公开(公告)号：CN105140129A

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201510607086.9

申请日：2015-09-22

申请人： 上海华虹宏力半导体制造有限公司

发明人： 杨文清 ,  乐薇

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/06

CPC分类号： H01L29/7826 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/66681

摘要： 本发明公开了一种LDMOS器件埋层的工艺方法，包含：第1步，在硅衬底上，使用光刻胶定义出N型埋层区，并且在N型埋层区的外围，定义出一个或者多个包围所述N型埋层区的N型环形埋层区；第2步，进行N型埋层的注入，杂质通过光刻打开的N型埋层区窗口以及N型环形埋层区窗口进入衬底中，形成N型埋层区和N型环形埋层区；第3步，进行高温推进；第4步，进行P型杂质离子的普注，形成P型埋层。本发明不增加光刻层数，依然采用P型埋层普注的方式，调节N型埋层边缘处的浓度，提高器件的击穿电压。

公开(公告)号：CN106158804A

公开(公告)日：2016-11-23

申请号：CN201510154626.2

申请日：2015-04-02

申请人： 台达电子工业股份有限公司

发明人： 蔡超峰 ,  曾剑鸿 ,  李锃

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L29/7826 ,  H01L23/50 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/19104

摘要： 本发明公开了一种半导体封装结构及其半导体功率器件。半导体封装结构包含芯片、第一引脚、第二引脚及第三引脚。上述芯片还包含第一功率开关及第二功率开关。第一引脚和第二引脚均配置于芯片的第一表面上，且第一引脚与第二引脚彼此不接触。第三引脚配置于芯片的第二表面上。芯片的第一功率开关的第一端耦接于第一引脚，芯片的第一功率开关的第二端耦接于第三引脚。芯片的第二功率开关的第一端耦接于第三引脚，芯片的第二功率开关的第二端耦接于第二引脚。相比于现有技术，本发明将桥臂上下管于芯片内部集成，因此不需外部互连的线路，同时将桥臂上下管于半导体功率器件内所占用的尺寸最小化，而能最大程度地削弱寄生电感和寄生电阻的影响。

公开(公告)号：CN104299993A

公开(公告)日：2015-01-21

申请号：CN201410163397.6

申请日：2014-04-22

申请人： 成都芯源系统有限公司

发明人： 约瑟夫俄依恩扎

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L29/7826 ,  H01L29/78 ,  H01L29/0603

摘要： 本发明公开了一种高压场效应晶体管器件。所述高压场效应晶体管器件包括：衬底、外延层、源极区、漏极区、漂移区、源极接触区、漏极接触区、源极电极、漏极电极和螺旋多晶硅结构，其中所述螺旋多晶硅结构具有最里端和最外端，其最里端耦接至漏极电极，其最外端耦接至参考地。所述高压场效应晶体管器件能通过更小的整体芯片面积提供准确的漏极电压信息。

公开(公告)号：CN104299993B

公开(公告)日：2017-07-18

申请号：CN201410163397.6

申请日：2014-04-22

申请人： 成都芯源系统有限公司

发明人： 约瑟夫俄依恩扎

IPC分类号： H01L29/772 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L27/0629 ,  H01L29/7826

摘要： 本申请公开了一种高压场效应晶体管器件。所述高压场效应晶体管器件包括：衬底、外延层、源极区、漏极区、漂移区、源极接触区、漏极接触区、源极电极、漏极电极和螺旋多晶硅结构，其中所述螺旋多晶硅结构具有最里端和最外端，其最里端耦接至漏极电极，其最外端耦接至参考地。所述高压场效应晶体管器件能通过更小的整体芯片面积提供准确的漏极电压信息。

公开(公告)号：CN100505305C

公开(公告)日：2009-06-24

申请号：CN03811571.9

申请日：2003-05-20

申请人： NXP股份有限公司

发明人： J·佩特鲁泽尔洛 ,  B·杜福特 ,  T·J·勒塔韦

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/41 ,  H02H9/04 ,  G01R19/04 ,  G01R19/12

CPC分类号： H01L29/404 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7826

摘要： 本发明提供了一种SOI-LDMOS型半导体器件，其中将场板划分为多个电隔离的子场板。其中至少两个划分的子场板连接到外部电路以读出其各自的输出电压。通过连接具有特定元件的第一外部电路和第二外部电路，将一个电路构造为用来确定瞬时输出电压，而将另一个电路构造为用来确定输出电压作为时间函数的变化。如果瞬时输出电压或者电压对时间的导数超过所设定的值，则将半导体器件与电源断开。

