公开(公告)号：JP2015110505A

公开(公告)日：2015-06-18

申请号：JP2014175731

申请日：2014-08-29

Applicant: TDK株式会社

Inventor： 武田 早織 ,  兼子 俊彦 ,  山下 ゆき ,  瀬在 勇司

IPC: C23C14/08 ,  H01G4/33 ,  H01G4/12 ,  C04B35/16

CPC classification number: C04B35/453 ,  C04B35/16 ,  H01G4/1209 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01L28/55 ,  C04B2235/3298 ,  C04B2235/3427 ,  C04B2235/604 ,  C04B2235/6567 ,  C04B2235/80 ,  H01G4/085

Abstract: 【課題】誘電体組成物に関し、比誘電率を高く維持しつつ、良好な温度特性を示す誘電体組成物を提供すること。 【解決手段】一般式Bi 12 SiO 20 で表される結晶相と一般式Bi 2 SiO 5 で表される結晶相とを主成分として含有している誘電体組成物。好ましくは、前記誘電体組成物の含有率が、Bi 2 SiO 5 結晶相を5質量%〜99質量%であり、より好ましくは30質量%〜99質量%である。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在保持高的相对介电常数的同时显示优异的温度特性的电介质组合物。解决方案：电介质组合物主要由通式BiSiO表示的结晶相和由通式BiSiO表示的结晶相组成。 优选地，对于电介质组合物的含量，BiSiO晶相的含量为5质量％-99质量％，更优选为30质量％-99质量％。

公开(公告)号：JP2014187265A

公开(公告)日：2014-10-02

申请号：JP2013061914

申请日：2013-03-25

Applicant: Mitsubishi Materials Corp ,  三菱マテリアル株式会社

Inventor： FUJII JUN ,  SAKURAI HIDEAKI ,  SOYAMA NOBUYUKI

IPC: H01L21/316

CPC classification number: C09D5/24 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  C04B35/632 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/443 ,  C04B2235/449 ,  C04B2235/787 ,  C23C18/1216 ,  C23C18/1225 ,  C23C18/1279 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01G7/06 ,  H01L28/55 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/29

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition for formation of a LaNiOthin film superior in an electric property, and usable for an electrode film of a capacitor for ferroelectric memory use, a piezoelectric element or the like, or an electrode film of a pyroelectric infrared light detection element or the like per se, by which the crystal of a dielectric layer formed on the film of a thin film capacitor or the like can be easily (100)plane-oriented by priority.SOLUTION: A composition for formation of a LaNiOthin film comprises: a LaNiOprecursor; and an acetic acid. In the composition, the LaNiOprecursor accounts for 1-20 mass% to 100 mass% of the composition in terms of oxides. The composition further comprises a stabilizer of N-methyl formamide in proportion of more than 0 up to 10 moles to a total of one mole of the LaNiOprecursor.

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供用于形成电性能优异的LaNiOthin膜的组合物，可用于用于铁电存储器用电容器的电极膜，压电元件等或热电红外线的电极膜 光检测元件等本身，可以容易地（100）在薄膜电容器的膜上形成的电介质层的晶体（100）面向取向。解决方案：用于形成LaNiOthin的组合物 电影包括：LaNiOprecursor; 和乙酸。 在组合物中，LaNiOprecursor以氧化物计占组合物的1-20质量％至100质量％。 该组合物还包含相对于总共1摩尔LaNiO前体的比例大于0至10摩尔的N-甲基甲酰胺的稳定剂。

公开(公告)号：JPWO2012127567A1

公开(公告)日：2014-07-24

申请号：JP2013505630

申请日：2011-03-18

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 忠紘 今田 ,  忠紘 今田

IPC: H01L29/808 ,  H01L21/205 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/778 ,  H01G4/1272 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/0262 ,  H01L29/1075 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/861

Abstract: 第1の電極(3)と、第1の電極(3)の上方に形成された真性の第1の化合物半導体層(1)と、第1の化合物半導体層(1)上に形成され、第1の化合物半導体層(1)よりもバンドギャップが小さい第2の化合物半導体層(2)と、第2の化合物半導体層(2)の上方に形成された第2の電極(4)と、が設けられている。

公开(公告)号：JP2013008972A

公开(公告)日：2013-01-10

申请号：JP2012140668

申请日：2012-06-22

Applicant: Samsung Electro-Mechanics Co Ltd ,  サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド.

