专利检索 cpc:"H01L2924/10323" 第 1 页

1.

发明专利
エンハンスメントモードＩＩＩ族窒化物デバイス有权
标题翻译：增强型III族氮化物器件

公开(公告)号：JP2016515307A

公开(公告)日：2016-05-26

申请号：JP2016501433

申请日：2014-03-12

申请人： トランスフォームインコーポレーテッド , トランスフォームインコーポレーテッド

发明人： ケー．ラル，ラケシュ , ケー．ラル，ラケシュ

IPC分类号： H01L21/338 , H01L21/336 , H01L21/337 , H01L21/822 , H01L21/8234 , H01L21/8236 , H01L27/04 , H01L27/06 , H01L27/088 , H01L29/06 , H01L29/778 , H01L29/78 , H01L29/808 , H01L29/812

CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/0217 , H01L21/0254 , H01L21/8252 , H01L23/291 , H01L23/3171 , H01L23/535 , H01L24/48 , H01L27/0605 , H01L27/0629 , H01L27/085 , H01L27/0883 , H01L29/2003 , H01L29/404 , H01L29/407 , H01L29/4175 , H01L29/4236 , H01L29/518 , H01L29/66462 , H01L29/66522 , H01L29/78 , H01L2224/48091 , H01L2224/4813 , H01L2924/00014 , H01L2924/10323 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344 , H01L2924/10346 , H01L2924/13055 , H01L2924/13064 , H01L2924/00 , H01L2224/45099

摘要： III-Nエンハンスメントモードトランジスタは、導電性チャネルを含むIII-N構造と、ソースコンタクト及びドレインコンタクトと、ソースコンタクトとドレインコンタクトとの間にあるゲート電極とを含む。絶縁層はIII-N構造の上にあり、陥凹部がトランジスタのゲート領域にある絶縁層を貫いて形成され、ゲート電極が少なくとも部分的に陥凹部内にある。トランジスタは更に、ゲート電極とドレインコンタクトとの間にある一部分を有するフィールドプレートを含み、フィールドプレートはソースコンタクトに電気的に接続される。ゲート電極は、陥凹部の外にあってドレインコンタクトに向かって延在する延長部分を含む。導電性チャネルとゲート電極の延長部分との間の距離は、導電性チャネルと、ゲート電極とドレインコンタクトとの間にあるフィールドプレートの一部分との間の距離よりも広い。【選択図】図5A

摘要翻译： III-N增强型晶体管包括一III-N结构，包括一个导电沟道，源极和漏极触点以及位于所述源和漏接触之间的栅电极。绝缘层是在III-N的结构，所述凹部是通过在晶体管的栅极区域的绝缘层形成，栅电极是至少部分地凹陷部。此外晶体管包括具有部分即栅极电极和漏极触点之间的场板，所述场板电连接到源极接触。栅极电极包括朝向所述漏极接触延伸的延伸部是所述凹部的外侧。导电通道的延伸部和所述栅电极之间的距离包括导电通道，比场板，其是在栅电极和漏极接触之间的部分之间的距离宽。点域5A

2.

发明专利
Power module semiconductor device and manufacturing method thereof 审中-公开
标题翻译：电源模块半导体器件及其制造方法

公开(公告)号：JP2013125848A

公开(公告)日：2013-06-24

申请号：JP2011273573

申请日：2011-12-14

申请人： Rohm Co Ltd , ローム株式会社

发明人： SASAGAWA MASASHI

IPC分类号： H01L25/07 , H01L25/18

CPC分类号： H01L23/49531 , H01L23/3107 , H01L23/49575 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L25/072 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05553 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45015 , H01L2224/48137 , H01L2224/48139 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/4903 , H01L2224/4943 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/10323 , H01L2924/1033 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/15787 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2924/2076

