公开(公告)号：TW201112367A

公开(公告)日：2011-04-01

申请号：TW098132591

申请日：2009-09-25

申请人： 鉅景科技股份有限公司

发明人： 陳怡政

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L24/82 ,  H01L2224/02379 ,  H01L2224/24226 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種具缺口之封裝結構及其製造方法。此封裝結構包含一基板、一晶片及數個導電材料。基板具有數個第一銲墊。晶片位於基板上,並具有一第一面、一第二面、一側面、數個第二銲墊與數個缺口。第一面設置第二銲墊,第二面面對基板。此些缺口位於側面,並貫穿第一面與第二面,且一一對齊此些第一銲墊與此些第二銲墊。此些導電材料分別位於此些缺口,並接觸此些第一銲墊與此些第二銲墊,以電性連接基板與晶片。

简体摘要： 一种具缺口之封装结构及其制造方法。此封装结构包含一基板、一芯片及数个导电材料。基板具有数个第一焊垫。芯片位于基板上,并具有一第一面、一第二面、一侧面、数个第二焊垫与数个缺口。第一面设置第二焊垫,第二面面对基板。此些缺口位于侧面,并贯穿第一面与第二面,且一一对齐此些第一焊垫与此些第二焊垫。此些导电材料分别位于此些缺口,并接触此些第一焊垫与此些第二焊垫,以电性连接基板与芯片。

公开(公告)号：TW201038147A

公开(公告)日：2010-10-16

申请号：TW098137017

申请日：2009-10-30

申请人： 太陽誘電股份有限公司

发明人： 橫田英樹 ,  宮崎政志

IPC分类号： H05K

CPC分类号： H05K1/183 ,  H01L24/18 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2224/92244 ,  H01L2924/01004 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/07811 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/3512 ,  H05K1/056 ,  H05K1/185 ,  H05K3/4608 ,  H05K3/4697 ,  H05K2201/09127 ,  H05K2201/09781 ,  Y10T29/49139 ,  Y10T29/49155 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種印刷電路板,其提高零件安裝用凹部之底之機械强度而實現可靠性之提高。於金屬芯材(11)之表背面之一者上形成絕緣層(16),並且使用上述金屬芯材(11)上形成之開口(12)作為零件安裝用凹部(15a)之印刷電路板(10)中,於上述絕緣層(16)之與成為上述凹部(15a)之底之部分對向之絕緣層之表面部分形成加强圖案(30)。上述加强圖案(30)係與形成於上述絕緣層(16)上之配線圖案(28c、29c)為同材料且與該配線圖案(28c、29c)同時形成。

简体摘要： 本发明提供一种印刷电路板,其提高零件安装用凹部之底之机械强度而实现可靠性之提高。于金属芯材(11)之表背面之一者上形成绝缘层(16),并且使用上述金属芯材(11)上形成之开口(12)作为零件安装用凹部(15a)之印刷电路板(10)中,于上述绝缘层(16)之与成为上述凹部(15a)之底之部分对向之绝缘层之表面部分形成加强图案(30)。上述加强图案(30)系与形成于上述绝缘层(16)上之配线图案(28c、29c)为同材料且与该配线图案(28c、29c)同时形成。

公开(公告)号：TW201034150A

公开(公告)日：2010-09-16

申请号：TW098108313

申请日：2009-03-13

申请人： 日月光半導體製造股份有限公司

发明人： 洪正輝

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L21/76898 ,  H01L23/481 ,  H01L24/18 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01061 ,  H01L2924/01074

摘要： 本發明係關於一種具有內連結金屬之矽晶圓。該矽晶圓包括一矽基材、至少一電性元件、一絕緣層、一金屬層、至少一第一內連結金屬及至少一第二內連結金屬。該電性元件位於該矽基材內，且顯露於該矽基材之一第一表面。該絕緣層位於該矽基材之第一表面。該金屬層位於該絕緣層之一表面。該第一內連結金屬貫穿該絕緣層，且位於該電性元件上方，該第一內連結金屬係連接該金屬層及該電性元件。該第二內連結金屬貫穿該絕緣層，且位於該電性元件外之相對位置，該第二內連結金屬係連接該金屬層。藉此，當形成一矽穿導孔後，該矽穿導孔可透過該第二內連結金屬與該金屬層電性連接，以提升良率。

