公开(公告)号：JPWO2016121764A1

公开(公告)日：2017-11-09

申请号：JP2016572065

申请日：2016-01-26

申请人： 新日鐵住金株式会社 ,  新日鉄住金化学株式会社

发明人： 石川　信二 ,  信二 石川 ,  快朗 萩原 ,  快朗 萩原 ,  典恵 松原 ,  典恵 松原 ,  宇野　智裕 ,  智裕 宇野 ,  隆之 清水 ,  隆之 清水

IPC分类号： B22F1/00 ,  B23K20/00 ,  B82Y30/00

CPC分类号： H01L24/29 ,  B22F1/00 ,  B22F7/08 ,  B23K20/00 ,  B23K35/025 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3033 ,  H01L21/52 ,  H01L24/27 ,  H01L2224/27505 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29266 ,  H01L2224/2927 ,  H01L2224/29271 ,  H01L2224/2928 ,  H01L2224/29284 ,  H01L2924/0424 ,  H01L2924/35121

摘要： 金属ナノ粒子を用いた接合層によって2つの被接合体間を接合するに際し、これら2つの被接合体の間に線熱膨張係数の違いに基づく熱膨張量の差が存在し、また、高温での使用が求められる場合でも、接合層の熱膨張量を2つの被接合体の間の好適な値に調整して接合層に生じる熱応力を緩和し、2つの被接合体の間の接合強度を十分に保持できる導電性接合材料及び導電性接合構造を提供する。金属ナノ粒子、導電性材料のミクロン粒子、及び溶媒からなる有機殻を含む接合材料であって、前記ミクロン粒子を構成する導電性材料の線熱膨張係数が、前記ナノ粒子を構成する金属の線熱膨張係数よりも小さく、かつ、導電性材料のミクロン粒子の平均粒子径が0.5〜10μmであることを特徴とする導電性接合材料。

公开(公告)号：JP2018098265A

公开(公告)日：2018-06-21

申请号：JP2016238751

申请日：2016-12-08

申请人： パナソニックIPマネジメント株式会社

发明人： 日根 清裕 ,  古澤 彰男 ,  北浦 秀敏 ,  酒井 一樹

IPC分类号： H01L21/52

CPC分类号： H01L24/29 ,  B23K35/0233 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/00 ,  H01L23/488 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29213 ,  H01L2224/29217 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29257 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/3512

摘要： 【課題】接合する面積が大きいことにより生じる大きな熱応力に耐え、繰り返し温度変化による亀裂の発生および進展が抑制された実装構造体を提供する。 【解決手段】 2つの部材が、第1の界面層と第2の界面層とを前記2つの部材との界面にそれぞれ有する接合材層によって接合された実装構造体であって、前記接合材層が、第1の金属間化合物と応力緩和物とを含み、前記第1の金属間化合物は、球状、柱状および楕円球状のいずれかの形状と、前記第1の界面層および前記第2の界面層と同じ結晶構造とを有し、前記第1の界面層および前記第2の界面層の間の一部を閉塞しており、前記応力緩和物は、前記第1の金属間化合物の周囲を充填し、Snが主成分である、実装構造体。 【選択図】図1

公开(公告)号：JP2012174927A

公开(公告)日：2012-09-10

申请号：JP2011036273

申请日：2011-02-22

申请人： Fujitsu Ltd ,  富士通株式会社

发明人： OKAMOTO KEISHIRO ,  IMADA TADAHIRO ,  IMAIZUMI NOBUHIRO ,  WATABE KEIJI

IPC分类号： H01L23/28

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29264 ,  H01L2224/29269 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29565 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512

摘要： PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a semiconductor device and a manufacturing method of the same, which can achieve heat dissipation performance, stress relaxation performance and a bond strength at the same time.SOLUTION: A semiconductor device includes a support base material 11 and a semiconductor element 15 bonded with the support base material 11 by a bonding material 16. The bonding material 16 includes a porous metal material 16a contacting the support base material 11 and the semiconductor element 15, and solder filled in at least a part of voids 16b in the porous metal material 16a. In the semiconductor device and the like, excellent heat dissipation performance and stress relaxation performance can be achieved by the porous metal material 16a, an excellent bond strength can be achieved by the solder 16c.

摘要翻译： 要解决的问题：提供一种能够同时实现散热性能，应力松弛性能和接合强度的半导体器件及其制造方法。 解决方案：半导体器件包括支撑基材11和通过接合材料16与支撑基材11接合的半导体元件15.接合材料16包括与支撑基材11接触的多孔金属材料16a和 半导体元件15和填充在多孔金属材料16a中的空隙16b的至少一部分中的焊料。 在半导体器件等中，通过多孔金属材料16a可以实现优异的散热性能和应力松弛性能，可以通过焊料16c实现优异的接合强度。 版权所有（C）2012，JPO＆INPIT

