公开(公告)号：JP2018514498A

公开(公告)日：2018-06-07

申请号：JP2017558437

申请日：2016-05-11

申请人： アールエフエイチアイシー コーポレイション

发明人： フランシス,ダニエル

IPC分类号： C30B33/00 ,  C30B29/04 ,  C30B29/38

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/7624 ,  H01L23/3732 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/83052 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344

摘要： 半導体・オン・ダイヤモンド複合基板を製造する方法であって、当該方法は、(i)化合物半導体が上に配置されたネイティブ炭化ケイ素基板を有するネイティブ半導体ウエハから出発し、(ii)化合物半導体に炭化ケイ素キャリア基板を接合し、(iii)ネイティブ炭化ケイ素基板を除去し、(iv)化合物半導体の上に核生成層を形成し、(v)核生成層上に多結晶化学気相成長(CVD)ダイヤモンドを成長させて、複合ダイヤモンド−化合物半導体−炭化ケイ素ウエハを形成し、(vi)炭化ケイ素キャリア基板をレーザリフトオフによって除去して、核生成層を介して多結晶CVDダイヤモンドに接合された化合物半導体を有する層状構造を達成することを有し、ステップ(ii)において、炭化ケイ素キャリア基板は、レーザ光を吸収するレーザ吸収材料を介して化合物半導体に接合され、レーザ光は、炭化ケイ素キャリア基板の厚さよりも短いコヒーレンス長を持つ。

公开(公告)号：JP2017500753A

公开(公告)日：2017-01-05

申请号：JP2016547990

申请日：2014-10-14

申请人： コーニング インコーポレイテッド ,  コーニング インコーポレイテッド

发明人： ジーン エニックス，ダーウィン ,  ジーン エニックス，ダーウィン ,  タイラー キーチ，ジョン ,  タイラー キーチ，ジョン ,  ブルース ショリー，エイリック ,  ブルース ショリー，エイリック ,  パイプス サード トーマス，ウィンザー ,  パイプス サード トーマス，ウィンザー

IPC分类号： H01L21/02 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683 ,  H01L23/15

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/486 ,  H01L23/15 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/83 ,  H01L24/94 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/83052 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/05432 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/12 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/201 ,  H01L2924/20107 ,  H01L2924/2011 ,  H01L2924/2064 ,  H01L2924/20641 ,  H01L2924/20642 ,  H01L2924/00

摘要： 物品(2)を形成するために、表面修飾層(30)を介してキャリア(10)上に配置される、薄型シート(20)。上記物品は、FEOL半導体加工におけるような高温加工に供してよく、加工中に脱気せず、キャリアから分離しないように薄型シートをキャリア上に維持し、その一方で薄型シートは、室温での剥離力によってキャリアから分離でき、薄型シート及びキャリアのうちの薄い方は元の状態のまま残る。ビアホール(60)のアレイ(50)を有するインターポーザ(56)を薄型シート上に形成してよく、デバイス(66)をインターポーザ上に形成する。あるいは薄型シートは、FEOL加工中にその上に半導体回路が形成される基板であってよい。

摘要翻译： 制品，以形成（2），设置通过表面改性的层（30），薄片（20）的载体（10）上。 所述制品可经受高温处理，例如在FEOL半导体处理，在处理过程中不进行脱气，保持薄片，以便不从在载体上的载体分离，而薄片，在室温下 通过释放力从载体分离，薄片和载体的较薄者保持不变。 以及具有形成在薄片（56）的阵列（50），孔（60）内插器，所述装置（66）形成在所述插入。 或薄片可以是其上FEOL处理期间其上形成的半导体电路的基板。

公开(公告)号：JP6425835B2

公开(公告)日：2018-11-21

申请号：JP2017558437

申请日：2016-05-11

申请人： アールエフエイチアイシー コーポレイション

发明人： フランシス,ダニエル

IPC分类号： C30B29/38 ,  C30B29/04 ,  H01L21/02 ,  C23C16/27 ,  C30B33/00

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02389 ,  H01L21/02458 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02595 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02658 ,  H01L21/304 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/7624 ,  H01L23/3732 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L24/98 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/29193 ,  H01L2224/83052 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83224 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10323 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/10344

公开(公告)号：JP2018093169A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2017163366

申请日：2017-08-28

申请人： 株式会社半導体エネルギー研究所

发明人： 山崎 舜平 ,  佐藤 将孝 ,  池澤 直樹 ,  谷中 順平 ,  井戸尻 悟

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/02 ,  H01L27/12 ,  H01L51/50 ,  H05B33/10 ,  H05B33/02 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L31/1892 ,  H01L21/02345 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02694 ,  H01L21/6835 ,  H01L27/1266 ,  H01L29/66969 ,  H01L31/1896 ,  H01L51/003 ,  H01L2221/68386 ,  H01L2224/83052 ,  H01L2924/35121

摘要： 【課題】半導体装置の作製工程の歩留まりを高める。半導体装置の量産性を高める。 【解決手段】基板上に第1の材料層を形成する工程、第1の材料層上に第2の材料層を形成する工程、及び、第1の材料層と第2の材料層とを分離する工程を行い、半導体装置を作製する。加えて、分離前に、第1の材料層と第2の材料層とを積層した状態で加熱することが好ましい。第1の材料層は、水素、酸素、及び水のうち一つまたは複数を有する。第1の材料層は、例えば、金属酸化物を有する。第2の材料層は、樹脂(例えば、ポリイミド、アクリル)を有する。第1の材料層と第2の材料層とは、水素結合が切断されることにより分離する。また、加熱により、第1の材料層と第2の材料層との界面または界面近傍に析出した水に光が照射されることで、第1の材料層と第2の材料層とが分離する。 【選択図】図2