エッジ起因錯視生成装置、エッジ起因錯視生成方法、エッジ起因錯視生成プログラム、印刷媒体、ならびに、記録媒体

    公开(公告)号:JPWO2018034302A1

    公开(公告)日:2019-06-20

    申请号:JP2017029433

    申请日:2017-08-16

    IPC分类号: G06T5/00

    摘要: 任意の画像に適用でき、煩雑な作業をすることなく自動的にエッジ起因錯視を発生させることができ、またエッジ起因錯視を利用してコントラスト改善を図ることができる、エッジ起因錯視生成装置、方法、プログラム、記録媒体等を提供することを課題とする。方位性のないフィルタもしくは方位性をもった偶型フィルタであって、且つ、比較的高い周波数の帯域を通過させるフィルタもしくは高域通過フィルタ、または、方位性のない近似フィルタおよび各方位性をもった複数の詳細フィルタの集合である方位選択性ウェーブレット・フレームもしくは方位選択性フィルタ・バンクである、二次元ディジタルフィルタを、画像データに対して適用して、比較的高い周波数の帯域成分もしくは高周波成分を取り出すことにより、および/または、取り出した帯域成分もしくは高周波成分のエッジに彩色を施すことにより、エッジ起因錯視画像を生成すること、を特徴とする。

    LED素子とその製造方法
    34.
    发明专利

    公开(公告)号:JP2019062204A

    公开(公告)日:2019-04-18

    申请号:JP2018196890

    申请日:2018-10-18

    摘要: 【課題】高ドナー濃度領域においても高い電子移動度を示すn型導電型を用いたGaN系LED素子の提供。 【解決手段】導電部と電極とが接続されたコンタクト構造が備えられ、前記導電部に薄膜の窒化物半導体が用いられたGaN系のLED素子であって、前記窒化物半導体は、窒素と、B、Al、GaまたはInからなる群より選ばれる少なくとも1種の13族元素を含有する2元系、3元系または4元系の窒化物半導体であり、1×10 1 7 cm −3 以上の酸素を不純物として含有し、SiまたはGeをドナーとして含有し、5×10 19 cm −3 以上の電子濃度を有し、前記電子濃度は実質的にSiドナー濃度またはGeドナー濃度に等しく、n型導電性であり、電子移動度が46cm2/(V・s)以上であるLED素子。 【選択図】図1

    ブロック共重合体、多層構造体、固体高分子膜、燃料電池、多層構造体の製造方法、及び無機ナノ粒子を含む多層構造体の製造方法

    公开(公告)号:JPWO2018025828A1

    公开(公告)日:2019-03-28

    申请号:JP2017027793

    申请日:2017-08-01

    发明人: 藪 浩

    摘要: 中性溶媒雰囲気で使用でき、且つナノ粒子を含んだ固体高分子膜を作製できるブロック共重合体を提供することを課題とする。 下記式(1)で表されるブロック共重合体で課題を解決できる。 【化1】 (R 1 は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基、炭素数6〜20のアリール基、又は炭素数7〜20のアラルキル基を表す。R 2 は酸解離定数pKaが0.5以上、7以下の官能基を有する基を表す。R 3 、R 4 及びR 5 は、それぞれ、H又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状あるいは環状アルキル基を示す。R 6 、R 7 及びR 8 は、それぞれ、水素、水酸基、ニトロ基、カルボキシ基、カルボニル基を表す。Xは、アミド又はエステルを表すが、含まれていなくてもよい。Yは、アミド又はエステルを表すが、含まれていなくてもよい。pは1〜10の整数を表すが、含まれていなくてもよい。nは3〜1000の整数、mは3〜1000の整数、tは3〜1000の整数を表すが、nは含まれていなくてもよい。n,m,tの並びは任意でよいが、nが含まれる場合は、n及びmは隣接する。)