マイクロ波洗浄方法及びマイクロ波洗浄装置

    公开(公告)号:JP2017051930A

    公开(公告)日:2017-03-16

    申请号:JP2015179693

    申请日:2015-09-11

    Abstract: 【課題】マイクロ波を使った洗浄効果を高めることのできるマイクロ波洗浄方法及びマイクロ波洗浄装置を提供する。 【解決手段】マイクロ波洗浄装置1は、マイクロ波を発生するマイクロ波発振器50と、導体の洗浄対象物Wが浸漬される洗浄液20を貯留する洗浄槽10と、導体で形成されており洗浄対象物Wを把持するチャック機構30と、マイクロ波発振器50で発生したマイクロ波をチャック機構30に伝送する同軸ケーブル60と、チャック機構30で把持された洗浄対象物Wを洗浄液20から取り出すシリンダ70とを備えている。そして、洗浄槽10に貯留された洗浄液20に洗浄対象物Wを浸漬した後、同軸ケーブル60及びチャック機構30を介して洗浄対象物Wにマイクロ波Mを伝送することにより洗浄液20の液面にマイクロ波Mを印加するとともに、マイクロ波Mを印加しながら洗浄対象物Wを洗浄液20の液面から取り出す。 【選択図】図3

    超音波洗浄装置
    15.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020093217A

    公开(公告)日:2020-06-18

    申请号:JP2018232950

    申请日:2018-12-12

    Abstract: 【課題】比較的に簡素な構造で、設備長を短くすることができ、洗浄力を高めることができる超音波洗浄装置を提供する。 【解決手段】シート状のワークWを洗浄する超音波洗浄装置10は、ワークWを挟むバックローラ31、35と回転ブラシ32、36とを有し、バックローラ31、35と回転ブラシ32、36とに接するワークW上の接触位置P1、P2と、バックローラ31、35の回転中心C1、C2とをそれぞれ結んだ延長線L1、L2上に超音波振動子33、37がそれぞれ配置されていることを特徴とする。 【選択図】図2

    金属箔の加熱方法
    16.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2020059590A

    公开(公告)日:2020-04-16

    申请号:JP2018193146

    申请日:2018-10-12

    Abstract: 【課題】金属箔の幅方向の一方側の弛みを抑えつつ、金属箔を加熱しながら搬送することができる金属箔の加熱方法を提供する。 【解決手段】この加熱方法は、第1ロール12と第2ロール13との間で搬送される金属箔Mの金属を焼鈍しつつ、金属箔Mの幅方向の両端の張力の計測と、金属箔の幅方向の位置の調整と、を行うものであり、張力の計測を行った金属箔Mの一端maの張力をT1、他端mbの張力をT2、金属箔Mの幅をLとしたときに、以下の式1に基づいて、両端ma、mbの張力のうち、高い張力T1が計測された側に金属箔Mの幅方向の位置がΔL分移動するように、金属箔Mの幅方向の前記位置の調整を行う。 ΔL=|T1−T2|/(T1+T2)×L…(式1) 【選択図】図3

    プラズマ化学気相成長装置
    19.
    发明专利
    プラズマ化学気相成長装置 审中-公开
    等离子体化学气相沉积装置

    公开(公告)号:JP2017008389A

    公开(公告)日:2017-01-12

    申请号:JP2015126806

    申请日:2015-06-24

    Abstract: 【課題】直流電圧を被処理物に印加しつつ、マイクロ波を同被処理物に入力することで同被処理物に膜を生成するに際し、マイクロ波の直流電源側への漏えいを抑制することができるプラズマ化学気相成長装置を提供する。 【解決手段】PCVD装置11は、長尺状の第1の導体20と、第1の導体20の外周側に配置されている筒状の第2の導体30と、第1の導体20の外側面20aにマイクロ波を流す高周波出力装置45と、第1の導体20に直流電圧を供給する直流電源46とを備える。第1の導体20における高周波出力装置45との接続部分である第1の接続部23は、第1の導体20における直流電源46との接続部分である第2の接続部24よりも、被処理物Wを支持する支持部21の近くに位置している。そして、第1の導体20における第1の接続部23と第2の接続部24との間には第1のフランジ25が設けられている。 【選択図】図1

    Abstract translation: 待处理施加DC电压给对象A,同时,当通过在对象进入微波进行处理,以被处理的物体产生的膜,抑制微波的直流电源侧的泄漏 提供一种等离子体化学气相沉积装置,该装置可以。 甲PCVD装置11包括第一导体20细长的,并且其被设置在第一导体20的外周侧上的第二导体30的圆柱形,第一导体20的外 它包括一个高频输出装置45流动的微波侧20A,直流电源46供给的DC电压施加到第一导体20。 第一连接部23是在第一导体20的高频输出装置45之间的连接部,比所述第二连接部24设置在第一导体20与直流电源46之间的连接部分,处理过的 它位于支撑部21的附近用于支撑物体W. 然后,在第二连接部24之间设置的第一导体20的第一连接部23具有第一凸缘25。 1点域

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