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公开(公告)号：JP6788430B2
公开(公告)日：2020-11-25
申请号：JP2016163449
申请日：2016-08-24
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/146 , H01L51/50 , H05B33/14 , H05B33/10 , G09F9/30 , G09F9/00 , H01L29/786
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公开(公告)号：JP6705810B2
公开(公告)日：2020-06-03
申请号：JP2017512463
申请日：2016-04-06
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP2020047955A
公开(公告)日：2020-03-26
申请号：JP2019231362
申请日：2019-12-23
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L27/088 , H01L21/8234 , H01L27/06 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/1156 , H01L27/146 , H01L21/336
摘要： 【課題】微細なトランジスタを提供する。 【解決手段】基板上の半導体と、半導体上の第1の導電体及び第2の導電体と、第1の導 電体及び第2の導電体上の第1の絶縁体と、半導体上の第2の絶縁体と、第2の絶縁体上 の第3の絶縁体と、第3の絶縁体上の第3の導電体と、を有し、第3の絶縁体は第1の絶 縁体の側面と接し、半導体は、半導体と、第1の導電体の底面と、が重なる第1の領域を 有し、半導体と、第2の導電体の底面と、が重なる第2の領域を有し、半導体と、第3の 導電体の底面と、が重なる第3の領域を有し、半導体の上面と第3の導電体の底面との間 の長さは、第1の領域と第3の領域との間の長さよりも、大きい半導体装置である。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP2016206642A
公开(公告)日：2016-12-08
申请号：JP2015228821
申请日：2015-11-24
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC分类号： G02F1/133345 , G02F1/133512 , G02F1/133514 , G02F1/13394 , G02F1/1368 , H01L27/3244 , H01L51/0024 , H01L51/524 , H01L51/5246 , H01L2251/566
摘要： 【課題】周辺回路部の動作安定性の高い表示装置を提供する。 【解決手段】第1の基板と、第2の基板と、を有し、前記第1の基板の第1面上には第1の絶縁層が設けられ、前記第2の基板の第1面上には第2の絶縁層が設けられ、前記第1の基板の第1面と、前記第2の基板の第1面とは、同一の面積を有し、前記第1の基板の第1面と前記第2の基板の第1面は向かい合い、前記第1の絶縁層と前記第2の絶縁層との間には、接着層が設けられ、保護膜は、前記第1の基板、前記第1の絶縁層、前記接着層、前記第2の絶縁層および前記第2の基板と接する領域を有する。 【選択図】図1
摘要翻译： 为了提供稳定的操作高度显示外围电路部的装置。 和第一基板，具有一所述第二基板的基板的所述第一所述第一表面上设置第一绝缘层，所述第二基板的第一表面 在第一基板的第一表面的上方设置的第二绝缘层，所述的第一表面，所述第二衬底具有相同的面积，在第一的第一基板1的 表面，并且每个所述第二基板面的第一表面，所述第一绝缘层和第二绝缘层，设置在所述粘合剂层，保护膜，在所述第一基板，所述间 第一绝缘层，粘合层，具有与所述第二基板接触的第二绝缘层和区域。 点域1
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公开(公告)号：JP2015181161A
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：JP2015043762
申请日：2015-03-05
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L21/365 , H01L21/363 , H01L29/786
CPC分类号： H01L29/78693 , H01L27/1156 , H01L29/78648 , H01L29/7869 , H01L29/78696
摘要： 【課題】トランジスタの半導体などに適用可能な、酸化物を作製する方法を提供する。特に、結晶粒界などの欠陥の少ない酸化物を作製する方法を提供する。 【解決手段】酸化物半導体と、絶縁体と、導電体と、を有し、酸化物半導体は、絶縁体を介して、酸化物半導体と導電体とが互いに重なる領域を有し、酸化物半導体は、円相当径が1nm以上の結晶粒と、円相当径が1nm未満の結晶粒と、を有する半導体装置である。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种用于形成可用作晶体管等的半导体的氧化物的方法，特别是形成具有较少缺陷如晶界的氧化物的方法。解决方案：半导体器件包括： 氧化物半导体，绝缘体和导体。 氧化物半导体具有氧化物半导体和导体彼此重叠的区域，绝缘体插入其间。 氧化物半导体包括当量圆直径为1nm以上的晶粒和等效圆直径小于1nm的晶粒。
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公开(公告)号：JP6761514B2
公开(公告)日：2020-09-23
申请号：JP2019111150
申请日：2019-06-14
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP6736351B2
公开(公告)日：2020-08-05
申请号：JP2016101672
申请日：2016-05-20
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/425 , H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L21/8238 , H01L27/092 , H01L27/146 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/49 , H01L29/788 , H01L29/792 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L27/115 , H01L27/1156 , H01L21/8239 , H01L27/105 , H01L21/336
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公开(公告)号：JP2019029641A
公开(公告)日：2019-02-21
申请号：JP2018012149
申请日：2018-01-29
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
IPC分类号： H01L29/786 , H01L21/8242 , H01L27/108 , H01L21/336
摘要： 【課題】高性能な半導体装置を提供する。 【解決手段】トランジスタと、トランジスタ上の絶縁膜と、電極と、絶縁膜上の金属酸化物を有する半導体装置であって、トランジスタは、第1のゲート電極と、第1のゲート電極上の第1のゲート絶縁膜と、第1のゲート絶縁膜上の酸化物と、酸化物と電気的に接続されるソースおよびドレイン電極と、酸化物上の第2のゲート絶縁膜と、第2のゲート絶縁膜上の第2のゲート電極と、を有し、電極は、絶縁膜と接する領域を有し、第1のゲート絶縁膜は、絶縁膜と接し、第2のゲート電極上の絶縁膜の膜厚、ソース電極上の絶縁膜の膜厚およびドレイン電極上の絶縁膜の膜厚は、それぞれ略等しく、絶縁膜は過剰酸素を有する半導体装置。 【選択図】図1
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公开(公告)号：JP6043382B2
公开(公告)日：2016-12-14
申请号：JP2015037873
申请日：2015-02-27
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC分类号： H01L33/005 , H01L51/0005 , H01L51/0021 , H01L27/3211 , H01L2924/0002 , H01L51/56
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公开(公告)号：JP2016164891A
公开(公告)日：2016-09-08
申请号：JP2016097753
申请日：2016-05-16
申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所
CPC分类号： H01L33/005 , H01L51/0005 , H01L51/0021 , H01L27/3211 , H01L2924/0002 , H01L51/56
摘要： 【課題】低コストかつ簡便な方法でスループットの高い発光装置の作製方法を提供する。 【解決手段】減圧下で発光性材料を含む溶液を陽極もしくは陰極に向けて噴射し、前記溶 液が前記陽極もしくは陰極に到達するまでの間、該溶液中の溶媒を揮発させると共に、残 存した前記発光性材料を前記陽極もしくは陰極上に堆積させて発光層を形成する発光装置 の作製方法である。当該構成により溶液を塗布した後に薄膜化のための焼成工程を必要と しないため、低コストかつ簡便な方法でありながら、スループットの高い作製方法を提供 することができる。 【選択図】図1
摘要翻译： 要解决的问题：提供一种简单且低成本的高通量发光装置的制造方法。解决方案：发光装置的制造方法通过在还原剂下注入含有发光材料的溶液来形成发光层 向正极或负极施加压力，在溶液到达正极或负极的同时溶解溶剂，并将剩余的发光材料沉积在正极或负极上。 由于不需要在施加溶液之后进行薄化的烧结工序，所以可以以低成本和简单的方法提供高通量的制造方法。图1
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