公开(公告)号：KR101830043B1

公开(公告)日：2018-02-19

申请号：KR1020177022527

申请日：2014-09-18

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 나이르비제이케이 ,  메이어토르스텐

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L23/28 ,  H01L23/48 ,  H01L23/488 ,  H01L25/07 ,  H01L23/498 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L25/162 ,  H01L21/568 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/05 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/96 ,  H01L24/97 ,  H01L25/03 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/05571 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16505 ,  H01L2224/24137 ,  H01L2224/24195 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/96 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/0652 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06572 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/141 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15321 ,  H01L2924/15323 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/19011 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2224/81

摘要： 본발명은멀티-다이패키지를제공한다. 멀티-다이패키지는제 1 표면및 상기제 1 표면에대향하는제 2 표면을갖는몰드층, 하나이상의제 1 전기부품 - 상기제 1 전기부품의각각은상기몰드층의제 1 표면에대면하도록배향되어있는납땜가능한단자를가짐 -, 및하나이상의제 2 전기부품 - 상기제 2 전기부품의각각은상기몰드층의제 2 표면에대면하도록배향되어있는제 2 유형의단자를가짐 - 을포함한다.

摘要翻译： 本发明提供了一种多管芯封装。 多管芯封装包括具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的模具层，至少一个第一电气部件，每个第一电气部件具有取向 以及一个或多个第二电气部件，每个第二电气部件具有定向为面对模具层的第二表面的第二类型端子。

公开(公告)号：KR101785306B1

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：KR1020157031999

申请日：2014-12-09

申请人： 인텔 코포레이션

发明人： 앨버스스벤 ,  볼터안드레아스 ,  레잉그루버클라우스 ,  메이어토르스텐

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L23/00 ,  H01L25/065 ,  H01L25/07 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31

CPC分类号： H01L25/16 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/48 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/552 ,  H01L23/66 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/92 ,  H01L24/96 ,  H01L25/065 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/07 ,  H01L25/50 ,  H01L28/00 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81201 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014

摘要： 방법은빌드-업프로세스(build-up process)에의해기판상에적어도하나의수동구조체(passive structure)를형성하는단계와, 기판상에하나이상의집적회로칩들을도입하는단계와, 적어도하나의수동구조체및 하나이상의집적회로칩들상에몰딩화합물(molding compound)을도입하는단계를포함한다. 방법은 3차원인쇄프로세스에의해기판상에적어도하나의수동구조체를형성하는단계와, 기판상에하나이상의집적회로칩들을도입하는단계와, 적어도하나의수동구조체및 하나이상의집적회로칩들을몰딩화합물에매립하는단계를포함한다. 디바이스는몰딩재료에매립된적어도하나의 3차원인쇄수동구조체및 하나이상의집적회로칩들을포함하는패키지기판을포함한다.

公开(公告)号：KR1020170111677A

公开(公告)日：2017-10-12

申请号：KR1020160037600

申请日：2016-03-29

申请人： 삼성전기주식회사

发明人： 백용호 ,  조정현 ,  이형기

IPC分类号： H05K3/46 ,  H05K3/42 ,  H05K3/00 ,  H05K1/03 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15313

摘要： 인쇄회로기판이개시된다. 본발명에따른인쇄회로기판은복수의다이(Die)를전기적으로연결하기위한고밀도의브리지(bridge) 회로를구비한브리지회로층, 브리지회로층이내장되며브리지회로보다밀도가낮은저밀도회로를구비한저밀도회로층을포함하고, 브리지회로층의일면또는타면에는접속패드가형성되고접속패드는비아또는솔더범프를통하여저밀도회로와전기적으로연결된다.

摘要翻译： 公开了一种印刷电路板。 根据本发明的印刷电路板包括具有用于电连接多个管芯的高密度桥接电路的桥接电路层，具有桥接电路层且密度低于桥接电路的低密度电路 密度电路层和连接焊盘形成在桥电路层的一个表面或另一个表面上，并且连接焊盘通过通孔或焊料凸点电连接到低密度电路。

公开(公告)号：KR101774415B1

公开(公告)日：2017-09-04

申请号：KR1020157026324

申请日：2013-12-19

申请人： 애플 인크.

