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公开(公告)号：CN104283093B
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201410294473.7
申请日：2014-06-26
IPC分类号： H01S3/063
CPC分类号： H01S5/2077 , G02B6/12004 , G02B6/1228 , G02B2006/12078 , G02B2006/12121 , H01S5/0203 , H01S5/021 , H01S5/02236 , H01S5/026 , H01S5/042 , H01S5/2027 , H01S5/2214 , H01S5/2218 , H01S5/2272 , H01S5/3013 , H01S2301/176
摘要： 本申请涉及混合波导激光器和用于制造混合波导激光器的方法。提供了亚微米III‑V波导激光器，该激光器包括：宽度范围在50nm和800nm之间且高度范围在500nm和1200nm之间的沟道波导；邻近该波导横向各侧的横向包层；以及用于把光限制在波导内的光限制元件。该波导可包括III‑V叠层，其包括：下包层、有源区和上包层。激光器可光耦合至输出波导。它可被电泵浦。提供了用于把亚微米III‑V波导激光器集成在硅光子平台上的方法，该方法包括：在硅衬底上提供电绝缘层，通过该电绝缘层来蚀刻宽度范围在50nm和800nm之间的沟槽，通过局部外延生长在沟槽内提供III‑V叠层以形成沟道波导，并提供光限制元件以便把光限制在沟道波导内。
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公开(公告)号：CN104136907B
公开(公告)日：2017-03-08
申请号：CN201280060623.7
申请日：2012-12-07
IPC分类号： G01N15/14
CPC分类号： G06T7/0012 , G01N15/1434 , G01N15/1436 , G01N15/1463 , G01N15/147 , G01N15/1475 , G01N15/1484 , G01N2015/1445 , G01N2015/149 , G03H1/0443 , G03H1/22 , G03H2001/0033 , G03H2001/005 , G03H2001/0447 , G03H2222/33 , G03H2226/13 , G06K9/46 , G06K9/6267 , G06T7/20 , G06T2207/30004
摘要： 别标记。所述处理单元(7)还适于响应于该表征描述了一种用于分选浸入流动介质中的对 来控制微流体开关(5)。象的设备(1)。所述设备包括具有多个全息成像元件(2)的全息成像单元；流体处理单元，所述流体处理单元包括用于沿对应全息成像元件(2)传导流动介质的多个微流体通道(3)，并且包括被安排在微流体通道中的成像区域下游用于可控地将流动介质中的每个对象引导到多个出口(6)中的所选一个出口的微流体开关(5)。所述设备还包括处理单元(7)，所述处理单元(7)适于对为
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公开(公告)号：CN104733327A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201410778317.8
申请日：2014-12-15
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L23/3157 , H01L23/3192 , H01L23/528 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/33 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/0213 , H01L2224/0214 , H01L2224/02145 , H01L2224/0217 , H01L2224/02175 , H01L2224/0218 , H01L2224/02185 , H01L2224/0224 , H01L2224/0225 , H01L2224/02255 , H01L2224/0401 , H01L2224/05647 , H01L2224/08145 , H01L2224/08225 , H01L2224/0903 , H01L2224/10135 , H01L2224/10145 , H01L2224/10165 , H01L2224/10175 , H01L2224/13147 , H01L2224/16145 , H01L2224/16147 , H01L2224/16148 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/16237 , H01L2224/1703 , H01L2224/80004 , H01L2224/80007 , H01L2224/80121 , H01L2224/8013 , H01L2224/80132 , H01L2224/80143 , H01L2224/80203 , H01L2224/80894 , H01L2224/80907 , H01L2224/81002 , H01L2224/81007 , H01L2224/81121 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81141 , H01L2224/81143 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81815 , H01L2224/81894 , H01L2224/81907 , H01L2224/83143 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06593 , H01L2924/14 , H01L2924/3511 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及用于对准微电子组件的方法。根据本发明，第一微电子组件到第二微电子组件的接收表面的对准通过由毛细作用力产生的自对准，结合静电对准，来实现。后者通过沿对应组件的周边提供至少一个第一电导线以及沿第二组件的接收表面上的要放置所述组件的位置的周边提供至少一个第二电导体来实现。由导线围绕的接触区覆盖有润湿层。电导线可被嵌入在沿所述周边行进以创建可润湿能力对比的抗湿材料带中。可润湿能力对比在维持接触区之间的一滴对准液体方面是可操纵的，以通过毛细作用力来获得自对准。通过对导线施加适当的电荷，实现了静电自对准，它改进了通过毛细作用力获得的对准并在液体的蒸发期间维持所述对准。
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公开(公告)号：CN102047160B
公开(公告)日：2014-11-19
申请号：CN200980118444.2
申请日：2009-05-19
摘要： 本发明涉及一种能在第一耦合方向上与光学元件(300)在操作上耦合的集成光子器件(100)。集成光子器件(100)包括集成光子波导(120)和适于将来自波导(120)的光衍射到与第一耦合方向不同的第二耦合方向上的光栅耦合器(130)。集成光子器件还包括设置在光栅耦合器(130)附近并适于将在第二耦合方向上来自光栅耦合器(130)的光折射到第一耦合方向的折射元件(110)。
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公开(公告)号：CN104136907A
公开(公告)日：2014-11-05
申请号：CN201280060623.7
申请日：2012-12-07
IPC分类号： G01N15/14