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a power module semiconductor device which makes it possible to reduce the size of a transfer mold.SOLUTION: The power module semiconductor device comprises: low voltage side gate terminal electrodes GL4, GL5 and GL6 which are disposed on a first side of a substrate 10; low voltage side source terminal electrodes SL4, SL5 and SL6 which are disposed adjacent to the low voltage side gate terminal electrodes; high voltage side gate terminal electrodes GL1, GL2 and GL3 which are disposed on the first side apart from the low voltage side gate terminal and the low voltage side source terminal electrodes; high voltage side source terminal electrodes SL1, SL2 and SL3 which are disposed on the first side adjacent to the high voltage side gate terminal electrodes; output terminal electrodes UL, VL and WL which are disposed on a second side separate from the first side; a power supply voltage supply terminal electrode PL which is disposed on a third side different from the first and the second sides; and a ground potential terminal electrode NL which is disposed on the third side apart from the power supply voltage supply terminal electrode PL.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种功率模块半导体器件，其可以减小转移模具的尺寸。解决方案：功率模块半导体器件包括：设置在衬底10的第一侧上的低电压侧栅极电极GL4，GL5和GL6; 与低电压侧栅极电极相邻配置的低电压侧端子电极SL4，SL5和SL6; 配置在远离低电压侧栅极端子和低压侧源极端子的第一侧的高电压侧栅极电极GL1，GL2，GL3; 配置在与高压侧栅极端子电极相邻的第一侧的高电压侧端子电极SL1，SL2，SL3; 输出端子电极UL，VL和WL，其布置在与第一侧分离的第二侧上; 电源电压供给端子电极PL，其设置在与第一侧和第二侧不同的第三侧上; 以及配置在与电源电压端子电极PL分开的第三侧的接地电位端子电极NL。版权所有（C）2013，JPO＆INPIT

3.

发明专利
ダイヤモンド−半導体複合基板を製造する方法审中-公开

公开(公告)号：JP2018514498A

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：JP2017558437

申请日：2016-05-11

申请人： アールエフエイチアイシーコーポレイション

发明人： フランシス,ダニエル

IPC分类号： C30B33/00 , C30B29/04 , C30B29/38

CPC分类号： H01L21/6835 , H01L21/02378 , H01L21/02389 , H01L21/02458 , H01L21/02527 , H01L21/02595 , H01L21/0262 , H01L21/02658 , H01L21/304 , H01L21/3065 , H01L21/7624 , H01L23/3732 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L24/98 , H01L2221/68345 , H01L2221/68381 , H01L2224/29193 , H01L2224/83052 , H01L2224/83192 , H01L2224/83224 , H01L2924/01014 , H01L2924/10272 , H01L2924/10323 , H01L2924/1033 , H01L2924/10344

摘要： 半導体・オン・ダイヤモンド複合基板を製造する方法であって、当該方法は、(i)化合物半導体が上に配置されたネイティブ炭化ケイ素基板を有するネイティブ半導体ウエハから出発し、(ii)化合物半導体に炭化ケイ素キャリア基板を接合し、(iii)ネイティブ炭化ケイ素基板を除去し、(iv)化合物半導体の上に核生成層を形成し、(v)核生成層上に多結晶化学気相成長(CVD)ダイヤモンドを成長させて、複合ダイヤモンド−化合物半導体−炭化ケイ素ウエハを形成し、(vi)炭化ケイ素キャリア基板をレーザリフトオフによって除去して、核生成層を介して多結晶CVDダイヤモンドに接合された化合物半導体を有する層状構造を達成することを有し、ステップ(ii)において、炭化ケイ素キャリア基板は、レーザ光を吸収するレーザ吸収材料を介して化合物半導体に接合され、レーザ光は、炭化ケイ素キャリア基板の厚さよりも短いコヒーレンス長を持つ。

4.

发明专利
電子素子および方法有权

公开(公告)号：JP6245753B2

公开(公告)日：2017-12-13

申请号：JP2014063919

申请日：2014-03-26

申请人： クーレッジライティングインコーポレイテッド

发明人： マイケルティシュラー , フィリップシック , イアンアッシュダウン , カルバンウェイドシーン , ポールジャンワース

IPC分类号： F21S2/00 , H01L21/60 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L33/62