发明人： 패이,앤토니 ,  보일,에반,알. ,  양,지핑 ,  우,종화

IPC分类号： H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L23/538 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/4853 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5283 ,  H01L23/5286 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/552 ,  H01L23/60 ,  H01L24/06 ,  H01L24/14 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/85 ,  H01L25/065 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/06151 ,  H01L2224/06177 ,  H01L2224/1405 ,  H01L2224/1414 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48106 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85399 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06537 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/1443 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15312 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207 ,  H01L2224/45099

摘要： 적층형반도체메모리패키지들에대한시스템들및 방법들이제공된다. 각각의패키지는두 개의채널들을통해패키지내에적층된메모리다이들로데이터를송신할수 있는집적회로("IC") 패키지기판을포함할수 있다. 각각의채널은 IC 패키지기판의한쪽측부상에위치될수 있고, 각각의채널로부터의신호들이그들의각자의측부들로부터메모리다이들로라우팅될수 있다.

摘要翻译： 提供了用于堆叠半导体存储器封装的系统和方法。 每个封装可以包括集成电路（“IC”）封装衬底，其可以通过两个通道将数据传输到堆叠在封装中的存储器管芯。 每个通道可以位于IC封装基板的一侧，并且来自每个通道的信号可以从它们各自的一侧路由到存储器管芯。

公开(公告)号：KR1020160122670A

公开(公告)日：2016-10-24

申请号：KR1020160045827

申请日：2016-04-14

申请人： 앰코 테크놀로지 인코포레이티드

发明人： 마이클켈리 ,  로날드패트릭휴모엘러 ,  데이비드존하이너

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0655 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5385 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68359 ,  H01L2221/68363 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83102 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/19 ,  H01L24/20 ,  H01L24/24 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652

摘要： 고라우팅밀도패치를갖는반도체패키지를위한방법들및 시스템들이발명되고, 서브스트레이트에본딩된반도체다이와서브스트레이트및 반도체다이에본딩된고라우팅밀도패치를포함하되, 고라우팅밀도패치는서브스트레이트보다조밀한트레이스라인밀도를포함한다. 고라우팅밀도패치는, BEOL 영역을포함하는, 실리콘이없는집적모듈(SLIM) 패치일수 있고, 그리고 TSV가없을수 있다. 금속컨택들이서브스트레이트의제2면에형성될수 있다. 제2반도체다이가서브스트레이트와고라우팅밀도패치에본딩될수 있다. 고라우팅밀도패치는반도체다이사이에전기적상호접속을제공할수 있다. 서브스트레이트는실리콘인터포저에본딩될수 있다. 고라우팅밀도패치는 10 마이크론이하의두께를가질수 있다. 서브스트레이트는 10 마이크론이하의두께를가질수 있다.

摘要翻译： 公开了具有高路由密度布线贴片的半导体封装的方法和系统，并且可以包括结合到衬底的半导体管芯和结合到衬底和半导体管芯的高路由密度补片，其中高路由密度补丁包括更密集的 痕量线密度比底物。 高路由密度贴片可以是无硅集成模块（SLIM）贴片，其包括BEOL部分，并且可以是无TSV的。 可以在基板的第二表面上形成金属接触。 第二半导体管芯可以结合到衬底和高路由密度贴片。 高路由密度贴片可以提供半导体管芯之间的电互连。 衬底可以结合到硅插入器。 高路由密度贴片可以具有10微米或更小的厚度。 基底可以具有10微米或更小的厚度。

公开(公告)号：KR1020160110659A

公开(公告)日：2016-09-22

申请号：KR1020150033255

申请日：2015-03-10

申请人： 삼성전자주식회사

发明人： 김영자 ,  김봉찬

IPC分类号： H01L23/60 ,  H01L23/62 ,  H01L23/28 ,  H01L23/00

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/561 ,  H01L21/78 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/85 ,  H01L23/60 ,  H01L23/28 ,  H01L23/62 ,  H01L24/98

