公开(公告)号：TWI380379B

公开(公告)日：2012-12-21

申请号：TW096130064

申请日：2007-08-14

申请人： 日月光半導體製造股份有限公司

发明人： 李暎奎 ,  金烔魯 ,  安載善 ,  車尚珍 ,  崔守珉

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/6835 ,  H01L21/56 ,  H01L23/13 ,  H01L24/28 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L25/0657 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/06527 ,  H01L2225/06555 ,  H01L2225/06575 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15174 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種封裝結構及其製造方法。此封裝結構包括一基板、一第一晶片、一蓋體結構、第二晶片以及一封裝材料層。基板具有一開口，第一晶片設置於開口內，並且電性連接於基板。蓋體結構設置於基板上對應第一晶片處。第二晶片設置於蓋體結構上，並且電性連接於基板。封裝材料層設置於基板上，封裝材料層係覆蓋第一晶片、蓋體結構及第二晶片。

简体摘要： 一种封装结构及其制造方法。此封装结构包括一基板、一第一芯片、一盖体结构、第二芯片以及一封装材料层。基板具有一开口，第一芯片设置于开口内，并且电性连接于基板。盖体结构设置于基板上对应第一芯片处。第二芯片设置于盖体结构上，并且电性连接于基板。封装材料层设置于基板上，封装材料层系覆盖第一芯片、盖体结构及第二芯片。

公开(公告)号：TWI371830B

公开(公告)日：2012-09-01

申请号：TW097119946

申请日：2008-05-29

申请人： 日月光半導體製造股份有限公司

发明人： 王建皓

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H05K1/183 ,  H01L21/4857 ,  H01L23/13 ,  H01L23/24 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49894 ,  H01L24/48 ,  H01L25/0657 ,  H01L25/105 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2225/0651 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01087 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/181 ,  H05K3/108 ,  H05K3/243 ,  H05K3/284 ,  H05K3/3452 ,  H05K3/385 ,  H05K3/386 ,  H05K3/4652 ,  H05K3/4697 ,  H05K2203/0315 ,  H05K2203/049 ,  H05K2203/063 ,  Y10T29/49117 ,  Y10T29/49155 ,  Y10T156/10 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/48237 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 一種線路板製程，其藉由第一基板與第二基板相堆疊而形成可容置多個晶片的一凹穴，並藉由一第三金屬層覆蓋於凹穴的上方，以形成一遮罩。第一基板具有一基層、一第一金屬層、一第二金屬層以及貫通基層並電性連接第一金屬層以及第二金屬層的至少一第一導通結構。第一金屬層經圖案化而形成具有多個第一接墊的一第一線路層。
第二基板上形成具有多個第三接墊的第三線路層，第一接墊與第三接墊不在同一打線平面上。

简体摘要： 一种线路板制程，其借由第一基板与第二基板相堆栈而形成可容置多个芯片的一凹穴，并借由一第三金属层覆盖于凹穴的上方，以形成一遮罩。第一基板具有一基层、一第一金属层、一第二金属层以及贯通基层并电性连接第一金属层以及第二金属层的至少一第一导通结构。第一金属层经图案化而形成具有多个第一接垫的一第一线路层。 第二基板上形成具有多个第三接垫的第三线路层，第一接垫与第三接垫不在同一打线平面上。

公开(公告)号：TWI368974B

公开(公告)日：2012-07-21

申请号：TW094139959

申请日：2005-11-14

申请人： 恰巴克有限公司

发明人： 李勳檡 ,  金鍾局 ,  金哲殖 ,  張氣連 ,  雷傑德拉D 潘狄斯

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/85 ,  H01L23/13 ,  H01L23/4952 ,  H01L23/49833 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/05556 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48011 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48095 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48455 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/48471 ,  H01L2224/48475 ,  H01L2224/48479 ,  H01L2224/4848 ,  H01L2224/48599 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48647 ,  H01L2224/48699 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/48747 ,  H01L2224/49109 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/49433 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/85051 ,  H01L2224/85205 ,  H01L2224/85444 ,  H01L2224/85447 ,  H01L2224/85986 ,  H01L2224/92 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2224/85181 ,  H01L2224/85186 ,  H01L2924/2065 ,  H01L2224/78 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/4554

