公开(公告)号：JP2016111103A

公开(公告)日：2016-06-20

申请号：JP2014245389

申请日：2014-12-03

Applicant: 東京応化工業株式会社

Inventor： 中村 彰彦 ,  中田 公宏

IPC: H01L21/56 ,  B24B9/00 ,  B24B7/00 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L21/6835 ,  B32B37/182 ,  B32B38/0012 ,  H01L21/304 ,  H01L21/4803 ,  H01L21/565 ,  H01L23/3121 ,  B32B2037/1253 ,  B32B2037/268 ,  B32B2038/0016 ,  B32B2250/44 ,  B32B2255/10 ,  B32B2255/26 ,  B32B2307/732 ,  B32B2307/748 ,  B32B2310/0831 ,  B32B2457/08 ,  B32B2457/14 ,  B32B27/283 ,  B32B27/308 ,  B32B3/02 ,  B32B3/085 ,  B32B3/10 ,  B32B3/30 ,  B32B38/10 ,  B32B7/06 ,  B32B7/12 ,  B32B9/04 ,  H01L21/568 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/181

Abstract: 【課題】基板を封止するときに、基板と支持体との間に形成された接着層がはみ出すことを防止することができる積層体を製造する。 【解決手段】積層体10は、基板1における周縁部を研削して段差を形成することで、当該段差よりも内側の面の大きさを、金型20のキャビティに収容することができる大きさにし、段差を形成した後、基板1と、接着層3と、分離層4と、サポートプレート2とをこの順に積層し、基板1の段差よりも内側の面がサポートプレート2に対向するようにして製造する。 【選択図】図1

Abstract translation: 要解决的问题：制造能够防止在基板被包封时在基板和支撑体之间形成的粘合剂层突出的层压体。解决方案：制造层压体10，以便通过研磨周边边缘 部分在基板1中，从而将台阶内部的表面的尺寸设置为容纳在模具20的空腔中。在形成步骤之后，基板1，粘合剂层3，分离层 如图4所示，依次层叠支撑板2，并且基板1的台阶内侧的表面与支撑板2相对。图示：图1

公开(公告)号：JP2016029681A

公开(公告)日：2016-03-03

申请号：JP2014151520

申请日：2014-07-25

Applicant: イビデン株式会社

Inventor： 坂本 一

IPC: H05K3/46

CPC classification number: H01L23/49822 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/367 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49833 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68381 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/18

Abstract: 【課題】放熱性を向上することができる多層配線板を提供する。 【解決手段】多層配線板1は、主配線板20と該主配線板20の内部に埋設される配線構造体10とを備え、該配線構造体10に電気的に接続される半導体素子を実装するための多層配線板である。配線構造体10は、一方側に設けられる放熱部材120と、他方側に設けられる複数の導電パッド105と、放熱部材120と導電パッド105との間に配置される配線構造体絶縁層116,115,106と、配線構造体絶縁層116,115,106の内部に形成される複数の配線構造体ビア導体121,114,112とを有する。これらの配線構造体ビア導体121,114,112は導電パッド105から放熱部材120に向かって拡径している。 【選択図】図2

Abstract translation: 要解决的问题：提供可以提高辐射性能的多层布线板。解决方案：多层布线板1包括主布线板20和布置在主布线板20内部的布线结构10，用于安装电连接的半导体元件 具有接线结构。 布线结构10具有：设置在一侧的散热构件120; 设置在另一侧的多个导电焊盘105; 布置在散热构件120和导电垫105之间的布线结构绝缘层116,115,106; 以及分别形成在布线结构绝缘层116,115,106内部的多个布线结构通孔导体121,114,112。 每个布线结构通孔导体121,114,112具有随着距导电垫105朝向散热构件120的距离的增加而增加的直径。图2

公开(公告)号：JP5731080B2

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：JP2014546000

申请日：2014-03-27

Applicant: 古河電気工業株式会社

Inventor： 佐野 透 ,  杉山 二朗 ,  矢吹 朗

IPC: C09J4/00 ,  C09J133/06 ,  C09J133/14 ,  C09J175/04 ,  H01L21/301 ,  C09J7/02

CPC classification number: H01L21/6836 ,  C09J7/02 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68377

公开(公告)号：JP5705873B2

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：JP2012546181

申请日：2010-12-22

Applicant: スス マイクロテク リソグラフィー,ゲーエムベーハー

Inventor： ハーマノウスキー,ジェームズ

IPC: H01L21/683 ,  H01L21/304 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/67745 ,  H01L21/67132 ,  H01L21/6719 ,  H01L21/67207 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/6838 ,  H01L21/68742 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2924/30105 ,  Y10T156/1132 ,  Y10T156/15 ,  Y10T156/1944

公开(公告)号：JPWO2012176607A1

公开(公告)日：2015-02-23

申请号：JP2013521515

申请日：2012-05-31

Applicant: 東京応化工業株式会社

Inventor： 藤井　恭 ,  恭 藤井 ,  達弘 御嶽 ,  達弘 御嶽 ,  松下　淳 ,  淳 松下

IPC: H01L21/02

CPC classification number: C23C16/50 ,  C23C16/26 ,  C23C16/505 ,  H01L21/0212 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/6835 ,  H01L2221/68318 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T428/31504

Abstract: 基板(1)と支持体(4)との間に設けられ、支持体(4)を介して照射される光を吸収することによって変質するようになっている分離層(3)を、モードジャンプを起こす電力よりも大きくなるように設定された高周波電力を用いてプラズマCVD法を実行することにより形成する。

Abstract translation: 在基板（1）支撑件（4）之间设置，所述分离层由通过所述支撑件（4）至（3）中，模式跳跃吸墨照射的光适合于改变 使用高频功率被设定为比通过进行等离子体CVD法使形成的功率时。

公开(公告)号：JP5557439B2

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：JP2008274253

申请日：2008-10-24

Applicant: ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエルPS4 Luxco S.a.r.l.

Inventor： 光久 渡部 ,  文友 渡辺

IPC: H01L23/12 ,  H01L23/28

CPC classification number: H01L23/49816 ,  H01L21/561 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/16 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/4824 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73215 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85201 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/15159 ,  H01L2924/15184 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1532 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/0401

Abstract: A semiconductor device includes: a substrate having first and second surfaces, the first surface comprising first and second regions; a first semiconductor chip covering the first region; a first seal covering the second region and the first semiconductor chip; and a second seal covering the second surface.

公开(公告)号：JP2014067879A

公开(公告)日：2014-04-17

申请号：JP2012212494

申请日：2012-09-26

Applicant: Renesas Electronics Corp ,  ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： FUNATSU KATSUHIKO ,  UNO TOMOAKI ,  UEKURI TORU ,  SATO YUKIHIRO

IPC: H01L21/56 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/50 ,  H01L21/4835 ,  H01L21/4839 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/495 ,  H01L23/49503 ,  H01L23/49537 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49548 ,  H01L23/49562 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/34 ,  H01L24/36 ,  H01L24/37 ,  H01L24/40 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/40095 ,  H01L2224/40245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73221 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/8385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/30107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

Abstract: PROBLEM TO BE SOLVED: To improve reliability in attachment of a tape to a rear face of a base material while ensuring heat resistance of the tap attached to the rear face of the base material.SOLUTION: A semiconductor device is constructed so as to make a clearance between a bottom surface BS of a trench DIT provided in a support member SU and a top face of a driver IC chip CHP(C). On the other hand, a lead frame LF1 is supported by a supporting member SU on a surface side such that the bottom surface BS of the trench DIT touches a top face of a Low-MOS clip CLP(L) mounted on a Low-MOS chip CHP(L). Because of this, a tape TP can be successfully attached to a rear face (especially, a real face of a product region PR) of the lead frame LF1 even in a state where a driver IC chip CHP(C) and the Low-MOS chip CHP(L) are mounted on the surface side of the lead frame LF1.

Abstract translation: 要解决的问题：提高将带附着到基材的后表面上的可靠性，同时确保附着在基材的背面上的龙头的耐热性。解决方案：半导体器件被构造成使 设置在支撑构件SU中的沟槽DIT的底表面BS与驱动器IC芯片CHP（C）的顶面之间的间隙。 另一方面，引线框架LF1由表面侧的支撑构件SU支撑，使得沟槽DIT的底面BS接触安装在低MOS上的低MOS缓冲器CLP（L）的顶面 芯片CHP（L）。 因此，即使在驱动IC芯片CHP（C）和Low-MOS（C））的状态下，也可以将带材TP成功地附着到引线框架LF1的背面（特别是产品区域PR的真实面） 芯片CHP（L）安装在引线框架LF1的表面侧。

公开(公告)号：JP4991024B1

公开(公告)日：2012-08-01

申请号：JP2012512089

申请日：2011-11-16

Applicant: 株式会社きもと

Inventor： 光則 丸山 ,  信行 阿部

IPC: H01L21/301

CPC classification number: H01L21/6836 ,  B23K26/18 ,  B23K26/38 ,  B23K26/40 ,  B23K26/70 ,  B23K2201/40 ,  B23K2203/50 ,  C09J7/243 ,  C09J7/29 ,  C09J2203/326 ,  C09J2205/31 ,  C09J2423/006 ,  C09J2433/00 ,  C09J2475/00 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2221/68381 ,  Y10T428/264 ,  Y10T428/269 ,  Y10T428/2809 ,  Y10T428/2848

Abstract: An auxiliary sheet for laser dicing, which is not cut fully even in a dicing step using a short-wavelength laser and does not deteriorate workability, is provided. The auxiliary sheet for laser dicing of the present invention is characterized by comprising a substrate formed of a polyolefin film and an adhesive layer provided to one surface of the substrate, wherein total light transmittance is 50% or higher in a wavelength range of 300 to 400nm and haze is 70% or higher in a wavelength range of 300 to 400nm.

公开(公告)号：JP4881620B2

公开(公告)日：2012-02-22

申请号：JP2006001027

申请日：2006-01-06

Applicant: ルネサスエレクトロニクス株式会社

Inventor： 好彦 嶋貫

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/12

CPC classification number: H01L24/85 ,  H01L21/561 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/544 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/78 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/4809 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48228 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/48499 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/4911 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49429 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/78301 ,  H01L2224/78302 ,  H01L2224/85001 ,  H01L2224/85009 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/8518 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/06506 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/85 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2224/4554

Abstract: A semiconductor device including a package substrate having, at the periphery of the main surface thereof, bonding leads disposed in a row, a semiconductor chip mounted inside of the row of the bonding leads on the main surface of the package substrate, wires for connecting pads of the semiconductor chip and the bonding leads of the substrate, a sealing body for resin sealing the semiconductor chip and the wires, and solder bumps disposed on the back surface of the package substrate. The top of loop of each of the wires is disposed outside the wire connecting portion so that the wire connection between the bonding leads and the pads of the semiconductor chip has a stable loop shape to prevent wire connection failure.

公开(公告)号：JP4871280B2

公开(公告)日：2012-02-08

申请号：JP2007533065

申请日：2005-08-30

Applicant: スパンション エルエルシー

Inventor： 正徳 小野寺 ,  淳二 田中 ,  弘一 目黒

IPC: H01L25/10 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L25/11 ,  H01L25/18

CPC classification number: H01L25/50 ,  G06F1/183 ,  H01L21/56 ,  H01L21/563 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/66 ,  H01L24/11 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/85 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/18 ,  H01L2221/68331 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06568 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2225/06586 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/4554

Abstract: Various embodiments of the present invention include a semiconductor device and a fabrication method therefore, the semiconductor device including a first semiconductor chip disposed on a substrate, a first sealing resin sealing the first semiconductor chip, a built-in semiconductor device disposed on the first sealing resin, and a second sealing resin sealing the first sealing resin and the built-in semiconductor device and covering a side surface of the substrate. According to an aspect of the present invention, it is possible to provide a high-quality semiconductor device and a fabrication method therefore, in which downsizing and cost reduction can be realized.

Abstract translation: 本发明的各种实施例包括半导体器件和制造方法，其中半导体器件包括设置在基片上的第一半导体芯片，密封第一半导体芯片的第一密封树脂，设置在第一密封件上的内置半导体器件 树脂和密封第一密封树脂和内置半导体器件并覆盖基板的侧表面的第二密封树脂。 根据本发明的一个方面，可以提供一种能够实现小型化和降低成本的高质量半导体器件和制造方法。