公开(公告)号：TWI434413B

公开(公告)日：2014-04-11

申请号：TW097136629

申请日：2008-09-24

Applicant: 瑞薩電子股份有限公司 ,  RENESAS ELECTRONICS CORPORATION

Inventor： 淺井周二 ,  ASAI, SHUJI ,  富士原明 ,  FUJIHARA, AKIRA ,  松野下誠 ,  MATSUNOSHITA, MAKOTO ,  佐倉直喜 ,  SAKURA, NAOKI ,  市川清治 ,  ICHIKAWA, SEIJI

IPC: H01L29/772 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7783 ,  H01L29/66462 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2924/12032 ,  H01L2924/13062 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI430444B

公开(公告)日：2014-03-11

申请号：TW096140090

申请日：2007-10-25

Applicant: 雷森公司 ,  RAYTHEON COMPANY

Inventor： 肯默 泰巴塔拜 ,  TABATABAIE, KAMAL ,  羅伯特 霍洛克 ,  HALLOCK, ROBERT B.

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/812 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L21/28587 ,  H01L29/66462

公开(公告)号：TWI424568B

公开(公告)日：2014-01-21

申请号：TW100109243

申请日：2011-03-18

Applicant: 三墾電氣股份有限公司 ,  SANKEN ELECTRIC CO., LTD.

Inventor： 町田修 ,  MACHIDA, OSAMU

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7787 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/7391 ,  H01L29/872

公开(公告)号：TW201318177A

公开(公告)日：2013-05-01

申请号：TW101133190

申请日：2012-09-11

Applicant: 克立公司 ,  CREE, INC.

Inventor： 哈尼 傑森 派崔克 ,  HENNING, JASON PATRICK ,  張清純 ,  ZHANG, QINGCHUN ,  柳世衡 ,  RYU, SEI-HYUNG ,  阿加娃 安那 ,  AGARWAL, ANANT ,  帕驀爾 約翰 威廉斯 ,  PALMOUR, JOHN WILLIAMS ,  亞倫 史考特 ,  ALLEN, SCOTT

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/872 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/66143 ,  H01L2224/02166 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/00

Abstract: 本發明大體上係關於一種肖特基二極體(Schottky diode)，其具有一基板、一設置在該基板上之漂移層及一設置在該基板之一作用區上之肖特基層(Schottky layer)。在該漂移層中正位於該肖特基層下方設置一接面遮障陣列。該接面遮障陣列之元件一般為該漂移層中之摻雜區。為了增加此等摻雜區之深度，可在該漂移層中欲形成該接面遮障陣列之該等元件之表面中形成個別凹陷。一旦在該漂移層中形成該等凹陷後，摻雜圍繞該等凹陷及在該等凹陷底部之區域以形成該接面遮障陣列之各別元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明大体上系关于一种肖特基二极管(Schottky diode)，其具有一基板、一设置在该基板上之漂移层及一设置在该基板之一作用区上之肖特基层(Schottky layer)。在该漂移层中正位于该肖特基层下方设置一接面遮障数组。该接面遮障数组之组件一般为该漂移层中之掺杂区。为了增加此等掺杂区之深度，可在该漂移层中欲形成该接面遮障数组之该等组件之表面中形成个别凹陷。一旦在该漂移层中形成该等凹陷后，掺杂围绕该等凹陷及在该等凹陷底部之区域以形成该接面遮障数组之各别组件。

公开(公告)号：TW201314918A

公开(公告)日：2013-04-01

申请号：TW101134695

申请日：2012-09-21

Applicant: 萬國半導體股份有限公司 ,  ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED

Inventor： 高 立德 ,  CALAFUT, DANIEL ,  蘇毅 ,  SU, YI ,  金鐘五 ,  KIM, JONGOH ,  常虹 ,  CHANG, HONG ,  哈姆紥 依瑪茲 ,  YILMAZ, HAMZA ,  伍時謙 ,  NG, DANIEL S.

IPC: H01L29/872 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/823487 ,  H01L27/06 ,  H01L27/0629 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/407 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/456 ,  H01L29/47 ,  H01L29/66143 ,  H01L29/7806 ,  H01L29/872

Abstract: 本發明係有關於一種帶有整合肖特基能障二極體的溝槽MOSFET器件，其中肖特基二極體包括一個形成在半導體襯底上的半導體層；形成在半導體層中的第一和第二溝槽，其中第一和第二溝槽內襯薄電介質層，並用溝槽導體層部分填充，第一電介質層填充第一和第二溝槽的剩餘部分；以及一個形成在第一和第二溝槽之間的半導體層頂面上的肖特基金屬層。所形成的肖特基二極體中，肖特基金屬層作為陽極，第一和第二溝槽之間的半導體層作為陰極。每個第一和第二溝槽中的溝槽導體層電連接到肖特基二極體的陽極。在一個實施例中，所形成的肖特基二極體與溝槽場效應電晶體整合在同一個半導體襯底上。