摘要： 本發明揭示一種在一晶粒墊與一接合指狀物之間的線接合互連，其包含在引線指狀物之一接合地點處的一支撐基座、在該晶粒墊上的一珠接合、與在該支撐基座上的一針腳接合，其中在該接合地點處的該引線指狀物之一寬度係小於該支撐基座之一直徑。此外，本發明揭示一半導體封裝，其包含安裝於一基板上並藉由複數個線接合電連接至該基板的一晶粒，其中該等線接合之每個包含接合至該晶粒上的一墊之一線珠與接合至一引線指狀物上之一接合地點上的一支撐基座之針腳，並且其中在該接合地點處的該引線指狀物之該寬度係小於該支撐基座之該直徑。另外，本發明揭示此類封裝，其中封裝基板包含一二層基板，每層包含複數個引線指狀物，其具有約兩倍於晶粒墊節距之一引線指狀物接合節距，第一層及第二層之引線指狀物具有一交錯配置。在某些具體實施例中，在形成一柱塊中使用一線接合工具形成該支撐基座，並且在此類具體實施例中，將該支撐基座冶金式地接合至該引線指狀物。此外，本發明揭示用以形成一半導體晶粒與一基板之間的一線接合互連之一方法，該形成係藉由：提供一晶粒，其係附於一基板之一第一側的一晶粒安裝部分上並與遠離該基板定向的主動側定向，該基板具有包含該基板之第一表面上的引線指狀物之圖案化跡線；於一引線指狀物之一接合地點上形成一支撐基座；於一晶粒墊上形成一第一接合；以及於該支撐基座上形成一第二接合。

简体摘要： 本发明揭示一种在一晶粒垫与一接合指状物之间的线接合互连，其包含在引线指状物之一接合地点处的一支撑基座、在该晶粒垫上的一珠接合、与在该支撑基座上的一针脚接合，其中在该接合地点处的该引线指状物之一宽度系小于该支撑基座之一直径。此外，本发明揭示一半导体封装，其包含安装于一基板上并借由复数个线接合电连接至该基板的一晶粒，其中该等线接合之每个包含接合至该晶粒上的一垫之一线珠与接合至一引线指状物上之一接合地点上的一支撑基座之针脚，并且其中在该接合地点处的该引线指状物之该宽度系小于该支撑基座之该直径。另外，本发明揭示此类封装，其中封装基板包含一二层基板，每层包含复数个引线指状物，其具有约两倍于晶粒垫节距之一引线指状物接合节距，第一层及第二层之引线指状物具有一交错配置。在某些具体实施例中，在形成一柱块中使用一线接合工具形成该支撑基座，并且在此类具体实施例中，将该支撑基座冶金式地接合至该引线指状物。此外，本发明揭示用以形成一半导体晶粒与一基板之间的一线接合互连之一方法，该形成系借由：提供一晶粒，其系附于一基板之一第一侧的一晶粒安装部分上并与远离该基板定向的主动侧定向，该基板具有包含该基板之第一表面上的引线指状物之图案化迹线；于一引线指状物之一接合地点上形成一支撑基座；于一晶粒垫上形成一第一接合；以及于该支撑基座上形成一第二接合。

公开(公告)号：TW201220457A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：TW099139081

申请日：2010-11-12

申请人： 欣興電子股份有限公司

发明人： 周保宏 ,  許志豪

IPC分类号： H01L ,  H05K

CPC分类号： H01L24/19 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/20 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68372 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/18162 ,  Y10T29/49126 ,  H01L2924/00

摘要： 一種嵌埋半導體元件之封裝結構,係包括:具有相對之第一及第二表面之第一介電層;凸出嵌設於該第二表面之半導體晶片;設於該第一介電層之第一表面上並電性連接該半導體晶片之第一線路層;設於該第一介電層之第一表面及該第一線路層上之增層結構;以及設於該增層結構上之絕緣保護層。藉由無核心板、及僅於該第一介電層之其中一表面上形成增層結構,故可降低整體結構之厚度,以達到薄小化之目的。本發明復提供一種嵌埋半導體元件之封裝結構之製法。

简体摘要： 一种嵌埋半导体组件之封装结构,系包括:具有相对之第一及第二表面之第一介电层;凸出嵌设于该第二表面之半导体芯片;设于该第一介电层之第一表面上并电性连接该半导体芯片之第一线路层;设于该第一介电层之第一表面及该第一线路层上之增层结构;以及设于该增层结构上之绝缘保护层。借由无内核板、及仅于该第一介电层之其中一表面上形成增层结构,故可降低整体结构之厚度,以达到薄小化之目的。本发明复提供一种嵌埋半导体组件之封装结构之制法。

公开(公告)号：TWI363411B

公开(公告)日：2012-05-01

申请号：TW097127864

申请日：2008-07-22

申请人： 日月光半導體製造股份有限公司

发明人： 王永輝 ,  歐英德

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49827 ,  H01L21/4857 ,  H01L21/486 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49838 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H05K1/185 ,  H05K1/188 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4602 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/09536 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2203/063 ,  Y10T29/4913 ,  Y10T29/49204 ,  Y10T29/49213