摘要： 본발명은반도체패키지제조방법을제공한다. 반도체패키지제조방법은기판상에복수개의반도체칩들을형성하고, 상기반도체칩들을덮는몰드막을형성하고, 상기몰드막상에제 1 차폐층을형성하고, 상기몰드막및 상기제 1 차폐층을커팅하여, 상기반도체칩들사이에홈들을형성하고, 상기홈들을채우는제 2 차폐층을형성하고, 그리고상기제 2 차폐층과상기기판을잘라상기반도체칩들을서로분리시키는것을포함한다.

摘要翻译： 本发明提供一种半导体封装的制造方法。 制造半导体封装的方法包括：在衬底上形成多个半导体芯片; 形成覆盖半导体芯片的模具膜; 在所述模具膜上形成第一屏蔽层; 通过切割模具膜和第一屏蔽层在半导体芯片之间形成槽; 形成第二屏蔽层以填充所述凹槽; 以及通过切割所述第二屏蔽层和所述基板来分离所述半导体芯片。

公开(公告)号：KR1020160110051A

公开(公告)日：2016-09-21

申请号：KR1020150157985

申请日：2015-11-11

申请人： 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드

发明人： 유첸후아 ,  훙주이핀 ,  쳉밍다

IPC分类号： H01L23/31 ,  H01L23/525

CPC分类号： H01L23/552 ,  H01L21/311 ,  H01L21/32051 ,  H01L21/565 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/16 ,  H01L23/3107 ,  H01L24/02 ,  H01L24/96 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/18 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/6835 ,  H01L2224/0231 ,  H01L2224/0237 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/1421 ,  H01L2924/1438 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2224/03

摘要： 반도체구조체는복수의디바이스; 복수의디바이스를둘러싸며복수의디바이스중 적어도하나의디바이스의능동컴포넌트에인접한제1 표면및 제1 표면을등지고있는제2 표면을포함하는몰딩; 및몰딩내에그리고복수의디바이스중 두개 이상의디바이스사이에배치되는차폐구조체를포함하고, 차폐구조체는몰딩의제1 표면에인접한제1 표면및 몰딩의제2 표면에인접한제2 표면을포함하고, 차폐구조체의제2 표면은몰딩의제1 표면을향해오목하게되는오목부를포함한다.

摘要翻译： 半导体结构包括多个器件; 围绕所述多个装置的模制件，并且包括与所述多个装置中的至少一个装置的活动部件相邻的第一表面和与所述第一表面相对的第二表面; 以及屏蔽结构，其设置在所述模制件内并且在所述多个装置中的两个或更多个装置之间，其中所述屏蔽结构包括邻近所述模制件的第一表面的第一表面和邻近所述模制件的第二表面的第二表面， 屏蔽结构的第二表面包括朝向模制品的第一表面凹陷的凹形单元。

公开(公告)号：KR101640078B1

公开(公告)日：2016-07-15

申请号：KR1020140135819

申请日：2014-10-08

申请人： 앰코 테크놀로지 코리아 주식회사

发明人： 박동주 ,  박재성 ,  김진성 ,  윤주훈

IPC分类号： H01L23/00 ,  H01L23/31 ,  H01L23/498

CPC分类号： H01L24/32 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5385 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/105 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16146 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/29006 ,  H01L2224/29294 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29386 ,  H01L2224/2939 ,  H01L2224/29393 ,  H01L2224/294 ,  H01L2224/32058 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81447 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/83385 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/92225 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2225/107 ,  H01L2225/1094 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2224/16 ,  H01L21/56 ,  H01L21/304 ,  H01L2224/27 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00

摘要： 본발명은적층형반도체패키지및 이의제조방법에관한것으로서, 더욱상세하게는도전성입자를갖는접착부재를이용하여하부반도체패키지와인터포저간의본드라인증대및 접합력향상을도모할수 있도록한 적층형반도체패키지및 이의제조방법에관한것이다. 즉, 본발명은도전성입자를포함하는접착부재를이용하여하부반도체패키지와인터포저간을도전가능하게연결하는동시에상호접착시킬수 있도록함으로써, 하부반도체패키지와인터포저간의전기적신호전달이용이하게이루어짐은물론하부반도체패키지와인터포저간의본드라인증대및 접합력향상을도모할수 있도록한 적층형반도체패키지및 이의제조방법을제공하고자한 것이다.

