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公开(公告)号：CN105206692A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510337330.4
申请日：2015-06-17
申请人： 住友电气工业株式会社
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/102 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/035236 , H01L31/02161 , H01L31/03046 , H01L31/101 , Y02E10/544 , H01L31/035263 , H01L31/102 , H01L31/1844
摘要： 本发明涉及一种半导体器件。作为该半导体器件的红外光电二极管包括衬底、由GaSb形成的缓冲层和包括多量子阱结构的吸收层。该多量子阱结构包括单元结构的堆叠，每个单元结构都包括多个组分层。单元结构中的每一个包括：由InAs1-aSba形成的第一组分层，其中比率a为0或更大且0.05或更小；由GaSb形成的第二组分层；和由InSbxAs1-x形成的第三组分层，其中比率x为大于0且小于1。第三组分层被设置成与第二组分层的一个主表面接触。第二组分层的另一个主表面与单元结构内的第一组分层接触。第三组分层具有0.1nm或更大且0.9nm或更小的厚度。
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公开(公告)号：CN106960887A
公开(公告)日：2017-07-18
申请号：CN201710301067.2
申请日：2017-05-02
申请人： 常熟理工学院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/032 , H01L31/105 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/105 , H01L31/032 , H01L31/035263 , H01L31/18 , H01L31/1848 , H01L31/1852
摘要： 本发明公开了一种铝镓氮基日盲紫外探测器，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、AlN成核层、Alx1Ga1‑x1N缓冲层、n型Alx2Ga1‑x2N层、非掺杂i型Zny1Mg1‑y1O吸收层、n型ZnO/Zny2Mg1‑y2O超晶格分离层、非掺杂i型Zny3Mg1‑y3O倍增层、p型Alx3Ga1‑x3N层、p型GaN层，在n型Alx2Ga1‑x2N层上引出的n型欧姆电极，在p型GaN层上引出的p型欧姆电极。本发明还公开了铝镓氮基日盲紫外探测器的制备方法。该铝镓氮基日盲紫外探测器可提高日盲紫外探测器雪崩倍增因子与探测器的响应度。
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公开(公告)号：CN103500766A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310494669.6
申请日：2013-10-19
申请人： 山东大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/0304 , H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/035263 , H01L31/03044 , H01L31/03048 , H01L31/101 , H01L31/1848 , H01L31/1856
摘要： 本发明提供一种宽频带长波响应的GaAs/AlxGa1-xAs量子阱红外探测器，包括由下而上顺次设置的GaAs衬底、GaAs底接触层，所述的GaAs底接触层包括凸起的台形结构，在所述台形结构上顺次设置有多量子阱层MQW、GaAs顶接触层和上电极，在所述所述的GaAs底接触层上还设置有下电极；所述的多量子阱层MQW为周期交替生长的AlxGa1-xAs层和GaAs层；所述的红外探测器根据超晶格量子阱结构中的电子干涉理论，通过对于超晶格结构参数的精细设计，在势垒顶以上引入几个分立的微带，在外电场作用下，光电子跃迁形成相应的几个光电流峰彼此相互交叠，从而使光谱带宽增大。
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公开(公告)号：CN106601839A
公开(公告)日：2017-04-26
申请号：CN201611153882.0
申请日：2016-12-14
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L21/02
CPC分类号： H01L31/035263 , H01L21/02392 , H01L21/02463 , H01L21/02507 , H01L21/02546
摘要： 本发明涉及一种啁啾数字递变结构的低缺陷异变缓冲层，所述缓冲层包含N个层厚相同的周期性过渡层，每个周期内均包含A、B两层材料，且A、B材料的厚度比从N:1依次递变到1:N。本发明利用啁啾数字递变的周期性界面对位错缺陷传递的阻挡效应，实现异变缓冲层表面附近缺陷密度的显著降低，材料结晶质量显著提高，且具有可同时实现晶格和能带双过渡的功能；有望广泛应用于提升Si、GaAs、InP、GaSb等衬底上的异质失配结构激光器、探测器的器件性能。
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公开(公告)号：CN105789364A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610351898.6
申请日：2016-05-25
申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
IPC分类号： H01L31/101 , H01L31/11 , H01L31/0352
CPC分类号： H01L31/101 , H01L31/0352 , H01L31/035236 , H01L31/035263 , H01L31/11
摘要： 本发明公开了一种无铝型II类超晶格双势垒长波红外探测器，其具体结构为GaSb衬底向上依次为超晶格长波N型接触层、超晶格空穴势垒层、超晶格长波吸收区、超晶格中波电子势垒层和超晶格长波P型接触层，上电极TiPtAu位于超晶格长波N型接触层上，下电极TiPtAu位于超晶格长波P型接触层上。本发明公开的结构利用无铝型双势垒的设计和引入获得暗电流小、探测率高，信噪比大的长波超晶格红外探测器。