Inventor： AHN YON-GYU ,  YI BYON-HWA ,  PARK MN-CHOL ,  SONG YONG-HUN ,  YI MI-HEE

IPC: H01G4/30 ,  H01G4/12 ,  H01G4/232

CPC classification number: H01G4/1272 ,  H01G2/065 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/228 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a chip type multilayer capacitor that achieves size reduction and higher capacity while reducing acoustic noise.SOLUTION: A chip type multilayer capacitor according to an embodiment of the present invention comprises: a ceramic main body including a stack of dielectric layers each formed with a thickness of 3 μm or less, which is greater than or equal to 10 times of the average size of a grain; first and second external electrodes having different polarities from each other and formed at both ends of the ceramic main body in the length direction; a first internal electrode having one end forming a first margin with one end face of the ceramic main body to be provided with the second external electrode, and the other end being extracted by the first external electrode; and a second internal electrode having one end forming a second margin with the other end face of the ceramic main body to be provided with the first external electrode, and the other end being extracted by the second external electrode. The first margin and the second margin have different widths under a condition within 200 μm.

Abstract translation: 要解决的问题：提供一种在减小声学噪声的同时实现尺寸减小和更高容量的芯片型多层电容器。 解决方案：根据本发明实施例的芯片型层叠电容器包括：陶瓷主体，其包括各自形成为厚度为3μm以下的电介质层，其大于或等于10倍 的平均粒度; 第一外部电极和第二外部电极彼此具有不同的极性并形成在陶瓷主体的长度方向的两端; 第一内部电极，其一端形成具有陶瓷主体的一个端面的第一边缘，以设置第二外部电极，另一端由第一外部电极提取; 以及第二内部电极，其一端与陶瓷主体的另一端面形成第二边缘，以设置第一外部电极，另一端由第二外部电极提取。 第一边缘和第二边缘在200μm以内的条件下具有不同的宽度。 版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2005001971A

公开(公告)日：2005-01-06

申请号：JP2003170580

申请日：2003-06-16

Applicant: Toho Titanium Co Ltd ,  東邦チタニウム株式会社

Inventor： SAKAI HIDEKI ,  TOKITA KOJI

IPC: C04B35/46 ,  C04B35/468 ,  H01B3/12 ,  H01C7/02 ,  H01C17/065 ,  H01G4/12 ,  H01L21/316

CPC classification number: C04B35/63 ,  C04B35/4682 ,  C04B2235/3213 ,  C04B2235/3215 ,  C04B2235/3225 ,  C04B2235/3236 ,  C04B2235/3267 ,  C04B2235/3418 ,  C04B2235/96 ,  H01C7/025 ,  H01C17/06533 ,  H01G4/1272 ,  H01L21/31691

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a barium titanate semiconductor ceramic composition suitably used for a PTC (positive temperature coefficient) thermistor having a low resistance and a high withstand voltage usable for a large load such as an overcurrent protection element for an OA (office automation) instrument and a motor. SOLUTION: The composition comprises barium titanate as a major component and calcium titanate of 0.05-0.20 mol, strontium titanate of 20-30 mol, manganese oxide of 0.05-0.15 mol, silicon oxide of 2.5-3.5 mol, and an oxide of rare-earth element as a semiconducting agent of 0.25-0.30 mol based on barium titanate of 100 mol. COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Abstract translation: 解决的问题：提供一种适用于具有低电阻和高耐压的PTC（正温度系数）热敏电阻的钛酸钡半导体陶瓷组合物，其可用于大负载，例如用于OA的过电流保护元件 （办公自动化）仪器和电机。 解决方案：组合物包含钛酸钡作为主要成分，钛酸钙为0.05-0.20摩尔，钛酸锶为20-30摩尔，氧化锰为0.05-0.15摩尔，氧化硅为2.5-3.5摩尔，氧化物为 的稀土元素作为基于钛酸钡100摩尔的0.25-0.30摩尔的半导体剂。 版权所有（C）2005，JPO＆NCIPI

公开(公告)号：JP6427322B2

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：JP2014031269

申请日：2014-02-21

Applicant: 三星電子株式会社 ,  Samsung Electronics Co.,Ltd. ,  株式会社ADEKA

Inventor： 尹 相 チョル ,  桜井 淳 ,  畑瀬 雅子 ,  チョ 侖 廷 ,  姜 知 那 ,  山田 直樹 ,  崔 晶 植

IPC: H01L21/8242 ,  H01L27/108 ,  C23C16/18 ,  C23C16/40 ,  C07C31/32 ,  C07C49/92 ,  C07F5/06 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/085 ,  H01G4/1272 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40

公开(公告)号：JP2015193523A

公开(公告)日：2015-11-05

申请号：JP2014260010

申请日：2014-12-24

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 藤井 順 ,  桜井 英章 ,  曽山 信幸

IPC: B05D3/02 ,  B05D7/24 ,  H01G4/12 ,  H01G4/33 ,  C09D1/00 ,  C01G53/00

CPC classification number: H01L41/319 ,  C04B35/01 ,  C04B35/62218 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/187 ,  H01L41/318 ,  C04B2235/3227 ,  C04B2235/3279 ,  C04B2235/44 ,  C04B2235/441 ,  C04B2235/443