简体摘要： 本发明系关于一种具有内链接金属之硅晶圆。该硅晶圆包括一硅基材、至少一电性组件、一绝缘层、一金属层、至少一第一内链接金属及至少一第二内链接金属。该电性组件位于该硅基材内，且显露于该硅基材之一第一表面。该绝缘层位于该硅基材之第一表面。该金属层位于该绝缘层之一表面。该第一内链接金属贯穿该绝缘层，且位于该电性组件上方，该第一内链接金属系连接该金属层及该电性组件。该第二内链接金属贯穿该绝缘层，且位于该电性组件外之相对位置，该第二内链接金属系连接该金属层。借此，当形成一硅穿导孔后，该硅穿导孔可透过该第二内链接金属与该金属层电性连接，以提升良率。

公开(公告)号：TW200947664A

公开(公告)日：2009-11-16

申请号：TW097148047

申请日：2008-12-10

申请人： 瑞薩科技股份有限公司

发明人： 荒木誠 ,  石田心平 ,  中村滋

IPC分类号： H01L ,  G06K

CPC分类号： H01L24/91 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L24/82 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/04105 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/27013 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73257 ,  H01L2224/73259 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/92 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01038 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15153 ,  H01L2924/1517 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/1815 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/19043 ,  H01L2924/19105 ,  H01L2924/3011 ,  H01L2924/3025 ,  H05K1/0206 ,  H05K1/186 ,  H05K3/429 ,  H05K3/4602 ,  H05K2201/09509 ,  H05K2201/10674 ,  H05K2201/10969 ,  H05K2203/049 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/82 ,  H01L2224/85 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012

摘要： 本發明提供一種半導體裝置及其製造方法，該半導體裝置係於將半導體晶片埋入配線基板內部，且覆晶連接形成於半導體晶片表面之凸塊電極與形成於配線基板內部之配線之情形時，使半導體晶片之整個背面充分起作用作為背面電極。將半導體晶片CHP1埋入配線基板內部而進行安裝。此時，半導體晶片CHP1係藉由凸塊電極BP而與形成配線基板之核心層的基底基板20進行覆晶(面朝下)連接。於半導體晶片CHP1之與凸塊電極形成面相反側的面上形成有導體膜11。導體膜11起作用作為向形成於半導體晶片CHP1內部之積體電路供給基準電位之背面電極，該導體膜11經由通道V而與第3層配線L3電性連接。

简体摘要： 本发明提供一种半导体设备及其制造方法，该半导体设备系于将半导体芯片埋入配线基板内部，且覆晶连接形成于半导体芯片表面之凸块电极与形成于配线基板内部之配线之情形时，使半导体芯片之整个背面充分起作用作为背面电极。将半导体芯片CHP1埋入配线基板内部而进行安装。此时，半导体芯片CHP1系借由凸块电极BP而与形成配线基板之内核层的基底基板20进行覆晶(面朝下)连接。于半导体芯片CHP1之与凸块电极形成面相反侧的面上形成有导体膜11。导体膜11起作用作为向形成于半导体芯片CHP1内部之集成电路供给基准电位之背面电极，该导体膜11经由信道V而与第3层配线L3电性连接。

公开(公告)号：TW200939424A

公开(公告)日：2009-09-16

申请号：TW097107502

申请日：2008-03-04

申请人： 日月光半導體製造股份有限公司 ADVANCED SEMICONDUCTOR ENGINEERING, INC.

发明人： 陳國華 CHEN, KUO HUA ,  歐英德 OU, YING TE ,  府玠辰 FU, CHIEH CHEN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L23/5389 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L24/16 ,  H01L24/19 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/3511

摘要： 一種內埋式晶片封裝結構,包括一核心層、一第一增層線路結構以及一第二增層線路結構。核心層具有相對應之一第一表面以及一第二表面,且包括一第一介電層、一導線架、一晶片、一第一訊號層以及一第二訊號層。晶片配置於該導線架上,且與導線架電性連接。此晶片及導線架係內埋於第一介電層中。第一訊號層配置於第一介電層之一上表面,且與導線架電性連接。第二訊號層配置於第一介電層之一下表面,且與導線架電性連接。第一增層線路結構及第二增層線路結構分別配置於核心層之第一表面與第二表面上。