CPC分类号： F21K9/66 , F21K9/20 , F21K9/275 , F21K9/278 , F21K9/64 , F21K9/65 , F21V23/003 , F21V23/02 , F21V29/74 , F21V3/02 , F21V9/30 , H01L23/4985 , H01L23/5387 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/0753 , H01L27/156 , H01L31/0468 , H01L33/0025 , H01L33/08 , H01L33/32 , H01L33/36 , H01L33/483 , H01L33/502 , H01L33/505 , H01L33/58 , H01L33/60 , H01L33/62 , H01L51/0097 , H02S30/00 , H05B33/0854 , H05B37/0218 , H05B37/0227 , H05B37/0245 , H05K1/189 , H05K3/323 , F21Y2115/10 , G02F1/133603 , H01L2224/06102 , H01L2224/16225 , H01L2224/2929 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/83385 , H01L2224/83851 , H01L2225/107 , H01L23/367 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01058 , H01L2924/01063 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/0132 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/07811 , H01L2924/10253 , H01L2924/10321 , H01L2924/10322 , H01L2924/10323 , H01L2924/10324 , H01L2924/10328 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10331 , H01L2924/10332 , H01L2924/10333 , H01L2924/10334 , H01L2924/10335 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15787 , H01L2924/381 , H01L33/06 , H01L33/28 , H01L33/30 , H01L33/486 , H05K2201/09036 , H05K2201/10106 , H05K2203/302

5.

发明专利
電力用半導体装置モジュール有权
标题翻译：电力半导体器件模块

公开(公告)号：JP5738226B2

公开(公告)日：2015-06-17

申请号：JP2012064757

申请日：2012-03-22

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 森下和博 , 古賀万寿夫 , 林田幸昌

IPC分类号： H01L25/18 , H01L23/36 , H01L25/07

CPC分类号： H01L23/13 , H01L23/367 , H01L23/3677 , H01L23/3738 , H01L23/49811 , H01L2224/26175 , H01L2224/291 , H01L2224/32225 , H01L2224/45124 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2224/73265 , H01L2224/83385 , H01L23/24 , H01L24/29 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L2924/00013 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10272 , H01L2924/10323 , H01L2924/1033 , H01L2924/1203 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/3511

6.

发明专利
ボンディング層を施与する方法有权
标题翻译：施加接合层的方法

公开(公告)号：JP2016532312A

公开(公告)日：2016-10-13

申请号：JP2016541823

申请日：2013-09-13

申请人： エーファウ・グループ・エー・タルナー・ゲーエムベーハー

发明人： ヴィンプリンガーマークス , ヴィンプリンガーマークス

IPC分类号： H01L21/60 , B23K20/00 , H01L23/12

CPC分类号： H01L24/83 , B81C3/001 , B81C2203/036 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L2224/29082 , H01L2224/291 , H01L2224/29105 , H01L2224/29111 , H01L2224/29116 , H01L2224/29117 , H01L2224/29118 , H01L2224/29123 , H01L2224/29124 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/29157 , H01L2224/2916 , H01L2224/29166 , H01L2224/29169 , H01L2224/29171 , H01L2224/29184 , H01L2224/32145 , H01L2224/32507 , H01L2224/8302 , H01L2224/83022 , H01L2224/8381 , H01L2224/83894 , H01L2924/01003 , H01L2924/01005 , H01L2924/01011 , H01L2924/01012 , H01L2924/01019 , H01L2924/0102 , H01L2924/01034 , H01L2924/01037 , H01L2924/01038 , H01L2924/0105 , H01L2924/01052 , H01L2924/01055 , H01L2924/01056 , H01L2924/01322 , H01L2924/10251 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/1026 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10323 , H01L2924/10328 , H01L2924/10329 , H01L2924/1033 , H01L2924/10331 , H01L2924/10332 , H01L2924/10333 , H01L2924/10334 , H01L2924/10335 , H01L2924/10336 , H01L2924/10346 , H01L2924/1037 , H01L2924/10371 , H01L2924/10372 , H01L2924/10373 , H01L2924/10375 , H01L2924/10376 , H01L2924/10377 , H01L2924/10821 , H01L2924/10823 , H01L2924/10831 , H01L2924/00 , H01L2924/00014 , H01L2924/01032 , H01L2924/01013 , H01L2924/01031 , H01L2924/0103