摘要： 一種內埋晶片基板包括一第一絕緣層、一核心層、一晶片、一第二絕緣層、一第一線路層以及一第二線路層。核心層配置於第一絕緣層上，並具有一開口，以暴露出部分第一絕緣層。晶片固著於由開口與第一絕緣層所構成的一凹槽中。第二絕緣層配置於核心層上，以覆蓋晶片。第一線路層配置於第一絕緣層的外側，且第一絕緣層位於第一線路層與核心層之間。第二線路層配置於第二絕緣層的外側，第二絕緣層位於第二線路層與核心層之間，第一線路層與第二線路層電性連接，且第二線路層與晶片電性連接。

简体摘要： 一种内埋芯片基板包括一第一绝缘层、一内核层、一芯片、一第二绝缘层、一第一线路层以及一第二线路层。内核层配置于第一绝缘层上，并具有一开口，以暴露出部分第一绝缘层。芯片固着于由开口与第一绝缘层所构成的一凹槽中。第二绝缘层配置于内核层上，以覆盖芯片。第一线路层配置于第一绝缘层的外侧，且第一绝缘层位于第一线路层与内核层之间。第二线路层配置于第二绝缘层的外侧，第二绝缘层位于第二线路层与内核层之间，第一线路层与第二线路层电性连接，且第二线路层与芯片电性连接。

公开(公告)号：TWI355017B

公开(公告)日：2011-12-21

申请号：TW096130354

申请日：2007-08-16

申请人： 新力股份有限公司

发明人： 小野秀樹 ,  谷口理

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/66 ,  H01L24/19 ,  H01L24/25 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L24/91 ,  H01L24/97 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/2518 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13063 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1423 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/30105 ,  H01L2924/3511 ,  Y10S438/977 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/82 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係關於一種用於製造一半導體裝置之方法，其包含以下步驟：在一生長於一半導體基板上之裝置層中形成一預定裝置，其中在該裝置層與該半導體基板之間提供一犧牲層；及在將一支撐基板黏結至該裝置層之側上時，藉由蝕刻來移除該犧牲層，從而將該半導體基板與該裝置層分離，其中在該移除該犧牲層之步驟中，在移除該犧牲層之前形成一自該裝置層延伸至該犧牲層之溝槽，且使蝕刻溶液穿過該溝槽滲透至該犧牲層中。

简体摘要： 本发明系关于一种用于制造一半导体设备之方法，其包含以下步骤：在一生长于一半导体基板上之设备层中形成一预定设备，其中在该设备层与该半导体基板之间提供一牺牲层；及在将一支撑基板黏结至该设备层之侧上时，借由蚀刻来移除该牺牲层，从而将该半导体基板与该设备层分离，其中在该移除该牺牲层之步骤中，在移除该牺牲层之前形成一自该设备层延伸至该牺牲层之沟槽，且使蚀刻溶液穿过该沟槽渗透至该牺牲层中。

公开(公告)号：TWI354522B

公开(公告)日：2011-12-11

申请号：TW095147038

申请日：2006-12-15

申请人： 揖斐電股份有限公司

发明人： 伊藤宗太郎 ,  高橋通昌 ,  三門幸信

IPC分类号： H05K

CPC分类号： H05K1/0218 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/5389 ,  H01L23/552 ,  H01L24/24 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/2402 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/82039 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01011 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01045 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/15157 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15331 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3511 ,  H05K1/183 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4652 ,  H05K2201/09981 ,  H05K2203/0733 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明係於收納有半導體元件之樹脂絕緣層上，形成其他樹脂絕緣層及導體電路，而導體電路之間經由通孔而電性連接所形成之多層印刷佈線板中，以下述方式而構成：於包圍用以收納半導體元件之凹部之樹脂絕緣層上、或者於凹部之內壁面上，形成電磁屏蔽層，於該凹部內，內藏半導體元件。

简体摘要： 本发明系于收纳有半导体组件之树脂绝缘层上，形成其他树脂绝缘层及导体电路，而导体电路之间经由通孔而电性连接所形成之多层印刷布线板中，以下述方式而构成：于包围用以收纳半导体组件之凹部之树脂绝缘层上、或者于凹部之内壁面上，形成电磁屏蔽层，于该凹部内，内藏半导体组件。