公开(公告)号：CN106158804B

公开(公告)日：2018-11-16

申请号：CN201510154626.2

申请日：2015-04-02

申请人： 台达电子工业股份有限公司

发明人： 蔡超峰 ,  曾剑鸿 ,  李锃

IPC分类号： H01L23/49

CPC分类号： H01L29/7826 ,  H01L23/50 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/19104

摘要： 本发明公开了一种半导体封装结构及其半导体功率器件。半导体封装结构包含芯片、第一引脚、第二引脚及第三引脚。上述芯片还包含第一功率开关及第二功率开关。第一引脚和第二引脚均配置于芯片的第一表面上，且第一引脚与第二引脚彼此不接触。第三引脚配置于芯片的第二表面上。芯片的第一功率开关的第一端耦接于第一引脚，芯片的第一功率开关的第二端耦接于第三引脚。芯片的第二功率开关的第一端耦接于第三引脚，芯片的第二功率开关的第二端耦接于第二引脚。相比于现有技术，本发明将桥臂上下管于芯片内部集成，因此不需外部互连的线路，同时将桥臂上下管于半导体功率器件内所占用的尺寸最小化，而能最大程度地削弱寄生电感和寄生电阻的影响。

公开(公告)号：CN102769037B

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201110178814.0

申请日：2011-06-29

申请人： 汉磊科技股份有限公司

发明人： 李宗晔 ,  吴沛勋 ,  黄湘文

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41

CPC分类号： H01L29/7817 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7826

摘要： 一种减少表面电场的结构及横向扩散金氧半导体元件。此种减少表面电场的结构包括具有第一导电型的一基底、具有第二导电型的一深井区、一隔离结构、至少一沟渠绝缘结构及具有第一导电型的至少一掺杂区。深井区位于基底中。隔离结构位于基底上。沟渠绝缘结构位于隔离结构下方的深井区中。掺杂区位于深井区中且环绕沟渠绝缘结构的侧壁及底面。

公开(公告)号：CN102769037A

公开(公告)日：2012-11-07

申请号：CN201110178814.0

申请日：2011-06-29

申请人： 汉磊科技股份有限公司

发明人： 李宗晔 ,  吴沛勋 ,  黄湘文

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L29/41

CPC分类号： H01L29/7817 ,  H01L21/26586 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/42368 ,  H01L29/66681 ,  H01L29/7816 ,  H01L29/7826

摘要： 一种减少表面电场的结构及横向扩散金氧半导体元件。此种减少表面电场的结构包括具有第一导电型的一基底、具有第二导电型的一深井区、一隔离结构、至少一沟渠绝缘结构及具有第一导电型的至少一掺杂区。深井区位于基底中。隔离结构位于基底上。沟渠绝缘结构位于隔离结构下方的深井区中。掺杂区位于深井区中且环绕沟渠绝缘结构的侧壁及底面。

公开(公告)号：CN106531798A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610055074.4

申请日：2016-01-27

申请人： 株式会社东芝

发明人： 仲敏行

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L29/2003 ,  H01L29/7786 ,  H03K17/145 ,  H03K2217/0018 ,  H01L29/7817 ,  H01L29/7826

摘要： 本发明涉及半导体装置、驱动控制装置及驱动控制方法。实施方式的半导体装置具备场效晶体管、开关、及控制部。场效晶体管具有衬底、设置在衬底之上的氮化物半导体层、设置在氮化物半导体层之上的漏极电极及源极电极、以及隔在漏极电极与源极电极之间的栅极电极。开关能够将衬底的电位切换为多个电位。控制部根据漏极电极的输入而以成为多个电位中的任一电位的方式控制开关。

公开(公告)号：CN105723518A

公开(公告)日：2016-06-29

申请号：CN201480061640.1

申请日：2014-10-22

申请人： 日立汽车系统株式会社

发明人： 和田真一郎

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/76 ,  H01L29/06 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC分类号： H01L29/7826 ,  H01L21/76 ,  H01L27/1203 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/086 ,  H01L29/0869 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/0886 ,  H01L29/1083 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/402 ,  H01L29/7819 ,  H01L29/7824 ,  H01L29/7835 ,  H01L29/78624 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

摘要： 提供在栅极宽度方向上器件的端部和中央部上的通态电阻或漏极电流密度均匀的高耐压横向半导体器件。在形成于SOI衬底上的横向N型MOS晶体管(11)的端部形成有由绝缘膜填充的沟槽隔离(10b)。隔着沟槽隔离(10b)与晶体管的P型体区(1)相邻地设置有二极管12的阳极区(6)，并且，隔着沟槽隔离(10b)与晶体管的N型漏极漂移区(4)相邻地设置有二极管(12)的阴极区(15)，使得在对晶体管施加电压时施加到沟槽隔离(10b)的电场为0。