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公开(公告)号：CN105206690A
公开(公告)日：2015-12-30
申请号：CN201510312947.0
申请日：2015-06-09
申请人： SK新技术株式会社
IPC分类号： H01L31/0296 , H01L31/0352 , H01L31/06 , H01L31/18 , B82Y30/00 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L31/0322 , H01L31/0749 , H01L31/1836 , Y02E10/541 , H01L31/035263 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L31/02963 , H01L31/06 , H01L31/18
摘要： 本发明提供了一种太阳能电池及其制造方法。太阳能电池包括：基底；形成在基底上的背电极层；形成在背电极层上的光吸收层；包括通过原子层沉积(ALD)形成在光吸收层上的无氧的第一缓冲层和通过原子层沉积(ALD)形成在第一缓冲层上的第二缓冲层的缓冲层；以及形成在缓冲层上的前电极层。
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公开(公告)号：CN103443930A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201280014208.8
申请日：2012-03-22
申请人： 韩国标准科学研究院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/34 , H01L31/0368
CPC分类号： H01L31/035263 , H01L31/022425 , H01L31/035218 , H01L31/03682 , H01L31/182 , H01L33/0054 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/34 , Y02E10/546
摘要： 本发明提供了一种用于太阳能电池或发光二极管的光活性层及其制造方法。光活性层通过交替堆叠硅量子点层和导电层形成，在所述硅量子点层中，在硅化合物的介质中形成包含导电型杂质的多个硅量子点，所述导电层是包含与硅量子点的导电型杂质相同导电型杂质的多晶硅层。
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公开(公告)号：CN107393983A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201710763444.4
申请日：2017-08-30
申请人： 中国工程物理研究院电子工程研究所
IPC分类号： H01L31/0304 , H01L31/0352 , H01L31/109 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/035263 , H01L31/03048 , H01L31/109 , H01L31/1848 , H01L31/1852
摘要： 本发明公开了一种含极化调控层的氮化物量子阱红外探测器及其制备方法，该探测器的结构包括下电极接触层、功能层和上电极接触层，功能层由周期性AlxGa1-xN/AlyGa1-yN/AlzGa1-zN复合异质结构构成，其中0≤x
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公开(公告)号：CN105742387A
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201610112141.1
申请日：2016-02-29
申请人： 清华大学
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L31/105 , H01L31/107 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/107 , H01L31/035263 , H01L31/105 , H01L31/1848
摘要： 本发明提供了一种半导体结构，自下至上依次包括：衬底；缓冲层；n型层；i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层；第一p型层；i型光敏吸收层；以及第二p型层，其中，i型AlGaN渐变组分超晶格倍增层包括沿垂直于衬底表面方向叠置的N个周期结构1041～104N，N是大于等于1的整数，每个周期结构包括一个组分渐变层，组分渐变层的最下部的材料为AlyGa1?yN，最上部的材料为AlzGa1?zN，其中0≤z＜y≤1，组分渐变层内任意位置的材料表示为AlcGa1?cN，随该位置到组分渐变层下表面的垂直距离d从0增加至该组分渐变层的厚度D，c从y渐变至z。本发明还提供了该半导体结构的制造方法。
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公开(公告)号：CN103443930B
公开(公告)日：2015-12-02
申请号：CN201280014208.8
申请日：2012-03-22
申请人： 韩国标准科学研究院
IPC分类号： H01L31/0352 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/34 , H01L31/0368
CPC分类号： H01L31/035263 , H01L31/022425 , H01L31/035218 , H01L31/03682 , H01L31/182 , H01L33/0054 , H01L33/06 , H01L33/08 , H01L33/34 , Y02E10/546
摘要： 本发明提供了一种用于太阳能电池或发光二极管的光活性层及其制造方法。光活性层通过交替堆叠硅量子点层和导电层形成，在所述硅量子点层中，在硅化合物的介质中形成包含导电型杂质的多个硅量子点，所述导电层是包含与硅量子点的导电型杂质相同导电型杂质的多晶硅层。
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