公开(公告)号：JP2018107336A

公开(公告)日：2018-07-05

申请号：JP2016253898

申请日：2016-12-27

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 山田 哲也 ,  大川 峰司 ,  森 朋彦 ,  上田 博之

IPC: H01L29/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/20 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7802 ,  H01L21/0254 ,  H01L21/26546 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/30625 ,  H01L21/308 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76895 ,  H01L23/535 ,  H01L29/063 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/66333 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/66712 ,  H01L29/7395

Abstract: 【課題】 ゲート絶縁膜に印加される電界をより効果的に緩和することができるスイッチング素子を提供する。 【解決手段】 スイッチング素子であって、半導体基板と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極 を有する。半導体基板が、第1n型半導体層と、エピタキシャル層により構成されているp型のボディ層と、ボディ層によって第1n型半導体層から分離されている第2n型半導体層を有する。ゲート絶縁膜が、第1n型半導体層の表面とボディ層の表面と第2n型半導体層の表面に跨る範囲を覆っている。ゲート電極が、ゲート絶縁膜を介して、ボディ層に対向している。第1n型半導体層とボディ層との界面が、ボディ層の端部から離れるにしたがってボディ層の深さが深くなるように傾斜した傾斜面を有する。傾斜面が、ゲート電極の下部に配置されている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6263498B2

公开(公告)日：2018-01-17

申请号：JP2015103942

申请日：2015-05-21

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹 ,  長里 喜隆 ,  大川 峰司

IPC: H01L27/06 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L21/337 ,  H01L29/808 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L27/0629 ,  G01K7/01 ,  G01K7/16 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/762 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/34 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0692 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/8605 ,  H01L29/872

公开(公告)号：JP2017174842A

公开(公告)日：2017-09-28

申请号：JP2016055705

申请日：2016-03-18

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  冨田 一義 ,  上田 博之 ,  森 朋彦 ,  長里 喜隆 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

Abstract: 【課題】ヘテロ接合が構成されている半導体装置において、電流コラプス現象を抑制する。 【解決手段】半導体装置100は、半導体層10と、アノード電極16と、カソード電極12と、p型半導体層18を備えている。半導体層10は、第1半導体層6と第2半導体層8を有している。第2半導体層8は、第1半導体層6上に設けられているとともに第1半導体層6よりバンドギャップが広い。アノード電極16は、半導体層10上に設けられており、半導体層10にショットキー接触している。カソード電極12は、アノード電極16から離れて半導体層10上に設けられている。p型半導体層18は、アノード電極16に対して、カソード電極12の反対側で半導体層10上に設けられている。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017143231A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：JP2016025223

申请日：2016-02-12

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 長谷川 聖也 ,  兼近 将一 ,  上田 博之

IPC: H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808 ,  H01L21/337 ,  H01L21/338

Abstract: 【課題】JFET型ゲート構造を有する半導体装置において、JFET型ゲート構造のドレイン側端部の電界を緩和する技術を提供する。 【解決手段】 窒化物半導体装置1は、ドレイン電極32とソース電極34の間の位置でAlGaN層15の表面上にあるp型窒化物半導体層16を備える。AlGaN層15の表面にはリセスR15が形成されている。第p型窒化物半導体層16は、リセスR15内でソース電極34側に偏在して位置する。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP6170007B2

公开(公告)日：2017-07-26

申请号：JP2014081277

申请日：2014-04-10

Applicant: トヨタ自動車株式会社 ,  株式会社豊田中央研究所

Inventor： 富田 英幹 ,  兼近 将一 ,  上田 博之

IPC: H01L21/337 ,  H01L21/338 ,  H01L29/812 ,  H01L29/778 ,  H01L29/808

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/432 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003

公开(公告)号：JP2017076658A

公开(公告)日：2017-04-20

申请号：JP2015202163

申请日：2015-10-13

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  長里 喜隆 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/28 ,  H01L29/423 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872 ,  H01L21/338

Abstract: 【課題】ゲート電流が流れることが抑制された、窒化物半導体装置を実現する。 【解決手段】半導体装置100は、バンドギャップが異なる窒化物半導体層が積層されたヘテロ接合層7と、ヘテロ接合層7上の一部に設けられているp型窒化物半導体層14と、p型窒化物半導体層14上に設けられているポリシリコン層16と、ポリシリコン層16上に設けられているゲート電極18を備えている。ポリシリコン層16は、不純物を含んでいる。また、ポリシリコン層16は、p型窒化物半導体層14より高抵抗である。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2017069515A

公开(公告)日：2017-04-06

申请号：JP2015196735

申请日：2015-10-02

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/205 ,  H01L29/432 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/201 ,  H01L29/34 ,  H01L29/475

Abstract: 【課題】ゲート電極からのリーク電流が低く抑えられ、閾値電圧の変化が抑制された半導体装置を提供する 【解決手段】ゲート電極16と閾値電圧調整層12の間に高抵抗層14を介在させ、閾値電圧調整層12と電子供給層8の間にも高抵抗層10を介在させる。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2016219632A