公开(公告)号：JP2018526526A

公开(公告)日：2018-09-13

申请号：JP2017562659

申请日：2016-08-02

申请人： ヘレウス ドイチェラント ゲーエムベーハー ウント カンパニー カーゲー

发明人： クレブス トーマス ,  シャフェール ミヒャエル ,  シュミット ウォルフガング ,  ダッチ スザンヌ クラウディア ,  ナクライナー ジェンス

IPC分类号： B22F1/00 ,  B22F1/02 ,  H01B1/22 ,  H01B1/00 ,  C09D17/00 ,  C09C1/00 ,  H01L21/52 ,  B22F9/00

CPC分类号： B23K35/025 ,  B22F1/0003 ,  B22F1/0055 ,  B22F1/0062 ,  B22F1/0074 ,  B22F1/025 ,  B22F7/064 ,  B22F2301/255 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/34 ,  B23K35/3618 ,  B23K35/365 ,  B23K2101/36 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/2928 ,  H01L2224/8384

摘要： 本発明は、(A)少なくとも1種の有機化合物を含むコーティングとともに提供される75〜90重量%の銅及び/又は銀粒子と、(B)5〜20重量%の有機溶媒と、(C)粒子(A)とは異なり、平均粒径(d50)が0.2〜10μmの範囲にある2〜20重量%の少なくとも1種の金属粒子を、を含む、金属ペーストに関する。成分(C)の金属粒子は、モリブデン粒子及び銀含有率は10〜90重量%であるニッケルコア−銀シェル粒子からなる群から選択される。 【選択図】なし

公开(公告)号：JPWO2018042890A1

公开(公告)日：2018-09-06

申请号：JP2017025213

申请日：2017-07-11

申请人： 三菱電機株式会社

发明人： 谷垣 剛司

IPC分类号： H05K3/34 ,  H01L21/52 ,  B23K35/14

CPC分类号： B23K20/00 ,  B23K35/26 ,  C22C13/00 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29266 ,  H01L2224/29395 ,  H01L2224/29582 ,  H01L2224/296 ,  H01L2224/297 ,  H01L2224/29818 ,  H01L2224/29824 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83815 ,  H05K3/34 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 空孔2が体積比率で65%以上、90%以下で設けられた多孔質金属体3と、Snを主成分とし、多孔質金属体3を被覆する低融点金属1とを備える接合体50を用いて形成された多孔質金属体3に基づく多孔質金属30をネットワークとし、多孔質金属30のネットワークの間を、多孔質金属体3の一部と低融点金属1とで形成された金属間化合物10で埋められた接合層により、半導体素子11を絶縁基板14に接合することで、多孔質金属のネットワークによりクラック発生を抑制する。

公开(公告)号：JPWO2017047289A1

公开(公告)日：2018-01-25

申请号：JP2017539776

申请日：2016-08-09

申请人： 富士電機株式会社

发明人： 渡邉 裕彦 ,  齋藤 俊介 ,  西村 芳孝 ,  百瀬 文彦

IPC分类号： B23K35/26 ,  C22C13/02 ,  H01L21/52

CPC分类号： H01L24/29 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  C22C13/02 ,  H01L23/053 ,  H01L2224/29201 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/2922 ,  H01L2224/29238 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29272 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3656 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 耐熱温度が高く、熱伝導特性が高温領域で変化しない鉛フリーはんだを提供する。Sbを、5.0質量%を超えて10.0質量%以下と、Agを2.0〜4.0質量%含有し、残部は、Sn及び不可避不純物からなるはんだ材、並びに半導体素子と、基板電極もしくはリードフレームとの間に、かかるはんだ材を含んでなる接合層を備える半導体装置。

公开(公告)号：JPWO2017043540A1

公开(公告)日：2018-08-09

申请号：JP2016076330

申请日：2016-09-07

申请人： 日立化成株式会社

发明人： 中子 偉夫 ,  蔵渕 和彦 ,  江尻 芳則 ,  石川 大 ,  須鎌 千絵 ,  川名 祐貴

IPC分类号： B22F1/00 ,  H01B5/02 ,  H01B5/00 ,  H01L21/52 ,  B22F7/08

CPC分类号： H01L24/29 ,  B22F1/00 ,  B22F1/0062 ,  B22F7/08 ,  B22F2301/10 ,  C09J1/00 ,  H01L21/52 ,  H01L23/3675 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29264 ,  H01L2224/29269 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/33 ,  H01L2224/371 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40137 ,  H01L2224/40225 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73213 ,  H01L2224/73263 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本発明の接合体は、第一の部材と、第二の部材と、第一の部材と第二の部材とを接合する焼結金属層と、を備え、焼結金属層が、第一の部材又は第二の部材と焼結金属層との界面に対して略平行に配向したフレーク状の銅粒子に由来する構造を含み、焼結金属層における銅の含有量が、焼結金属層の体積を基準として、65体積%以上である。