公开(公告)号：TW201135879A

公开(公告)日：2011-10-16

申请号：TW100103852

申请日：2011-02-01

申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司

发明人： 胡憲斌 ,  余振華 ,  陳明發 ,  林俊成 ,  賴雋仁 ,  林詠淇

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/147 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L24/16 ,  H01L24/81 ,  H01L24/97 ,  H01L25/0652 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81001 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2224/81 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明一實施例提供一種積體電路元件,包括:一中介層,大抵不具有積體電路元件,其中該中介層包括:一基底,具有一第一側及相反於該第一側之一第二側;複數個穿基底導電結構,位於該基底之中;一第一內連線結構,位於該基底之該第一側上,且電性耦接至至少一該些穿基底導電結構;以及一第二內連線結構,位於該基底之該第二側上,且電性耦接至至少一該些穿基底導電結構;一第一晶片,接合於該第一內連線結構之上;以及一第二晶片,接合於該第二內連線結構之上。

简体摘要： 本发明一实施例提供一种集成电路组件,包括:一中介层,大抵不具有集成电路组件,其中该中介层包括:一基底,具有一第一侧及相反于该第一侧之一第二侧;复数个穿基底导电结构,位于该基底之中;一第一内连接结构,位于该基底之该第一侧上,且电性耦接至至少一该些穿基底导电结构;以及一第二内连接结构,位于该基底之该第二侧上,且电性耦接至至少一该些穿基底导电结构;一第一芯片,接合于该第一内连接结构之上;以及一第二芯片,接合于该第二内连接结构之上。

公开(公告)号：TW201131735A

公开(公告)日：2011-09-16

申请号：TW099142999

申请日：2010-12-09

申请人： 英特爾公司

发明人： 古札克 約翰S ,  岡薩里斯 賈維S ,  瓦茲 尼可拉斯R ,  拿拉 拉維K

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/11 ,  H01L21/56 ,  H01L21/568 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/768 ,  H01L23/315 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49822 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5389 ,  H01L24/19 ,  H01L24/26 ,  H01L24/27 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L25/03 ,  H01L25/074 ,  H01L25/105 ,  H01L25/117 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/11831 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/13025 ,  H01L2224/131 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/24145 ,  H01L2224/24227 ,  H01L2224/26 ,  H01L2224/27312 ,  H01L2224/2732 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/451 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/821 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/83874 ,  H01L2224/92132 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18162 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/40252 ,  H01L2924/40407 ,  H01L2924/40501 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4682 ,  H05K2201/10477 ,  H05K2203/0152 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/45099

摘要： 本發明之實施例描述了具有一嵌入式晶粒之一半導體封裝體。該半導體封裝體包含一無核心基體,該無核心基體含有該嵌入式晶粒。該半導體封裝體提供晶粒堆疊或封裝體堆疊能力。而且,本發明之實施例描述了使裝配成本最小化之製造該半導體封裝體之一方法。

简体摘要： 本发明之实施例描述了具有一嵌入式晶粒之一半导体封装体。该半导体封装体包含一无内核基体,该无内核基体含有该嵌入式晶粒。该半导体封装体提供晶粒堆栈或封装体堆栈能力。而且,本发明之实施例描述了使装配成本最小化之制造该半导体封装体之一方法。

公开(公告)号：TWI348758B

公开(公告)日：2011-09-11

申请号：TW096103248

申请日：2007-01-29

申请人： 夏普股份有限公司

发明人： 住之江信二

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/49811 ,  H01L23/057 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L27/14618 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/09701 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/16195 ,  H01L2924/16788 ,  H01L2924/3025 ,  H05K3/3442 ,  H05K2201/0212 ,  H05K2201/0221 ,  H05K2201/10727 ,  Y02P70/613 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/45099 ,  H01L2224/45015 ,  H01L2924/207

摘要： 本發明之半導體裝置(10)包含：基板(1)，其具有電極墊(1a)；IC晶片(4)，其搭載於基板(1)上；及外部連接端子(7)，其形成於電極墊(1a)上，且與IC晶片(4)電性連接；外部連接端子(7)具有由具有彈性之材質構成之樹脂芯(7a)，且於樹脂芯(7a)之外側具有金屬層(7b)，藉此可提供安裝可靠性高之半導體裝置。

简体摘要： 本发明之半导体设备(10)包含：基板(1)，其具有电极垫(1a)；IC芯片(4)，其搭载于基板(1)上；及外部连接端子(7)，其形成于电极垫(1a)上，且与IC芯片(4)电性连接；外部连接端子(7)具有由具有弹性之材质构成之树脂芯(7a)，且于树脂芯(7a)之外侧具有金属层(7b)，借此可提供安装可靠性高之半导体设备。