质28。栅极介质18横向邻接位于栅极拐角31处的高k栅极介质28，而栅极间隔物36横向邻接含金属的栅极导体30。栅极间隔物36位于栅极介质18和栅极拐角31处的高k栅极介质两者的上表面上。

公开(公告)号：CN101681841A

公开(公告)日：2010-03-24

申请号：CN200880016037.6

申请日：2008-06-04

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 程慷果

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L29/4991 ,  H01L21/28194 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66583 ,  Y10S438/926

Abstract: 本发明提供一种高k栅极介质/金属栅极MOSFET，其具有减少的寄生电容。所述新颖结构包括至少一个金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)100，其位于半导体衬底12的表面上。所述至少一个MOSFET 100包括栅极叠层，其从底部至顶部包括高k栅极介质28及含金属的栅极导体30。所述含金属的栅极导体30具有栅极拐角31，其位于含金属的栅极导体的基段处。此外，除了在栅极拐角31处之外，含金属的栅极导体30的垂直侧壁102A及102B不具有高k栅极介质28。栅极介质18横向邻接位于栅极拐角31处的高k栅极介质28，而栅极间隔物36横向邻接含金属的栅极导体30。栅极间隔物36位于栅极介质18和栅极拐角31处的高k栅极介质两者的上表面上。

公开(公告)号：CN1302546C

公开(公告)日：2007-02-28

申请号：CN03127771.3

申请日：2003-08-12

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： 劳伦斯·A·克莱温格尔 ,  乔治·C.·冯 ,  杰姆斯·M·E·哈普尔 ,  路易斯·L·苏

IPC: H01L23/52 ,  H01L29/78 ,  H01L21/768 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/4991 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/6659

Abstract: 适合于一种集成电路晶体管结构的方法和结构，其包括具有第一导电材料和第二材料的栅极导体。本发明有一个邻近所述栅极导体的不可变形的衬垫，并且在所述栅极导体和所述衬垫之间有一个间隙。所述第一导电材料可以是多晶硅，且所述第二材料可以是一种金属或者一种聚合物。所述第二材料作为所述间隙的填充物。在本发明中，所述间隙保存环境气体并且降低了所述栅极导体的电阻。

公开(公告)号：CN108461399A

公开(公告)日：2018-08-28

申请号：CN201810140222.1

申请日：2018-02-11

Applicant: 爱思开海力士有限公司

Inventor： 吴东妍

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H03K3/03

CPC classification number: H01L29/6653 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/6656

Abstract: 在制造晶体管的方法中，可以在半导体衬底上形成栅极结构。可以在栅极结构上形成第一材料层以使栅极结构的上侧壁暴露。可以在栅极结构的上侧壁上形成包括第二材料的间隔物。可以使用间隔物作为刻蚀掩模来各向同性地刻蚀第一材料层以形成间隔。可以在半导体衬底之上形成绝缘夹层。绝缘夹层可以不形成在间隔中。

公开(公告)号：CN106847812A

公开(公告)日：2017-06-13

申请号：CN201610884035.5

申请日：2016-10-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 卓容奭 ,  朴起宽 ,  李泰宗 ,  具本荣 ,  朴起演 ,  崔成贤

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/4991 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66439 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78696 ,  H01L27/0886 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481

Abstract: 本公开提供了集成电路器件。一种集成电路器件包括：鳍型有源区域，从基板突出并具有在第一水平面处的上表面；纳米片，平行于鳍型有源区域的上表面延伸并包括沟道区域，纳米片位于与鳍型有源区域的上表面间隔开的第二水平面处；栅极，设置在鳍型有源区域上并围绕纳米片的至少一部分，栅极在交叉鳍型有源区域的方向上延伸；栅极介电层，设置在纳米片和栅极之间；源极和漏极区域，形成在鳍型有源区域上并连接到纳米片的一端；第一绝缘间隔物，在纳米片上，第一绝缘间隔物覆盖栅极的侧壁；以及第二绝缘间隔物，设置在栅极与源极和漏极区域之间且在鳍型有源区域的上表面和纳米片之间的空间中，第二绝缘间隔物具有多层结构。

公开(公告)号：CN105529297A

公开(公告)日：2016-04-27

申请号：CN201510680634.0

申请日：2015-10-19

Applicant: 朗姆研究公司

Inventor： 保罗·雷蒙德·贝塞尔 ,  巴特·范·斯拉文迪克 ,  木村良枝 ,  格拉尔多·A·德尔加迪尼奥 ,  哈拉尔德·奥科伦-施密特 ,  杨邓良

IPC: H01L21/764 ,  H01L29/06 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/4991 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785 ,  H01L21/764 ,  H01L29/0603 ,  H01L29/0684

Abstract: 本发明涉及用于改进的FIN器件性能的气隙间隔件集成。一种用于提供气隙间隔件给鳍式场效晶体管器件的方法，其包括：提供包括多个鳍片和布置成横向于所述多个鳍片的虚设栅极的衬底；在所述虚设栅极的周围沉积牺牲间隔件；在所述牺牲间隔件的周围沉积第一层间电介质(ILD)层；相对于所述第一ILD层和所述牺牲间隔件选择性地蚀刻所述虚设栅极；沉积替代金属栅极(RMG)；蚀刻所述RMG的一部分，以创建被所述牺牲间隔件包围的凹部；以及在所述凹部中沉积栅极覆盖层。所述栅极覆盖层至少部分地由所述牺牲间隔件包围，并由碳氧化硅(SiOC)制成。

公开(公告)号：CN1291496C

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN01812925.0

申请日：2001-07-09

Applicant: 因芬尼昂技术股份公司

Inventor： 托马斯·莫乐 ,  尼尔斯·阿福·依肯司坦 ,  真·乔汉森 ,  提摩西·八拉 ,  盖瑞·罗皮斯 ,  迈克尔·比德尼

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/0847 ,  H01L21/26586 ,  H01L27/088 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1041 ,  H01L29/1045 ,  H01L29/4175 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/49 ,  H01L29/4983 ,  H01L29/4991 ,  H01L29/7835

Abstract: 一种包含多个并联连接晶体管区段的功率金属氧化物半导体场效晶体管的线性和/或效率，是通过至少一组该晶体管区段所具有跟其余晶体管区段不同的临限电压而有所改善。