公开(公告)号：JP2018515348A

公开(公告)日：2018-06-14

申请号：JP2018507789

申请日：2016-04-27

申请人： オルメット・サーキッツ・インコーポレイテッド

发明人： シアラー・キャサリン ,  バーバー・ウンスク ,  マシューズ・マイケル

IPC分类号： B23K35/363 ,  H01L21/52 ,  B23K35/14

CPC分类号： H01L24/29 ,  B23K1/0016 ,  B23K35/0244 ,  B23K35/025 ,  B23K35/26 ,  B23K35/262 ,  B23K35/30 ,  B23K35/3006 ,  B23K35/3013 ,  B23K35/302 ,  B23K35/3026 ,  B23K35/3033 ,  B23K35/3046 ,  B23K35/3053 ,  B23K35/3613 ,  B23K35/362 ,  B23K2101/40 ,  B23K2103/56 ,  H01L23/488 ,  H01L23/49513 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/29205 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29218 ,  H01L2224/29224 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29249 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29257 ,  H01L2224/2926 ,  H01L2224/29264 ,  H01L2224/29269 ,  H01L2224/29273 ,  H01L2224/2928 ,  H01L2224/29284 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29305 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29349 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29357 ,  H01L2224/2936 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29373 ,  H01L2224/2938 ,  H01L2224/29384 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83825 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01058

摘要： 熱反応の後に60%超の金属体積を有する半導体ダイ接着組成物であって、(a)金属粒子の混合物であって、温度T1未満で溶融する少なくとも一種のLMP金属Yを含む鉛不含低融点(LMP)粒子組成物30〜70重量%、及び加工温度T1で前記少なくとも一種のLMP金属Yと反応性の少なくとも一種の金属元素Mを含む高融点(HMP)粒子組成物25〜70重量%を含み、ここでYの重量%に対するMの重量%の比率が少なくとも1.0である混合物80〜99重量%、(b)金属粉体添加物A 0〜30重量%、及び(c)揮発性部分を有し、非揮発性部分が50重量%以下の融剤ビヒクルを有する、半導体ダイ接着組成物。

公开(公告)号：JPWO2017022523A1

公开(公告)日：2018-05-24

申请号：JP2017510424

申请日：2016-07-22

申请人： 古河電気工業株式会社

发明人： 三原 尚明 ,  切替 徳之 ,  杉山 二朗

IPC分类号： H01B1/22 ,  C09J7/20 ,  C09J9/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J179/04 ,  C09J201/00 ,  H01B1/00 ,  H01L21/301 ,  H01L21/52

CPC分类号： C09J9/02 ,  C08K3/08 ,  C08K3/10 ,  C08K5/372 ,  C08K5/375 ,  C08K5/45 ,  C08K2003/085 ,  C08K2003/0862 ,  C08K2201/001 ,  C09J7/10 ,  C09J7/35 ,  C09J11/02 ,  C09J11/04 ,  C09J11/06 ,  C09J163/00 ,  C09J179/04 ,  C09J179/08 ,  C09J201/00 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/102 ,  C09J2463/00 ,  C09J2479/08 ,  H01B1/22 ,  H01L21/52 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/05 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29209 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29218 ,  H01L2224/29224 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29266 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29318 ,  H01L2224/29324 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29366 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/83855 ,  H01L2224/83906 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/0705 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 半導体パワー素子を金属リードフレームに接合する際、耐熱性と実装信頼性に優れ、かつ鉛フリーであり環境への付加の小さい手段を提供することを目的とする。すなわち、少なくともR−S−R’で示されるスルフィド化合物と、少なくともCu、Sn、Niのいずれかを含む金属粒子を必須成分として含む導電性組成物。(Rは少なくとも炭素を含む有機基であり、R’はRと同一もしくは異なる有機基である。なお、RとR’は結合していても、すなわち、いわゆる環状スルフィドであってもよい。)および、前記導電性組成物を用いて製造してなる導電性ペースト、導電性接着フィルム、さらには、前記導電性接着フィルムと粘着テープとを貼り合せてなる、ダイシングダイボンディングフィルム。

公开(公告)号：JP2017143134A

公开(公告)日：2017-08-17

申请号：JP2016022608

申请日：2016-02-09

申请人： 株式会社東芝

发明人： 許 育甄 ,  平塚 大祐

IPC分类号： B23K1/00 ,  B23K101/40 ,  H01L21/60

CPC分类号： H01L24/29 ,  H01L24/27 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/26165 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29305 ,  H01L2224/29309 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29313 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/83054 ,  H01L2224/8309 ,  H01L2224/8314 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/8321 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83905 ,  H01L2224/92247

摘要： 【課題】接合部の信頼性を向上させることができる半導体装置の製造方法、及び半導体装置を提供することである。 【解決手段】実施形態に係る半導体装置の製造方法は、基体の一方の表面に、複数の金属粒子を含むペーストから形成された膜と、前記膜の内部に設けられた複数の支持部と、を設ける工程と、前記膜の上に半導体素子を設ける工程と、前記膜を焼結させて前記基体と前記半導体素子とを接合する工程と、を備えている。前記支持部は、前記ペーストに含まれる前記金属粒子の焼結温度以下の温度で溶融する金属から形成されている。前記膜の上に半導体素子を設ける工程において、前記複数の支持部は、半導体素子を支持する。 【選択図】図1