半導体装置
    7.
    发明专利
    半導体装置 审中-公开

    公开(公告)号:JP2017183440A

    公开(公告)日:2017-10-05

    申请号:JP2016067036

    申请日:2016-03-30

    CPC classification number: H01L25/07 H01L25/18 H02M7/48 H01L2224/40

    Abstract: 【課題】絶縁の信頼性が低くなるという課題がある。 【解決手段】導体層334の中心Pから絶縁部材333の周縁部までの長さL2は、導体層334の中心Pからベース部材307の突出部307aの周縁部までの長さL1より長く形成されている。換言すると、突出部307aの周縁部のベース端面308は、絶縁部材333の周縁部の絶縁部材端面336よりも内部側に位置している。更に、絶縁部材333の絶縁部材端面336と導体層の導体層端面344は同一位置で端面を形成している。このように、突出部307aの周縁部のベース端面308が、絶縁部材333の周縁部の絶縁部材端面336よりも内部側に位置していることで絶縁距離を確保できる。 【選択図】 図3

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