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公开(公告)号：JP6591556B2
公开(公告)日：2019-10-16
申请号：JP2017542975
申请日：2016-08-02
申请人： 日立オートモティブシステムズ株式会社
IPC分类号： H02M7/48
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公开(公告)号：JPWO2017033295A1
公开(公告)日：2018-07-05
申请号：JP2015073926
申请日：2015-08-26
申请人： 日立オートモティブシステムズ株式会社
IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/473 , H01L23/29
CPC分类号： H01L23/3675 , H01L23/29 , H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L2224/32245 , H01L2224/33 , H01L2924/181 , H01L2924/00012
摘要： 本発明の目的は、冷却媒体のバイパス流を抑制し、冷却効率を向上させた構造体、特にパワー半導体モジュールを提供することである。 本発明にかかる構造体は、発熱体と熱的に接続される放熱板と、前記発熱体と前記放熱板を固定する樹脂材を有する樹脂領域と、を備え、前記放熱板は、当該放熱板の放熱面から突出し、かつ前記封止樹脂材から露出して形成される複数のフィンを有するフィン部と、前記放熱面から前記フィンと同じ側に突出して形成され、かつ前記フィン部と前記樹脂領域とを隔てる壁部と、を有する。
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公开(公告)号：JP2018033259A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：JP2016164802
申请日：2016-08-25
申请人： 日立オートモティブシステムズ株式会社
摘要： 【課題】大きな主電流を遮断するときに、パワー半導体素子の主端子に過度なサージ電圧が発生する虞がある。 【解決手段】第3スイッチング素子113は、過電流検出回路108によりIGBT101に流れる主電流が過電流であることが検知され、過電流検出回路108からの信号を受けた制御回路150からの制御信号によりオンする。なお、この場合、第2スイッチング素子112には、制御回路150からの制御信号は入力されず、第2スイッチング素子112はオフしている。第3スイッチング素子113がオンしたときに、飽和電流回路114を介してIGBT101のゲート容量103は第2スイッチング素子112がオンする場合よりも遅い速度で放電される。 【選択図】 図3
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公开(公告)号：JP6235695B2
公开(公告)日：2017-11-22
申请号：JP2016505128
申请日：2015-02-04
申请人： 日立オートモティブシステムズ株式会社
IPC分类号： H01L23/29 , H01L23/50 , H01L25/07 , H01L25/18 , H01L23/28 , H01L23/31 , H05K7/20 , H01L23/473
CPC分类号： H01L23/3672 , H01L21/2885 , H01L21/565 , H01L23/295 , H01L23/3135 , H01L23/3735 , H01L23/3737 , H01L23/4334 , H01L23/473 , H01L23/49541 , H01L23/49568 , H01L23/564 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H05K5/065 , H05K7/20927 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48106 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49586 , H01L24/45 , H01L2924/00014 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01024 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/0105 , H01L2924/13055 , H01L2924/17724 , H01L2924/17747 , H01L2924/181
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公开(公告)号：JP6200871B2
公开(公告)日：2017-09-20
申请号：JP2014182843
申请日：2014-09-09
申请人： 日立オートモティブシステムズ株式会社
CPC分类号： H01L25/18 , H01L23/367 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L25/072 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/32225 , H01L2224/33 , H01L2224/37599 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/4911 , H01L2224/49171 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L23/3735 , H01L23/5385 , H01L2924/00014 , H01L2924/1203 , H01L2924/13055 , H01L2924/181 , H01L2924/19107 , H02M7/003
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公开(公告)号：JP6053642B2
公开(公告)日：2016-12-27
申请号：JP2013173328
申请日：2013-08-23
申请人： 日立オートモティブシステムズ株式会社
IPC分类号： H02M7/48
CPC分类号： H05K7/1432 , H05K7/20927
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公开(公告)号：JP5948106B2
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：JP2012078792
申请日：2012-03-30
申请人： 日立オートモティブシステムズ株式会社
CPC分类号： H01L23/36 , H01L23/4334 , H01L23/473 , H01L25/072 , H01L2224/32245 , H01L25/18 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H02M7/003
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公开(公告)号：JP5941944B2
公开(公告)日：2016-06-29
申请号：JP2014111874
申请日：2014-05-30
申请人： 日立オートモティブシステムズ株式会社
IPC分类号： H02M7/48
CPC分类号： H01L2224/40137
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公开(公告)号：JP2016059148A
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：JP2014182844
申请日：2014-09-09
申请人： 日立オートモティブシステムズ株式会社
IPC分类号： H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H05K7/20 , H02M7/48
CPC分类号： H01L23/473 , H01L25/07 , H01L25/18 , H02M7/48 , H05K7/20 , H01L2224/0603 , H01L2224/40137 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2924/181
摘要： 【課題】 バイパス流を抑制し放熱性能に優れる電力変換装置を提供する。 【解決手段】 パワー半導体モジュール300と、パワー半導体モジュール300が配置される流路形成体1000とを備え、パワー半導体モジュール300は、半導体チップと流路形成体1000に挟まれる位置に配置される高熱伝導体920と、パワー半導体素子及び高熱伝導体920を封止する封止材とを有し、高熱伝導体920は、流路形成体1000側に流路形成体1000に向かって突出するフィンを有し、フィンを囲む封止材の一部とフィン先端が概略同一平面にある事を特徴とする電力変換装置。 【選択図】 図12
摘要翻译： 要解决的问题：提供抑制旁路流动并且具有优异的辐射性能的电力转换装置。解决方案：电力转换装置包括：功率半导体模块300; 以及设置功率半导体模块300的通道形成体1000。 功率半导体模块300包括：设置在夹在半导体芯片和通道形成体1000之间的位置的高热导体920; 以及用于密封功率半导体元件和高热导体920的封装材料。高热导体920包括在通道形成体1000侧上并且朝向通道形成体1000突出的翅片，其中翅片的尖端和 围绕翅片的封装材料的一部分大致在同一平面上。选择的图：图12
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