摘要： 本発明は、基本層と保護層とからなるボンディング層を基板上に施与する方法であって、以下の方法工程:酸化可能な基本材料を基本層として、基板のボンディング側に施与する方法工程、前記基本層を、基本材料中に少なくとも部分的に溶解しうる、保護層としての保護材料で少なくとも部分的に覆う方法工程による、前記方法に関する。さらに、本発明は、相応する基板に関する。

摘要翻译： 本发明提供了一种将键合层包括基层和一个衬底上的保护层，下面的方法步骤的方法：可氧化的基体材料的基体层，将所述衬底的结合侧的方法步骤中，基层可以是在基本材料至少部分可溶的，根据至少部分地覆盖有保护性材料作为保护层的工艺步骤，本发明涉及前述的方法。此外，本发明涉及一种相应的底物。

7.

发明专利
はんだ付半導体デバイス、実装はんだ付半導体デバイス、はんだ付半導体デバイスの製造方法および実装方法审中-公开
标题翻译：具有焊接的半导体器件，带焊接的安装半导体器件，以及制造和安装具有焊料的半导体器件的方法

公开(公告)号：JP2014209508A

公开(公告)日：2014-11-06

申请号：JP2013085802

申请日：2013-04-16

申请人： 住友電気工業株式会社 , Sumitomo Electric Ind Ltd

发明人： KUMANO TETSUYA , YOSHIMOTO SUSUMU

IPC分类号： H01L21/3205 , H01L21/28 , H01L21/338 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522 , H01L29/47 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872

CPC分类号： H01L29/475 , H01L21/28581 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/83 , H01L24/89 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L29/872 , H01L2224/03002 , H01L2224/0345 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05073 , H01L2224/05075 , H01L2224/05082 , H01L2224/05083 , H01L2224/05155 , H01L2224/05164 , H01L2224/05166 , H01L2224/05169 , H01L2224/05644 , H01L2224/06051 , H01L2224/06181 , H01L2224/27002 , H01L2224/29017 , H01L2224/29101 , H01L2224/29111 , H01L2224/32014 , H01L2224/32225 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48105 , H01L2224/48225 , H01L2224/48227 , H01L2224/48644 , H01L2224/73265 , H01L2224/80801 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83815 , H01L2224/92247 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01083 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/1032 , H01L2924/10323 , H01L2924/10325 , H01L2924/1033 , H01L2924/10334 , H01L2924/10341 , H01L2924/10344 , H01L2924/10346 , H01L2924/10355 , H01L2924/10356 , H01L2924/10357 , H01L2924/10358 , H01L2924/12032 , H01L2924/13064 , H01L2924/20106 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2224/05124

摘要： 【課題】ショットキー電極と、その上に配置されたパッド電極と、その上に配置されたはんだとを含むはんだ付半導体デバイスについて、半導体デバイスの特性を低下させることなくそのはんだによる実装が可能なはんだ付半導体デバイスを提供する。【解決手段】はんだ付半導体デバイス1は、基板10と、基板10上に配置された少なくとも1層のIII族窒化物半導体層20と、III族窒化物半導体層20上に配置されたショットキー電極40と、ショットキー電極40上に配置されたパッド電極50と、を含む半導体デバイス1Dを含み、パッド電極50は少なくともPt層を含む複層構造を有し、半導体デバイス1Dのパッド電極50上に配置された融点が200℃以上230℃以下のはんだ60をさらに含む。【選択図】図1

摘要翻译： 要解决的问题：在具有焊料的半导体器件中提供具有焊料能够被焊料安装的焊料而不降低半导体器件的特性的半导体器件中，在具有肖特基电极的焊料的半导体器件中，布置在肖特基电极上的焊盘电极和焊料布置在焊盘电极上。解决方案：具有焊料的半导体器件1包括具有基板10的半导体器件1D; 布置在基板10上的至少一个III族氮化物半导体层20; 布置在III族氮化物半导体层20上的肖特基电极40; 以及布置在肖特基电极40上的焊盘电极50.焊盘电极50具有至少包括Pt层的多层结构。具有焊料的半导体器件1还包括布置在半导体器件1D的焊盘电极50上并具有200℃以上且230℃以下的熔点的焊料60。