公开(公告)号：TW201735266A

公开(公告)日：2017-10-01

申请号：TW105142912

申请日：2016-12-23

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 賴瑞堯 ,  LAI, JUI YAO ,  陳盈燕 ,  CHEN, YING YAN ,  陳燕銘 ,  CHEN, YEN MING ,  楊 世海 ,  YEONG, SAI-HOOI ,  嚴永松 ,  YEN, YUNG SUNG ,  劉如淦 ,  LIU, RU GUN

IPC: H01L21/8234 ,  H01L23/535 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L29/66

CPC classification number: H01L21/823468 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823418 ,  H01L21/823431 ,  H01L21/823456 ,  H01L21/823475 ,  H01L23/535 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/6656 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/785

Abstract: 本發明實施例提供一種半導體裝置，上述半導體裝置包括一第一閘極結構、一第二閘極結構、一第一源極/汲極結構和一第二源極/汲極結構。上述第一閘極結構包括一第一閘極和設置於上述第一閘極上的一第一絕緣蓋層。上述第二閘極結構包括一第二閘極和設置於上述第一閘極上的一第一導電接觸層。上述第一源極/汲極結構包括一第一源極/汲極導電層和設置於上述第一源極/汲極導電層上方的一第二絕緣蓋層。上述第二源極/汲極結構包括一第二源極/汲極導電層和設置於上述第二源極/汲極導電層上方的一第二導電接觸層。

Abstract in simplified Chinese: 本发明实施例提供一种半导体设备，上述半导体设备包括一第一闸极结构、一第二闸极结构、一第一源极/汲极结构和一第二源极/汲极结构。上述第一闸极结构包括一第一闸极和设置于上述第一闸极上的一第一绝缘盖层。上述第二闸极结构包括一第二闸极和设置于上述第一闸极上的一第一导电接触层。上述第一源极/汲极结构包括一第一源极/汲极导电层和设置于上述第一源极/汲极导电层上方的一第二绝缘盖层。上述第二源极/汲极结构包括一第二源极/汲极导电层和设置于上述第二源极/汲极导电层上方的一第二导电接触层。

公开(公告)号：TW201633404A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104142714

申请日：2015-12-18

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 嚴永松 ,  YEN, YUNG SUNG ,  陳俊光 ,  CHEN, CHUN KUANG ,  高克斌 ,  KAO, KO BIN ,  謝艮軒 ,  HSIEH, KEN HSIEN ,  劉如淦 ,  LIU, RU GUN

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/768 ,  H01L21/31 ,  H01L21/308

CPC classification number: H01L21/0274 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76877

Abstract: 半導體元件的製造方法，包含接收工件，此工件係包含材料層與硬遮罩材料，其中硬遮罩材料係位於材料層上。進行硬遮罩材料之微影圖案化處理，藉此定義硬遮罩材料中的凹槽。於圖案化硬遮罩材料的凹槽中沉積間隔物，藉此定義至少兩個實體分離的特徵區域。依據圖案選擇性地處理工件之部分，此圖案係由圖案化硬遮罩材料與凹槽中之間隔物所定義。

Abstract in simplified Chinese: 半导体组件的制造方法，包含接收工件，此工件系包含材料层与硬遮罩材料，其中硬遮罩材料系位于材料层上。进行硬遮罩材料之微影图案化处理，借此定义硬遮罩材料中的凹槽。于图案化硬遮罩材料的凹槽中沉积间隔物，借此定义至少两个实体分离的特征区域。依据图案选择性地处理工件之部分，此图案系由图案化硬遮罩材料与凹槽中之间隔物所定义。

公开(公告)号：TW202026755A

公开(公告)日：2020-07-16

申请号：TW108135295

申请日：2019-09-27

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 李志傑 ,  LEE, CHIH-JIE ,  黃世鈞 ,  HUANG, SHIH-CHUN ,  張世明 ,  CHANG, SHIH-MING ,  謝艮軒 ,  HSIEH, KEN-HSIEN ,  嚴永松 ,  YEN, YUNG-SUNG ,  劉如淦 ,  LIU, RU-GUN

IPC: G03F1/38 ,  G03F1/44 ,  G03F7/20

Abstract: 一種執行微影製程的方法，包括提供測試圖案。測試圖案包括以第一間距排列的第一組線、以第一間距排列的第二組線，並且更包括在第一組線與第二組線之間的至少一條參考線。用提供不對稱的單極照明分佈的輻射源曝光測試圖案，以在基板上形成測試圖案結構。測試圖案結構接著被測量，並且將量測的距離與微影參數的偏移相關聯。基於微影參數的偏移調整微影製程。