公开(公告)号：KR1020160066311A

公开(公告)日：2016-06-10

申请号：KR1020140170523

申请日：2014-12-02

申请人： 삼성전기주식회사

发明人： 김형택 ,  김세종

IPC分类号： H01L23/58 ,  H01L23/28

CPC分类号： H01L23/645 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/5383 ,  H01L23/5384 ,  H01L24/16 ,  H01L24/48 ,  H01L28/10 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3025 ,  H01L23/58 ,  H01L23/28 ,  H01L23/585 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 기판과, 상기기판에실장되는적어도하나이상의칩부재와, 상기칩부재가매립되도록상기기판상에적층되는몰딩부및 상기칩부재의상부에배치되도록상기몰딩부내에매립되며적어도하나이상의인덕터를포함하는반도체패키지가개시된다.

摘要翻译： 公开了一种半导体封装，其包括：板; 安装在所述板上的至少一个芯片构件; 堆叠在所述板上以将所述芯片构件嵌入其中的模制单元; 以及嵌入在所述模制单元中的至少一个电感器，以布置在所述芯片构件的上部。 因此，半导体封装可以薄。

公开(公告)号：KR1020160055968A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：KR1020167011759

申请日：2010-10-15

申请人： 테세라, 인코포레이티드

发明人： 오가네시안베이그 ,  하바벨가셈 ,  미셀크레이그 ,  모하메드일야스 ,  사발리아피유시

IPC分类号： H01L23/538 ,  H01L23/00 ,  H01L21/768 ,  H01L25/10 ,  H01L25/11 ,  H01L25/00

CPC分类号： H01L21/76819 ,  H01L21/76877 ,  H01L23/13 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/4985 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L24/24 ,  H01L24/25 ,  H01L24/82 ,  H01L24/97 ,  H01L25/105 ,  H01L25/117 ,  H01L25/16 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/16235 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/24247 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2224/97 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1029 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1041 ,  H01L2225/1052 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15156 ,  H01L2924/15165 ,  H01L2924/15192 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15313 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/18161 ,  Y10T29/49002 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/83 ,  H01L24/20

摘要： 미세전자유닛은, 전면, 전면으로부터이격된후면, 및전면에개구를가진리세스를가진캐리어구조와캐리어구조의전면아래에위치된내부표면을포함한다. 미세전자유닛은내부표면에인접한저부표면, 저부표면으로부터이격된최상부표면, 및최상부표면의복수의콘택트들을가진미세전자엘리먼트를포함할수 있다. 미세전자엘리먼트는미세전자엘리먼트의콘택트들와전기적으로연결된단자들을포함할수 있다. 미세전자유닛은미세전자엘리먼트의적어도최상부표면와접촉하는유전영역을포함할수 있다. 유전영역은캐리어구조의전면과같은평면에위치하거나캐리어구조의전면보다위에위치한평면표면을가질수 있다. 그단자들은외부엘리먼트와의상호연결을위한유전영역의표면에서노출될수 있다.

摘要翻译： 微电子单元，包括：前载体结构和位于所述载体结构的后部的前部下方的内表面上，并与变为真过程的开口前部从前方离开。 微电子单元可以包括具有与内表面相邻的底表面，与底表面间隔开的顶表面以及顶表面上的多个触点的微电子元件。 精细电子元件可以包括电连接到精细电子元件的触点的端子。 微电子单元可以包括与微电子元件的至少顶表面接触的介电区域。 介电区域可以具有平坦表面，其位于与载体结构的前部相同的平面内或载体结构的前部上方。 端子可以暴露在介电区域的表面处以与外部元件互连。