Abstract: 【課題】塗膜にピンホールがなく、この塗膜を焼成した後にこのピンホールに起因するボイドのない均一な膜厚のLaNiO 3 薄膜を形成する。 【解決手段】Pt電極で被覆された基板において1cm 2 当りの前記基板表面に吸着するH 2 量、H 2 O量、CO量をそれぞれ1.0×10 −10 g以下、2.7×10 −10 g以下、4.2×10 −10 g以下とした状態でLaNiO 3 薄膜形成用液組成物を前記基板表面に塗布し乾燥して塗膜を形成し、続いて塗膜を仮焼した後、焼成してLaNiO 3 薄膜を形成する。 【選択図】なし

Abstract translation: 要解决的问题：提供具有均匀的膜厚度的LaNiOthin膜，其中在涂膜上没有针孔，并且在涂膜烧制后没有由针孔引起的空隙。解决方案：当Hamount，HO量， 在涂布有Pt电极的基板上吸附1cm的基板表面的CO量设定为1.0×10g以下，2.7×10g以下，4.2×10g以下，LaNiOth膜 将形成液体组合物涂布到基板表面上并干燥以形成涂膜，并且在对涂膜进行煅烧之后，对涂布膜进行焙烧以形成LaNiOthin膜。

公开(公告)号：JP5774549B2

公开(公告)日：2015-09-09

申请号：JP2012140668

申请日：2012-06-22

Applicant: サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド.

Inventor： アン・ヨン・ギュ ,  イ・ビョン・ファ ,  パク・ミン・チョル ,  ソン・ヨン・フン ,  イ・ミ・ヒ

IPC: H01G4/232 ,  H01G4/12 ,  H01G4/30

CPC classification number: H01G4/1272 ,  H01G2/065 ,  H01G4/005 ,  H01G4/12 ,  H01G4/228 ,  H01G4/232 ,  H01G4/30

公开(公告)号：JP2015099914A

公开(公告)日：2015-05-28

申请号：JP2014202797

申请日：2014-10-01

Applicant: 三菱マテリアル株式会社

Inventor： 藤井 順 ,  桜井 英章 ,  曽山 信幸

IPC: C01G53/00 ,  H01L21/316

CPC classification number: H01L27/11502 ,  C09D5/24 ,  H01B1/08 ,  H01G4/1272 ,  H01G4/33 ,  H01L28/60 ,  H01L37/02 ,  H01L41/0477 ,  H01L41/0478 ,  H01L41/29 ,  H01L28/55

Abstract: 【課題】ピンホールの発生が極めて少なく、均一な成膜を可能とし、LaNiO 3 前駆体の析出(沈殿)の発生を抑制し、更に焼成後のLaNiO 3 薄膜にクラックが発生するのを抑制する。 【解決手段】LaNiO 3 薄膜形成用組成物は、LaNiO 3 前駆体と有機溶媒と安定化剤とを含む。またLaNiO 3 前駆体と有機溶媒と安定化剤の合計100質量%に対するLaNiO 3 前駆体の混合割合が酸化物換算で1〜20質量%である。更に有機溶媒のHSP値の分散成分dD、分極成分dP、及び水素結合成分dHが、それぞれ14
【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：为了提供一种由于引发孔产生量极小而能够均匀地膜生长的LaNiOthin膜形成用组合物，能够抑制LaNiOprecursor沉积（析出）的发生，能够抑制 在后烘烤LaNiOth薄膜中产生裂纹。解决方案：用于LaNiOth膜成膜的组合物包括：LaNiOprecursor; 有机溶剂; 和稳定剂。 其中混合的LaNiOprecursor的百分比是以氧化物计为1-20质量％至总量为100质量％的LaNiO前体，有机溶剂和稳定剂。 对于有机溶剂的HSP值，分散组分dD，偏振分量dP和氢偶合组分dH分别满足以下关系式：14

公开(公告)号：JP5372740B2

公开(公告)日：2013-12-18

申请号：JP2009504105

申请日：2007-02-16

Applicant: ソウル ナショナル ユニバーシティ アールアンドディビー ファウンデーション

Inventor： テウォン ノ ,  ジョンゴル ユン ,  ジョンヒョク イ

IPC: C01G45/02

CPC classification number: H01L41/16 ,  C30B23/02 ,  C30B23/025 ,  C30B29/22 ,  H01F1/407 ,  H01F10/002 ,  H01G4/10 ,  H01G4/1272 ,  H01G7/06 ,  H01L21/31691 ,  H01L28/56 ,  H01L43/10 ,  Y10T428/325

Abstract: The present invention relates to forming the material represented by the following formula (1) into a layer having hexagonal crystalline structure, which is different from the orthorhombic crystalline structure of the material in bulk phase, so that the material can be used more effectively in various fields requiring multiferroic properties by obtaining multiferroic properties enhanced than the conventional multiferroic materials. RMnO3, (R=Lanthanide) . . . (1)