Abstract in simplified Chinese: 本发明系有关于一种带有集成肖特基能障二极管的沟槽MOSFET器件，其中肖特基二极管包括一个形成在半导体衬底上的半导体层；形成在半导体层中的第一和第二沟槽，其中第一和第二沟槽内衬薄电介质层，并用沟槽导体层部分填充，第一电介质层填充第一和第二沟槽的剩余部分；以及一个形成在第一和第二沟槽之间的半导体层顶面上的肖特基金属层。所形成的肖特基二极管中，肖特基金属层作为阳极，第一和第二沟槽之间的半导体层作为阴极。每个第一和第二沟槽中的沟槽导体层电连接到肖特基二极管的阳极。在一个实施例中，所形成的肖特基二极管与沟槽场效应晶体管集成在同一个半导体衬底上。

公开(公告)号：TW201306271A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW101116823

申请日：2012-05-11

Applicant: 三胞半導體公司 ,  TRIQUINT SEMICONDUCTOR, INC.

Inventor： 畢姆三世 愛德華A ,  BEAM III, EDWARD A.

IPC: H01L29/812 ,  H01L21/8249

CPC classification number: H01L29/7786 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/66462

Abstract: 具體態樣包括但不限於包括以下的設備和系統：緩衝層、於緩衝層上的III-V族層、於III-V族層上的源極接觸和汲極接觸、於III-V族層上並且於源極接觸和汲極接觸之間的再生蕭特基層。具體態樣進一步包括製作該設備和系統的方法。其他具體態樣可以有所描述和請求。

Abstract in simplified Chinese: 具体态样包括但不限于包括以下的设备和系统：缓冲层、于缓冲层上的III-V族层、于III-V族层上的源极接触和汲极接触、于III-V族层上并且于源极接触和汲极接触之间的再生萧特基层。具体态样进一步包括制作该设备和系统的方法。其他具体态样可以有所描述和请求。

公开(公告)号：TW201306253A

公开(公告)日：2013-02-01

申请号：TW100127075

申请日：2011-07-29

Applicant: 美麗微半導體股份有限公司 ,  FORMOSA MICROSEMI CO., LTD.

Inventor： 蔡曉峰 ,  TSAI, SHEAU FENG ,  黃文彬 ,  HUANG, WEN PING ,  胡祖溪 ,  HU, TZUU CHI

IPC: H01L29/47 ,  H01L29/812

Abstract: 本發明為一種定電流半導體元件，特別是指一種利用金屬/半導體接觸原理製成具備蕭特基能障(Schottky Barrier)之定電流半導體元件。其構造係於一成長在半絕緣基板上的N型或P型半導體磊晶層(Epitaxial Layer)表面設置第一、二金屬電極端，其中第一金屬電極端與磊晶層之間包括有第一毆姆接觸(Ohmic Contact)區段及蕭特基接觸(Schottky Contact)區段，第二金屬電極端與磊晶層之間為第二毆姆接觸區段，使該半導體元件具備蕭特基能障及定電流之特性，不但具有較低啟動電壓，而且其製程中容易將數個隔離單體積體組合成適用於較大驅動電流的定電流半導體元件。

Abstract in simplified Chinese: 本发明为一种定电流半导体组件，特别是指一种利用金属/半导体接触原理制成具备萧特基能障(Schottky Barrier)之定电流半导体组件。其构造系于一成长在半绝缘基板上的N型或P型半导体磊晶层(Epitaxial Layer)表面设置第一、二金属电极端，其中第一金属电极端与磊晶层之间包括有第一殴姆接触(Ohmic Contact)区段及萧特基接触(Schottky Contact)区段，第二金属电极端与磊晶层之间为第二殴姆接触区段，使该半导体组件具备萧特基能障及定电流之特性，不但具有较低启动电压，而且其制程中容易将数个隔离单体积体组合成适用于较大驱动电流的定电流半导体组件。

公开(公告)号：TWI381455B

公开(公告)日：2013-01-01

申请号：TW097114725

申请日：2008-04-22

Applicant: 節能元件股份有限公司 ,  PFC DEVICE CO.

Inventor： 趙國梁 ,  CHAO, KOU LIANG ,  郭鴻鑫 ,  KUO, HUNG HSIN ,  蘇子川 ,  SU, TSE CHUAN

IPC: H01L21/338 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0684 ,  H01L29/66356 ,  H01L29/7391