Abstract in simplified Chinese: 一种运行微影制程的方法，包括提供测试图案。测试图案包括以第一间距排列的第一组线、以第一间距排列的第二组线，并且更包括在第一组线与第二组线之间的至少一条参考线。用提供不对称的单极照明分布的辐射源曝光测试图案，以在基板上形成测试图案结构。测试图案结构接着被测量，并且将量测的距离与微影参数的偏移相关联。基于微影参数的偏移调整微影制程。

公开(公告)号：TW201814790A

公开(公告)日：2018-04-16

申请号：TW106108134

申请日：2017-03-13

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 洪繼正 ,  HUNG, CHI CHENG ,  劉如淦 ,  LIU, RU GUN ,  林緯良 ,  LIN, WEI LIANG ,  游大慶 ,  YU, TA CHING ,  嚴永松 ,  YEN, YUNG SUNG ,  方 子韋 ,  FANG, ZIWEI ,  高蔡勝 ,  GAU, TSAI SHENG ,  林進祥 ,  LIN, CHIN HSIANG ,  陳桂順 ,  CHEN, KUEI SHUN

IPC: H01L21/311 ,  H01L21/308 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L21/76816 ,  H01L21/0332 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/31155

Abstract: 方向性的圖案化方法揭露於此。例示性的方法包含進行微影製程以形成圖案化的硬遮罩層於晶圓上，其中圖案化的硬遮罩層包含硬遮罩結構，其具有相關的水平定義特徵。調整蝕刻製程，以將蝕刻品導入實質上水平的方向(相對於晶圓的水平面)，因此蝕刻製程水平地移除部份圖案化的硬遮罩層，以調整硬遮罩結構之水平定義特徵。形成積體電路結構，其對應具有調整後的水平定義特徵之硬遮罩結構。水平定義的特徵可包含長度、寬度、線路邊緣粗糙度、線寬粗糙度、線路末端輪廓、其他水平定義特徵、或上述之組合。在一些實施例中，方向性的圖案化方法可達斜向內連線及/或狹縫狀(矩形)的通孔內連線。

Abstract in simplified Chinese: 方向性的图案化方法揭露于此。例示性的方法包含进行微影制程以形成图案化的硬遮罩层于晶圆上，其中图案化的硬遮罩层包含硬遮罩结构，其具有相关的水平定义特征。调整蚀刻制程，以将蚀刻品导入实质上水平的方向(相对于晶圆的水平面)，因此蚀刻制程水平地移除部份图案化的硬遮罩层，以调整硬遮罩结构之水平定义特征。形成集成电路结构，其对应具有调整后的水平定义特征之硬遮罩结构。水平定义的特征可包含长度、宽度、线路边缘粗糙度、线宽粗糙度、线路末端轮廓、其他水平定义特征、或上述之组合。在一些实施例中，方向性的图案化方法可达斜向内连接及/或狭缝状(矩形)的通孔内连接。

公开(公告)号：TWI615937B

公开(公告)日：2018-02-21

申请号：TW105133837

申请日：2016-10-20

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 彭士瑋 ,  PENG, SHIH WEI ,  曾健庭 ,  TZENG, JIANN TYNG ,  陳志良 ,  CHEN, CHIH LIANG ,  賴志明 ,  LAI, CHIH MING ,  蕭錦濤 ,  SIO, KAM TOU ,  嚴永松 ,  YEN, YUNG SUNG ,  陳俊光 ,  CHEN, CHUN KUANG ,  劉如淦 ,  LIU, RU GUN ,  楊 超源 ,  YOUNG, CHARLES CHEW-YUEN

IPC: H01L23/52

CPC classification number: H01L23/5286 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/76892 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L28/00

公开(公告)号：TWI590380B

公开(公告)日：2017-07-01

申请号：TW104115418

申请日：2015-05-14

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 吳永旭 ,  WU, YUNGHSU ,  蔡政勳 ,  TSAI, CHENGHSIUNG ,  張鈺聲 ,  CHANG, YUSHENG ,  吳佳典 ,  WU, CHIATIEN ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNGJU ,  嚴永松 ,  YEN, YUNGSUNG ,  陳俊光 ,  CHEN, CHUNKUANG ,  包天一 ,  BAO, TIENI ,  劉如淦 ,  LIU, RUGUN ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAULIN

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/48

CPC classification number: H01L21/76877 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/02186 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/76802 ,  H01L21/76808 ,  H01L21/76811 ,  H01L21/76816 ,  H01L23/5283 ,  H01L2221/1063

公开(公告)号：TW201633390A

公开(公告)日：2016-09-16

申请号：TW104140486

申请日：2015-12-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 嚴永松 ,  YEN, YUNG SUNG ,  李忠儒 ,  LEE, CHUNG JU ,  陳俊光 ,  CHEN, CHUN KUANG ,  吳佳典 ,  WU, CHIA TIEN ,  游大慶 ,  YU, TA CHING ,  陳桂順 ,  CHEN, KUEI SHUN ,  劉如淦 ,  LIU, RU GUN ,  眭曉林 ,  SHUE, SHAU LIN ,  高蔡勝 ,  GAU, TSAI SHENG ,  吳永旭 ,  WU, YUNG HSU

IPC: H01L21/302 ,  H01L21/308 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/311 ,  H01L29/49

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/32139 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/823481 ,  H01L21/823878

Abstract: 本揭露提供一種半導體裝置的製造方法。此方法包含形成一材料層於一基底之上；形成一第一硬遮罩層於材料層之上；沿著一第一方向，形成一第一溝槽於第一硬遮罩層中。此方法亦包含：沿著第一溝槽的側壁形成一第一間隔物；藉由第一間隔物防護第一溝槽，於第一硬遮罩層中形成平行於第一溝槽的一第二溝槽。此方法亦包含：蝕刻材料層穿過第一溝槽及第二溝槽；移除第一硬遮罩層及第一間隔物；形成第二硬遮罩層於材料層之上；形成一第三溝槽於第二硬遮罩層中。第三溝槽沿著垂直於第一方向之一第二方向延伸，且與第一溝槽重疊。此方法亦包含：蝕刻材料層穿過第三溝槽。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露提供一种半导体设备的制造方法。此方法包含形成一材料层于一基底之上；形成一第一硬遮罩层于材料层之上；沿着一第一方向，形成一第一沟槽于第一硬遮罩层中。此方法亦包含：沿着第一沟槽的侧壁形成一第一间隔物；借由第一间隔物防护第一沟槽，于第一硬遮罩层中形成平行于第一沟槽的一第二沟槽。此方法亦包含：蚀刻材料层穿过第一沟槽及第二沟槽；移除第一硬遮罩层及第一间隔物；形成第二硬遮罩层于材料层之上；形成一第三沟槽于第二硬遮罩层中。第三沟槽沿着垂直于第一方向之一第二方向延伸，且与第一沟槽重叠。此方法亦包含：蚀刻材料层穿过第三沟槽。

公开(公告)号：TWI592984B

公开(公告)日：2017-07-21

申请号：TW104129136

申请日：2015-09-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 嚴永松 ,  YEN, YUNG SUNG

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139

公开(公告)号：TW201621980A

公开(公告)日：2016-06-16

申请号：TW104129136

申请日：2015-09-03

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 嚴永松 ,  YEN, YUNG SUNG

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/308 ,  H01L21/31 ,  H01L21/311 ,  H01L21/3205 ,  H01L21/3213

CPC classification number: H01L21/31144 ,  H01L21/0337 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/32139

Abstract: 本揭露係關於一種半導體積體電路(IC)的製造方法。在一實施例中，於基板上方形成材料層，且在材料層上方形成第一硬罩(hard mask,HM)構件。HM構件包括具有第一寬度的上部與具有第二寬度的下部，第二寬度大於第一寬度。該方法更包含沿著第一HM構件的側壁形成間隔件，藉由使用間隔件作為第一蝕刻遮罩而於材料層上方形成第二HM構件，以及藉由使用第二HM構件作為第二蝕刻遮罩而於材料層中形成圖案化的構件。

Abstract in simplified Chinese: 本揭露系关于一种半导体集成电路(IC)的制造方法。在一实施例中，于基板上方形成材料层，且在材料层上方形成第一硬罩(hard mask,HM)构件。HM构件包括具有第一宽度的上部与具有第二宽度的下部，第二宽度大于第一宽度。该方法更包含沿着第一HM构件的侧壁形成间隔件，借由使用间隔件作为第一蚀刻遮罩而于材料层上方形成第二HM构件，以及借由使用第二HM构件作为第二蚀刻遮罩而于材料层中形成图案化的构件。