简体摘要： 一种内埋式芯片封装结构,包括一内核层、一第一增层线路结构以及一第二增层线路结构。内核层具有相对应之一第一表面以及一第二表面,且包括一第一介电层、一导线架、一芯片、一第一信号层以及一第二信号层。芯片配置于该导线架上,且与导线架电性连接。此芯片及导线架系内埋于第一介电层中。第一信号层配置于第一介电层之一上表面,且与导线架电性连接。第二信号层配置于第一介电层之一下表面,且与导线架电性连接。第一增层线路结构及第二增层线路结构分别配置于内核层之第一表面与第二表面上。

公开(公告)号：TW200849551A

公开(公告)日：2008-12-16

申请号：TW097120691

申请日：2008-06-04

申请人： 新光電氣工業股份有限公司 SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.

发明人： 大井淳 KIYOSHI OI ,  日詰徹 TORU HIZUME ,  千野晃明 TERUAKI CHINO

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L25/105 ,  H01L21/563 ,  H01L21/565 ,  H01L21/6835 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49811 ,  H01L23/49816 ,  H01L24/11 ,  H01L24/16 ,  H01L24/18 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L25/0657 ,  H01L2221/68345 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/1308 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/16 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45139 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/81005 ,  H01L2224/81801 ,  H01L2225/06562 ,  H01L2225/1023 ,  H01L2225/1035 ,  H01L2225/1058 ,  H01L2924/00011 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/12041 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18165 ,  H01L2924/19107 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01049

摘要： 在一種半導體裝置中,將一半導體元件建構於一以平板狀所成型之樹脂成型部內。使一佈線電性連接至該半導體元件及配置在該樹脂成型部之一表面上,以便以該樹脂成型部密封該佈線之內表面側及暴露該佈線之外表面以與該樹脂成型部之一表面齊平。使一電極配置在該半導體元件之一平面區域的外側之該佈線上及在厚度方向上延伸穿過該樹脂成型部。該電極之頂部從該樹脂成型部之另一表面突出。

简体摘要： 在一种半导体设备中,将一半导体组件建构于一以平板状所成型之树脂成型部内。使一布线电性连接至该半导体组件及配置在该树脂成型部之一表面上,以便以该树脂成型部密封该布线之内表面侧及暴露该布线之外表面以与该树脂成型部之一表面齐平。使一电极配置在该半导体组件之一平面区域的外侧之该布在线及在厚度方向上延伸穿过该树脂成型部。该电极之顶部从该树脂成型部之另一表面突出。

公开(公告)号：TW200627548A

公开(公告)日：2006-08-01

申请号：TW094134897

申请日：2005-10-06

申请人： 精工愛普生股份有限公司 SEIKO EPSON CORPORATION

发明人： 平井利充 HIRAI, TOSHIMITSU ,  酒井真理 SAKAI, SHINRI

IPC分类号： H01L ,  G09F

CPC分类号： H01L27/12 ,  H01L27/1292 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3244 ,  H01L27/3295 ,  H01L2224/18 ,  H05K3/1241

摘要： 本發明提供一種能夠以高精度穩定形成細線狀微細圖案之岸堤構造體、圖案形成方法、光電裝置及電子機器。其特徵在於：該隔牆構造體係設有與藉由功能液形成之圖案對應之凹部，且包含第1凹部56及第2凹部57；該第1凹部56係對應於第1圖案40而設；該第2凹部57係設於第1凹部56之一部分，其寬度比第1凹部56寬，且於外周之至少一部分具有圓弧之形狀。

简体摘要： 本发明提供一种能够以高精度稳定形成细线状微细图案之岸堤构造体、图案形成方法、光电设备及电子机器。其特征在于：该隔墙构造体系设有与借由功能液形成之图案对应之凹部，且包含第1凹部56及第2凹部57；该第1凹部56系对应于第1图案40而设；该第2凹部57系设于第1凹部56之一部分，其宽度比第1凹部56宽，且于外周之至少一部分具有圆弧之形状。

公开(公告)号：TW200623362A

公开(公告)日：2006-07-01

申请号：TW093140870

申请日：2004-12-28

申请人： 全懋精密科技股份有限公司 PHOENIX PRECISION TECHNOLOGY CORPORATION

发明人： 許詩濱 HSU, SHIH-PING

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L2224/04105 ,  H01L2224/12105 ,  H01L2224/16227 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73267 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

摘要： 一種結合有可撓性軟板之散熱型半導體裝置，主要係包括有一散熱封裝件以及至少一可撓性軟板，該可撓性軟板係接置並電性連接至該散熱封裝件上，俾得在可撓性軟板上接置至少一如記憶體、電容器、電阻器或電感器等電子元件，以構成一模組化的結構，並可藉由該可撓性軟板提供擴充的容置空間。

简体摘要： 一种结合有可挠性软板之散热型半导体设备，主要系包括有一散热封装件以及至少一可挠性软板，该可挠性软板系接置并电性连接至该散热封装件上，俾得在可挠性软板上接置至少一如内存、电容器、电阻器或电感器等电子组件，以构成一模块化的结构，并可借由该可挠性软板提供扩充的容置空间。

公开(公告)号：TW200618207A

公开(公告)日：2006-06-01

申请号：TW093135587

申请日：2004-11-19

申请人： 台灣嘉碩科技股份有限公司 TAI-SAW TECHNOLOGY CO., LTD.

发明人： 黃鈺同 YU-TUNG HUANG ,  林根煌 KEN-HUANG LIN ,  張明弘 MING-HUNG CHANG

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L2224/18 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2924/16152 ,  H01L2924/00014

摘要： 提供一種聲波元件積體化及單石化之封裝結構，其係包含一第一元件、一接合層、一第二元件及一導體層。第一元件係以面朝上之方式配置，而第二元件係以面朝下之方式配置，在第一元件及第二元件之間係為接合層，並形成此聲波元件之結構，在此聲波元件結構之至少一側上係形成此導體層，以降低熱效應及電磁串音的干擾。

简体摘要： 提供一种声波组件积体化及单石化之封装结构，其系包含一第一组件、一接合层、一第二组件及一导体层。第一组件系以面朝上之方式配置，而第二组件系以面朝下之方式配置，在第一组件及第二组件之间系为接合层，并形成此声波组件之结构，在此声波组件结构之至少一侧上系形成此导体层，以降低热效应及电磁串音的干扰。

公开(公告)号：TW200534456A

公开(公告)日：2005-10-16

申请号：TW093109857

申请日：2004-04-09

申请人： 全懋精密科技股份有限公司 PHOENIX PRECISION TECHNOLOGY CORPORATION

发明人： 許詩濱 HSU, SHIH-PING ,  蔡琨辰 TSAI, KUN-CHEN

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L2224/04105 ,  H01L2224/18 ,  H01L2224/73267

摘要： 一種埋入式晶片之電性連接端結構及其製法，主要係在整合有晶片之電路板結構上形成一絕緣層，並使該絕緣層形成有複數開口，其中至少一開口係對應於該晶片之電性連接墊位置，復於該絕緣層及其開口表面形成有導電層，並於該導電層上形成有圖案化阻層，俾使該圖案化阻層形成有複數開口以外露出部分導電層，其中至少一阻層開口係對應至該晶片之電性連接墊位置，之後進行電鍍製程，以在顯露於該圖案化阻層之導電層上形成電鍍金屬層。俾得以同時整合晶片之電性連接墊之導電結構製程與電路板導電線路之增層製程，藉以簡化製程步驟與成本。

简体摘要： 一种埋入式芯片之电性连接端结构及其制法，主要系在集成有芯片之电路板结构上形成一绝缘层，并使该绝缘层形成有复数开口，其中至少一开口系对应于该芯片之电性连接垫位置，复于该绝缘层及其开口表面形成有导电层，并于该导电层上形成有图案化阻层，俾使该图案化阻层形成有复数开口以外露出部分导电层，其中至少一阻层开口系对应至该芯片之电性连接垫位置，之后进行电镀制程，以在显露于该图案化阻层之导电层上形成电镀金属层。俾得以同时集成芯片之电性连接垫之导电结构制程与电路板导电线路之增层制程，借以简化制程步骤与成本。