公开(公告)日：2016-12-22

申请号：JP2015103942

申请日：2015-05-21

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹 ,  長里 喜隆 ,  大川 峰司

IPC: H01L27/06 ,  H01L27/095 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L21/822 ,  H01L27/04 ,  H01L29/872 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/47 ,  H01L21/8232

CPC classification number: H01L27/0629 ,  G01K7/01 ,  G01K7/16 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/8252 ,  H01L23/34 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L21/762 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003

Abstract: 【課題】窒化物半導体基板に搭載されている半導体素子の温度をより正確に検出することが可能な半導体装置を提供する。 【解決手段】半導体装置10は、温度センサ94を有する。温度センサ94が、p型抵抗層50と、P型抵抗層50を介して間に電流を流すことができるように配置されている第1センス電極51と第2センス電極52を有する。窒化物半導体層であるP型抵抗層50の電気抵抗は、温度によって変化する。第1センス電極51と第2センス電極52の間に電流を流すことで、温度を検出する。 【選択図】図1

Abstract translation: 能够检测半导体元件的温度的半导体装置更精确地安装在所述氮化物半导体基板上。 一种半导体装置10具有温度传感器94。 温度传感器94具有p型电阻层50，第一感测电极51和被布置为能够通过在P型电阻层50中流动之间的电流的第二感测电极52。 在P型电阻层50的电阻为一个氮化物半导体层随温度变化。 通过使第二感测电极52的第一感测电极51之间的电流，以检测温度。 点域1

公开(公告)号：JP2016131205A

公开(公告)日：2016-07-21

申请号：JP2015004733

申请日：2015-01-14

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/338

CPC classification number: H01L29/7843 ,  H01L29/205 ,  H01L29/408 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003

Abstract: 【課題】GaNの電子走行層とAlGaN等の電子供給層のヘテロ接合を利用する半導体装置では、電子供給層とゲート電極の間にp型層を形成することでノーマリオフとできるが、局所的範囲にp型層を形成する際に電子供給層の表面が荒れ、オン抵抗が高い。 【解決手段】 ソース電極とp型層の間に露出する電子供給層の表面と、ドレイン電極とp型層の間に露出する電子供給層の表面を被覆する絶縁層を正に帯電させる。ヘテロ接合面に誘起される2次元電子ガス濃度が上昇し、オン抵抗が低下する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：为了解决使用GaN的电子转移层的异质结和AlGaN等的电子供给层的半导体器件的问题，即使通过形成p型 在电子供给层和栅电极之间的层间，当p型层在局部范围内形成时，电子供给层的表面变粗糙，导致高的导通电阻。解决方案：在半导体器件中， 覆盖暴露在源电极和p型层之间的电子供给层的表面，并且暴露在漏电极和p型层之间的电子供给层的表面被积极地充电。 在异质结表面上诱导的二维电子气的浓度增加以降低导通电阻。选择图：图1

公开(公告)号：JP2016032011A

公开(公告)日：2016-03-07

申请号：JP2014153463

申请日：2014-07-29

Applicant: 株式会社豊田中央研究所 ,  トヨタ自動車株式会社

Inventor： 兼近 将一 ,  上田 博之 ,  富田 英幹

IPC: H01L27/095 ,  H01L21/338 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812 ,  H01L21/337 ,  H01L27/098 ,  H01L29/808 ,  H01L21/329 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L27/0629 ,  H01L21/8232 ,  H01L21/8252 ,  H01L27/0605 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66212 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/872 ,  H01L29/0895 ,  H01L29/1066 ,  H01L29/2003

Abstract: 【課題】第1〜第3窒化物半導体層6,8,18の積層構造を備えている基板からHEMTとSBDを製造する場合、第3窒化物半導体層18を除去することで露出した第2窒化物半導体層8の表面にアノード電極24を形成するとショットキー接合しない。 【解決手段】第3窒化物半導体層18を除去して露出した第2窒化物半導体層8の表面にAlO膜10が露出すると、その表面に形成したアノード電極24がショットキー接合する。第2窒化物半導体層の深部層よりバンドギャップが大きい表面層が露出するようにしてもよい。あるいは第2窒化物半導体層8の表面に加えられたエッチングダメージを修復してからアノード電極24を形成してもよい。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：提供从具有第一至第三氮化物半导体层6,8和18的叠层结构的基板制造HEMT和SBD的技术，其可以解决如果阳极电极24不产生肖特基结的问题 形成在通过去除第三氮化物半导体层18而暴露的第二氮化物半导体层8的表面上。解决方案：在半导体器件的制造方法中，当AlO膜10暴露在第二氮化物半导体层8的表面 通过去除第三氮化物半导体层18而暴露，形成在表面上的阳极24形成肖特基结。 该方法可以被布置成使得暴露具有大于带隙深层的第二氮化物半导体层的表面层。 或者，该方法可以被布置成使得在恢复第二氮化物半导体层8的表面上的蚀刻损伤之后形成阳极电极24.选择的图示：图1