公开(公告)号：JPWO2018042890A1

公开(公告)日：2018-09-06

申请号：JP2017025213

申请日：2017-07-11

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 谷垣 剛司

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/52 ,  B23K35/14

CPC分类号： B23K20/00 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29266 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/296 ,  H01L2224/297 ,  H01L2224/29818 ,  H01L2224/29824 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83815 ,  H05K3/34 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 空孔2が体積比率で65%以上、90%以下で設けられた多孔質金属体3と、Snを主成分とし、多孔質金属体3を被覆する低融点金属1とを備える接合体50を用いて形成された多孔質金属体3に基づく多孔質金属30をネットワークとし、多孔質金属30のネットワークの間を、多孔質金属体3の一部と低融点金属1とで形成された金属間化合物10で埋められた接合層により、半導体素子11を絶縁基板14に接合することで、多孔質金属のネットワークによりクラック発生を抑制する。

公开(公告)号：JP2018515348A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2018507789

申请日：2016-04-27

申请人： オルメット・サーキッツ・インコーポレイテッド

发明人： シアラー・キャサリン ,  バーバー・ウンスク ,  マシューズ・マイケル

IPC分类号： B23K35/363 ,  H01L21/52 ,  B23K35/14

CPC分类号： H01L24/29 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3026 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/3046 ,  B23K35/3053 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/362 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29205 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29218 ,  H01L2224/29224 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29249 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29257 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29264 ,  H01L2224/29269 ,  H01L2224/29273 ,  H01L2224/2928 ,  H01L2224/29284 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29305 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29349 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29373 ,  H01L2224/2938 ,  H01L2224/29384 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01058

摘要： 熱反応の後に60%超の金属体積を有する半導体ダイ接着組成物であって、(a)金属粒子の混合物であって、温度T1未満で溶融する少なくとも一種のLMP金属Yを含む鉛不含低融点(LMP)粒子組成物30〜70重量%、及び加工温度T1で前記少なくとも一種のLMP金属Yと反応性の少なくとも一種の金属元素Mを含む高融点(HMP)粒子組成物25〜70重量%を含み、ここでYの重量%に対するMの重量%の比率が少なくとも1.0である混合物80〜99重量%、(b)金属粉体添加物A 0〜30重量%、及び(c)揮発性部分を有し、非揮発性部分が50重量%以下の融剤ビヒクルを有する、半導体ダイ接着組成物。

公开(公告)号：JP2012129330A

公开(公告)日：2012-07-05

申请号：JP2010278744

申请日：2010-12-15

申请人： Hitachi Automotive Systems Ltd ,  日立オートモティブシステムズ株式会社

发明人： SAKAMOTO EIJI ,  FUJIWARA SHINICHI ,  YOKOZUKA TAKEHIDE ,  UCHIYAMA KAORU ,  YAMASHITA SHIRO ,  SUWA TOKIHITO ,  ASANO MASAHIKO

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/33 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/27622 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29012 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29118 ,  H01L2224/29223 ,  H01L2224/29224 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29266 ,  H01L2224/293 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33181 ,  H01L2224/83065 ,  H01L2224/83075 ,  H01L2224/83104 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83424 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2224/83444 ,  H01L2224/83447 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/15787 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/3841 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a highly reliable semiconductor device which controls the thickness of a joined part even if a part of a second substrate 4, which is joined to a first substrate 1, is curved.SOLUTION: A joining material joining a fist substrate to a second substrate is composed of a porous metal and solder. The porous metal ranges to both sides in the thickness direction and adjusts a gap between the both substrates in a peripheral part. In a center part, the porous metal exists not in the entire part in the thickness direction. This structure allows a design error caused by a curvature of the substrate to be absorbed with the solder in the center part.

摘要翻译： 要解决的问题：即使连接到第一基板1的第二基板4的一部分弯曲，也提供控制接合部的厚度的高度可靠的半导体装置。 将第一基板连接到第二基板的接合材料由多孔金属和焊料构成。 多孔金属在厚度方向上的两侧均为范围，并且在周边部分中调整两个基板之间的间隙。 在中心部分中，多孔金属不是在厚度方向上的整个部分中存在。 这种结构允许由基板的曲率引起的设计误差被中心部分中的焊料吸收。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT