公开(公告)号：KR20180034221A

公开(公告)日：2018-04-04

申请号：KR20170110736

申请日：2017-08-31

IPC分类号： H01L21/311 ,  H01L21/02 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3065

CPC分类号： H01L21/76829 ,  H01L21/02126 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/02321 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76834 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/53295

摘要： 반도체디바이스를제조하는방법에있어서, 제1 층간유전체층이기판위에형성된다. 제1 오목부가제1 층간유전체층에형성된다. 제1 금속배선이제1 오목부에형성된다. 제1 내에칭층이제1 금속배선사이의제1 층간유전체층의표면에는형성되지만제1 금속배선의상부표면상에는형성되지않는다. 제1 절연층이제1 내에칭층및 제1 금속배선의상부표면상에형성된다.

摘要翻译： 在用于制造半导体器件的方法中，在衬底上形成第一层间电介质层。 第一凹陷形成在第一层间电介质层中。 第一金属布线形成在第一凹部中。 第一蚀刻阻抗层形成在第一金属配线之间的第一层间电介质层的表面中而不形成在第一金属配线的上表面上。 第一绝缘层形成在第一蚀刻阻挡层和第一金属配线的上表面上。

公开(公告)号：KR101795875B1

公开(公告)日：2017-11-08

申请号：KR1020150179147

申请日：2015-12-15

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 차이천쉬엉 ,  유궈펭 ,  첸케이웨이

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L29/66 ,  H01L21/027

CPC分类号： H01L29/7834 ,  H01L21/2236 ,  H01L21/2254 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L27/0924 ,  H01L29/66492 ,  H01L29/66803

摘要： 반도체구조물은, 기판, 제1 반도체핀, 제2 반도체핀, 및제1 저농도도핑된드레인(LDD) 영역을포함한다. 제1 반도체핀은기판상에배치된다. 제1 반도체핀은상부표면및 측벽을갖는다. 제2 반도체핀은기판상에배치된다. 제1 반도체핀과제2 반도체핀은나노스케일간격으로서로떨어져있다. 제1 저농도도핑된드레인(LDD) 영역은적어도제1 반도체핀의상부표면및 측벽에배치된다.

摘要翻译： 该半导体结构包括衬底，第一半导体鳍片，第二半导体鳍片以及轻掺杂漏极（LDD）区域。 第一半导体鳍片设置在基板上。 第一半导体鳍片具有上表面和侧壁。 第二半导体鳍片设置在基板上。 第一个半导体引脚任务2半导体引脚以纳米级间隔相互隔开。 第一轻掺杂漏极（LDD）区域至少设置在第一半导体鳍片的顶面和侧壁上。

公开(公告)号：KR101729241B1

公开(公告)日：2017-04-21

申请号：KR1020140190963

申请日：2014-12-26

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 치앙쑹-유 ,  린충-웨이 ,  첸쾅-신 ,  티엔보-젠

IPC分类号： H01L29/78

CPC分类号： H01L21/76237 ,  H01L21/2636 ,  H01L21/266 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/845 ,  H01L27/0886 ,  H01L27/1211 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

摘要： 반도체디바이스를형성하는기구의실시예가제공된다. 이반도체디바이스는제1 아이솔레이션구조에의해부분적으로둘러싸이고그 정상면을통과해돌출하는제1 핀을포함한다. 반도체디바이스는또한제2 아이솔레이션구조에의해부분적으로둘러싸이고그 정상면을통과해돌출하는제2 핀을포함한다. 제1 아이솔레이션구조의정상면이제2 아이솔레이션구조의정상면보다높아, 제2 핀이제1 핀보다높은높이를갖는다. 제2 아이솔레이션구조는제1 아이솔레이션구조보다높은도펀트농도를갖는다.

摘要翻译： 提供了用于形成半导体器件的机构的实施例。 护套装置包括第一鳍状物，该第一鳍状物被第一隔离结构部分地围绕并且突出穿过其顶表面。 半导体器件还包括第二鳍状物，其由第二隔离结构部分地围绕并且突出穿过其顶表面。 第一隔离结构的顶部表面现在高于双隔离结构的顶部表面，并且第二引脚现在具有高于一个引脚的高度。 第二隔离结构具有比第一隔离结构更高的掺杂剂浓度。

公开(公告)号：KR1020160148122A

公开(公告)日：2016-12-26

申请号：KR1020150084318

申请日：2015-06-15

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 최경인 ,  장재란 ,  김윤해

IPC分类号： H01L29/66 ,  H01L21/28 ,  H01L21/768

CPC分类号： H01L21/76825 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76805 ,  H01L21/76889 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823468 ,  H01L21/823475 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823871 ,  H01L21/823878 ,  H01L27/1104 ,  H01L27/1116 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848

摘要： 본발명은전계효과트랜지스터를포함하는반도체소자의제조방법에관한것으로, 보다구체적으로기판상에게이트패턴을형성하는것; 상기게이트패턴의양 측벽들을덮는스페이서들을형성하는것; 상기게이트패턴및 상기스페이서들을덮는층간절연막을형성하는것; 및상기층간절연막을관통하면서, 상기스페이서들의측벽들을노출하는콘택홀들을형성하는것을포함할수 있다. 이때, 상기스페이서들을형성하는것은: 상기게이트패턴을덮는스페이서막을형성하는것; 및상기스페이서막에실리콘이온주입을수행하는것을포함하며, 상기스페이서막은실리콘산화막보다유전상수가낮은질화막계열의 low-k 절연막일수 있다.

摘要翻译： 制造半导体器件的方法包括在衬底上形成栅极图案，形成间隔物以覆盖栅极图案的两个侧壁，形成层间绝缘层以覆盖栅极图案和间隔物，并形成穿透层间绝缘层的接触孔 并暴露间隔物的侧壁。 间隔件的形成包括形成间隔层以覆盖栅极图案并将硅离子注入间隔层。 间隔层是介电常数低于氧化硅的介电常数的氮化物基低k绝缘层。

公开(公告)号：KR101656135B1

公开(公告)日：2016-09-08

申请号：KR1020140067679

申请日：2014-06-03

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 첸메이춘 ,  하오칭첸 ,  찬웬신 ,  왕차오주이

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/336 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L21/28247 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76825 ,  H01L21/76834 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76895 ,  H01L21/76897 ,  H01L23/485 ,  H01L29/408 ,  H01L29/518 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659 ,  H01L29/7833 ,  H01L29/7843 ,  H01L2221/1063 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 반도체디바이스를형성하기위한메커니즘들의실시예들이제공된다. 반도체디바이스는제1 도핑된영역및 제2 도핑된영역을갖는반도체기판, 및반도체기판상에형성된게이트스택을포함한다. 반도체디바이스는또한게이트스택의측벽상에형성된메인스페이서층을포함한다. 반도체디바이스는메인스페이서층과반도체기판사이에형성된보호층을더 포함하며, 보호층은 4가원소로도핑된다. 또한, 반도체디바이스는게이트스택및 반도체기판상에형성된절연층, 및절연층 내에형성된콘택을포함한다. 콘택은제1 도핑된부분과접촉하는제1 부분을갖고, 제2 도핑된영역과접촉하는제2 부분을갖는다. 제1 영역은제2 부분보다반도체기판내로더 깊게연장된다.

公开(公告)号：KR1020160105896A

公开(公告)日：2016-09-07

申请号：KR1020167021530

申请日：2014-12-18

申请人： 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드

发明人： 만나,프라미트 ,  말릭,아브히지트바수 ,  고데트,루도빅 ,  첸,용메이 ,  수에,준 ,  스리니바산,무쿤드 ,  이예,엘리에와이. ,  네마니,스리니바스디.

IPC分类号： H01L21/308 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3115 ,  H01L21/324

CPC分类号： H01L21/3086 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/324

摘要： 본원에서설명되는실시예들은, 에칭선택성하드마스크를형성하는방법을제공한다. 비정질탄소하드마스크에다양한도펀트들이주입되어, 하드마스크의경도및 밀도가증가된다. 비정질탄소하드마스크의이온주입은또한, 하드마스크의내부응력을유지하거나또는감소시킨다. 에칭선택성하드마스크는일반적으로, 진보된 NAND 및 DRAM 디바이스들에서의개선된패터닝을제공한다.

公开(公告)号：KR1020160048932A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：KR1020167008282

申请日：2014-08-22

申请人： 캐논 가부시끼가이샤

发明人： 혼마다케시 ,  이토도시키 ,  가토준 ,  요네자와시오리 ,  가와사키요오지

IPC分类号： G03F7/00 ,  B29C59/02 ,  C08F2/50 ,  G03F7/20 ,  G03F9/00

CPC分类号： C08F2/50 ,  C09D4/00 ,  G02B1/12 ,  G03F7/0002 ,  G03F7/031 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31155 ,  B29C59/02 ,  C08L33/08 ,  G03F7/70775 ,  G03F9/7042 ,  C08F2220/1875 ,  C08F2220/185 ,  C08F2222/1013 ,  C08F2222/102

摘要： 중합성화합물성분 (A) 및광중합개시제성분 (B)를적어도포함하고, 하기수학식 1 및 2를만족하는, 광임프린트용경화성조성물. 0.800 ≤ Er/Er 2.55 GPa ≤ Er상기식에서, Er은 10 mJ/cm의광으로상기광임프린트용경화성조성물의막을노광함으로써제조되는광경화막의탄성률 (GPa)을나타내고; Er은 200 mJ/cm의광으로상기광임프린트용경화성조성물의막을노광함으로써제조되는광경화막의탄성률 (GPa)을나타낸다.

公开(公告)号：KR1020150111722A

公开(公告)日：2015-10-06

申请号：KR1020140035447

申请日：2014-03-26

申请人： 에스케이하이닉스 주식회사

发明人： 이유준 ,  장경철

IPC分类号： H01L21/318 ,  H01L21/31

CPC分类号： H01L29/4236 ,  H01L21/02329 ,  H01L21/26506 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/1052 ,  H01L27/10823 ,  H01L27/11568 ,  H01L29/0642 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7923

摘要： 본발명은활성영역및 소자분리막을포함하는반도체소자에있어서, 상기활성영역측벽하단에구비된제 1 라이너질화막과, 활성영역측벽상단에구비되며, 상기제 1 라이너질화막보다높은농도의질소를포함하는제 2 라이너질화막을포함하는것을특징으로한다.

摘要翻译： 具有根据本发明的有源区和器件分离膜的半导体器件包括：形成在有源区的侧壁的下端上的第一衬里氮化物膜; 以及具有比所述第一衬里氮化物膜高的浓度的氮的第二衬里氮化物膜，其中所述第二衬里氮化物膜形成在所述有源区的侧壁的上端。

公开(公告)号：KR1020150088887A

公开(公告)日：2015-08-03

申请号：KR1020157017254

申请日：2013-11-26

申请人： 디3 세미컨덕터 엘엘씨

发明人： 해링톤토마스이. ,  양로버트쿠오-창

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L29/06 ,  H01L29/66 ,  H01L29/78 ,  H01L29/739

CPC分类号： H01L29/7813 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/3083 ,  H01L21/31155 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0634 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0696 ,  H01L29/1095 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42376 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66348 ,  H01L29/66666 ,  H01L29/66719 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7827

摘要： 팔각형또는역-팔각형의(inverse-octagonal) 게이트트렌치와결합하여팔각형또는역-팔각형의깊은트렌치초접합(super-junction)을이용하는반도체전계효과디바이스를개시한다. 전계효과디바이스는개선된패킹밀도, 개선된전류밀도및 개선된온-저항을달성하면서도, 동시에네이티브포토마스크프로세싱의 45° 각도의배수들과호환성을유지하고, 선택적인에피택셜리필(refill)과게이트산화를위한잘 특징지어진 (010), (100) 및 (110) (그리고, 그들과동등한) 실리콘측벽표면들을가질수 있으며, 이는결과적으로스케일러빌리티를향상시킨다. 각각의측벽표면의상대적인길이를변경함으로써, 추가적인프로세싱단계들없이서로다른임계전압들을가진디바이스들이달성될수 있다. 변화하는측벽길이들을갖는트렌치들을믹싱(mixing)하는것이또한선택적인에피택셜리필동안스트레스평형(stress balancing)을가능하게한다.

摘要翻译： 公开了半导体场效应器件，其利用与八边形或反八边形栅极沟槽组合的八边形或反八边形深沟槽超结。 场效应器件实现了改进的封装密度，改善的电流密度和改进的导通电阻，同时保持与45度角的天然光掩模处理的兼容性并具有良好的特征（010），（100 ）和（110）（及其等效的）硅侧壁表面，用于选择性外延填充和栅极氧化，从而提高了可扩展性。 通过改变每个侧壁表面的相对长度，可以在没有额外的处理步骤的情况下实现具有不同阈值电压的装置。 具有不同侧壁长度的混合沟槽也允许在选择性外延填充期间的应力平衡。

公开(公告)号：KR1020150039730A

公开(公告)日：2015-04-13

申请号：KR1020150041710

申请日：2015-03-25

申请人： 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼

发明人： 이치조미츠히로 ,  오카자키켄이치 ,  타나카테츠히로 ,  오츠키타카시 ,  야스모토세이지 ,  야마자키순페이

IPC分类号： H01L29/786 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L27/1266 ,  C23C16/02 ,  C23C16/401 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/02332 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/02354 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/31155 ,  H01L21/3143 ,  H01L21/31608 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/13 ,  H01L29/78606 ,  H01L2924/13069

摘要： 본발명은반도체집적회로에사용하는절연막으로서막 두께가얇아도신뢰성을확보할수 있는절연막의제작방법을제공하는것을과제로한다. 특히, 유리등의대면적화가가능한절연표면을갖는기판위에낮은기판온도로고품질의절연막을제공하는것을과제로한다. 챔버에모노실란가스(SiH), 아산화질소(NO) 및희소가스를도입하고, 10Pa 내지 30Pa의압력하에서고밀도플라즈마를발생시킴으로써, 유리등의절연표면을갖는기판위에절연막을형성한다. 그후, 모노실란가스의공급을정지하고, 대기에노출시키지않고아산화질소(NO) 및희소가스를도입함으로써, 절연막표면에플라즈마처리를행한다.

摘要翻译： 本发明的主题是提供即使膜厚较薄的半导体集成电路用绝缘膜也能够确保依赖性的绝缘膜的方法。 特别地，本发明的目的在于提供一种在具有绝缘表面的基板上的低基板温度下的高质量绝缘膜，该绝缘表面的面积可以被扩大。 通过在室内引入单硅烷气体（SiH_4），一氧化二氮（N_2O）和稀有气体，并在10Pa至30Pa的压力下产生高密度等离子体，在具有绝缘表面如玻璃等的基板上形成绝缘膜 然后，通过停止供应单硅烷气体并引入一氧化二氮（N_2O）和稀有气体而不暴露于大气，在绝缘膜的表面上进行等离子体处理。