CPC分类号： G06T7/0012 , G01N15/1434 , G01N15/1436 , G01N15/1463 , G01N15/147 , G01N15/1475 , G01N15/1484 , G01N2015/1445 , G01N2015/149 , G03H1/0443 , G03H1/22 , G03H2001/0033 , G03H2001/005 , G03H2001/0447 , G03H2222/33 , G03H2226/13 , G06K9/46 , G06K9/6267 , G06T7/20 , G06T2207/30004
摘要： 描述了一种用于分选浸入流动介质中的对象的设备(1)。所述设备包括具有多个全息成像元件(2)的全息成像单元；流体处理单元，所述流体处理单元包括用于沿对应全息成像元件(2)传导流动介质的多个微流体通道(3)，并且包括被安排在微流体通道中的成像区域下游用于可控地将流动介质中的每个对象引导到多个出口(6)中的所选一个出口的微流体开关(5)。所述设备还包括处理单元(7)，所述处理单元(7)适于对为所述对象中的每一者而获取的全息衍射图像进行实时表征，由此考虑至少一个预定对象类型识别标记。所述处理单元(7)还适于响应于该表征来控制微流体开关(5)。
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公开(公告)号：CN102449190B
公开(公告)日：2014-08-27
申请号：CN200980159573.6
申请日：2009-10-13
申请人： IMEC公司 , 应用科学研究TNO荷兰组织 , 卢万天主教大学
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/52 , C23C16/545
摘要： 一种用于在连续式沉积系统中在基板上形成有机材料层的方法，其中用预定的非恒定的沉积率分布来沉积有机材料，所述分布包括第一预定沉积率范围以及第二预定沉积率范围，第一预定沉积率范围被设置成用第一预定平均沉积率来沉积有机材料层的至少第一单层，第二预定沉积率范围被设置成用第二预定平均沉积率来沉积有机材料层的至少第二单层。通过注入器的开口注入有机材料的过程被控制，以实现预定沉积率分布。
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公开(公告)号：CN103871916A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201310689036.0
申请日：2013-12-16
申请人： IMEC公司
IPC分类号： H01L21/603
CPC分类号： H01L24/83 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0401 , H01L2224/05568 , H01L2224/05624 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/11009 , H01L2224/11845 , H01L2224/13009 , H01L2224/13023 , H01L2224/13147 , H01L2224/16146 , H01L2224/16148 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81002 , H01L2224/81012 , H01L2224/81047 , H01L2224/81191 , H01L2224/81193 , H01L2224/81203 , H01L2224/8121 , H01L2224/8183 , H01L2224/81948 , H01L2224/81986 , H01L2224/83047 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/83862 , H01L2224/9221 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/81 , H01L2224/83 , H01L2224/05552
摘要： 本发明涉及半导体衬底的接合方法以及由此得到的器件。根据本发明，提供一种使用低温热压的将第一半导体衬底（1）接合到第二半导体衬底（2）的方法。该接合方法包括在热压接合步骤前，原位地机械摩擦金属接触结构表面（3），从而平坦化并去除金属接触结构表面（3）上的氧化物和/或污染物。在热压接合步骤之后是热退火步骤，用于创建所述第一半导体衬底（1）和第二半导体衬底（2）的金属接触结构3之间的界面扩散。
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公开(公告)号：CN102449190A
公开(公告)日：2012-05-09
申请号：CN200980159573.6
申请日：2009-10-13
申请人： IMEC公司 , 应用科学研究TNO荷兰组织 , 卢万天主教大学
IPC分类号： C23C16/52 , C23C16/54 , C23C16/455
CPC分类号： C23C16/45565 , C23C16/52 , C23C16/545
摘要： 一种用于在连续式沉积系统中在基板上形成有机材料层的方法，其中用预定的非恒定的沉积率分布来沉积有机材料，所述分布包括第一预定沉积率范围以及第二预定沉积率范围，第一预定沉积率范围被设置成用第一预定平均沉积率来沉积有机材料层的至少第一单层，第二预定沉积率范围被设置成用第二预定平均沉积率来沉积有机材料层的至少第二单层。通过注入器的开口注入有机材料的过程被控制，以实现预定沉积率分布。
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公开(公告)号：CN101889349A
公开(公告)日：2010-11-17
申请号：CN200880119239.3
申请日：2008-12-02
IPC分类号： H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/1804 , H01L31/0224 , H01L31/022425 , H01L31/022441 , H01L31/02245 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 一种光生伏打器件，其包括半导体基片，所述基片包括接受辐射的前表面以及后表面，一种导电类型的第一区(29)，以及与前表面相邻的具有相反导电类型的第二区(20)，以及减反射层(27)。后表面被介电层(39)覆盖，所述介电层还覆盖所述通孔的内表面。所述前表面包括收集电流的导电接触件(23)，所述后表面包括穿过所述电介质的导电接触件(31)。在通孔中提供了导电路径，用来传导来自前表面的光生电流。由于各处有电介质，无需对准和掩蔽，而且该电介质还用来绝缘，为半导体提供热保护，以及帮助表面和整体钝化。还避免了将结区设置在通孔附近的需求，因此减少了不希望出现的复合电流。
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公开(公告)号：CN1645568A
公开(公告)日：2005-07-27
申请号：CN200410102337.X
申请日：2004-10-15
申请人： IMEC公司 , 康宁克里克菲利浦电子股份有限公司
发明人： R·C·苏尔迪奴
IPC分类号： H01L21/265 , H01L21/22 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/26506 , H01L21/2026 , H01L21/26513 , H01L21/268 , Y10S438/916
摘要： 公开了一种用于形成具有薄层结构和具有良好定义的被激活掺杂剂的层的半导体器件的方法。该方法中，当以第一掺杂剂在第一掺杂浓度注入区之后，半导体衬底中的该区被非晶化。接着为了激活仅位于这一薄层中的第一掺杂剂，在所需厚度的非晶化区的薄层上进行固相外延再生长步骤。然后，在剩余非晶区中以第二掺杂浓度注入第二掺杂剂，由此得到具有第一掺杂剂的薄层的掺杂剂特性与具有第二掺杂剂的区之间的非常陡峭的过渡。
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