半導体モジュールの製造方法
    4.
    发明专利
    半導体モジュールの製造方法 审中-公开
    制造半导体模块的方法

    公开(公告)号:JP2016122719A

    公开(公告)日:2016-07-07

    申请号:JP2014261498

    申请日:2014-12-25

    发明人: 加藤 彰

    摘要: 【課題】リードフレームとはんだとの良好な濡れ性と、リードフレーム等と封止樹脂体との高い密着性の双方を満足する半導体モジュールを製造する半導体モジュールの製造方法を提供する。 【解決手段】表面にNiめっき層2が形成され、Niめっき層2の表面にAuめっき層が形成されてなるリードフレーム1に対して半導体素子5をはんだ付けし、リードフレーム1と半導体素子5からなる中間体を製造する第1のステップ、中間体の表面にプライマーを塗布し、乾燥させてプライマー層6を形成する第2のステップ、プライマー層6の表面に封止樹脂体7を成形し、中間体と封止樹脂体7とからなる半導体モジュール20を製造する第3のステップからなる。第1のステップにおいて、半導体素子5のはんだ付け前に、もしくははんだ付け後に熱処理を施して、Niが拡散されたAuめっき層3’を形成する。 【選択図】図3

    摘要翻译: 要解决的问题:提供一种半导体模块的制造方法,其满足引线框架和焊料之间的优异润湿性以及引线框架等之间的高粘合性和密封树脂体。解决方案:一种半导体模块的制造方法 包括:制造由其表面上形成有Ni镀层2的引线框架1和在Ni镀层2的表面上形成Au镀层和半导体元件5的中间体的第一步骤 通过将半导体元件5焊接到引线框架1; 通过将底漆施用到中间体的表面并干燥底漆形成底漆层6的第二步骤; 以及通过在底漆层6的表面上模制密封树脂体7,制造由中间体和密封树脂体7构成的半导体模块20的第三步骤。第一步形成Au镀层3',其中Ni 通过在焊接半导体元件5之前或之后进行热处理来扩散。选择的图示:图3