公开(公告)号：TW201736271A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106101036

申请日：2017-01-12

申请人： 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

发明人： 中田邦彦 ,  NAKATA, KUNIHIKO ,  青木健志 ,  AOKI, TAKESHI

IPC分类号： C01G15/00 ,  C04B35/01 ,  C04B35/64 ,  C23C14/34

CPC分类号： C01G15/00 ,  C01G19/00 ,  C01G23/00 ,  C04B35/01 ,  C23C14/34

摘要： 本發明之非晶質複合金屬氧化物之製造方法，係包含以下步驟：使由In、Ga、Al、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Ta、Nb、Hf、W及Zn所成之群中選出的至少2種金屬或其化合物溶解於溶劑中，而得到複合金屬溶液的步驟、以及將複合金屬溶液進行加熱處理，而得到非晶質複合金屬氧化物的步驟。

简体摘要： 本发明之非晶质复合金属氧化物之制造方法，系包含以下步骤：使由In、Ga、Al、Si、Ge、Sn、Ti、Zr、Ta、Nb、Hf、W及Zn所成之群中选出的至少2种金属或其化合物溶解于溶剂中，而得到复合金属溶液的步骤、以及将复合金属溶液进行加热处理，而得到非晶质复合金属氧化物的步骤。

公开(公告)号：TW201507161A

公开(公告)日：2015-02-16

申请号：TW103118954

申请日：2014-05-30

申请人： 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

发明人： 青木健志 ,  AOKI, TAKESHI ,  福原昇 ,  FUKUHARA, NOBORU ,  佐澤洋幸 ,  SAZAWA, HIROYUKI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L29/512 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/78

摘要： 本發明係提供一種半導體基板、化合物半導體層、第1絕緣層、第2絕緣層依序配置的半導體基板，其中，第1絕緣層含有由金屬原子等第1原子、與氧原子及氮原子；第2絕緣層含有金屬原子等第2原子、氧原子及氮原子；化合物半導體層含有金屬原子之第3原子與非金屬原子之第4原子；氧原子及氮原子在深度方向連續地分布，沿著深度方向之氮原子數在第1絕緣層之中顯示極大，沿著深度方向之第3原子及第4原子之合計原子數在化合物半導體層之中成為最大，化合物半導體層與第1絕緣層之界面的氧原子數，小於第1絕緣層與第2絕緣層之界面的氧原子。本發明之半導體基板可降低製造化合物半導體MIS構造時之界面位準。

简体摘要： 本发明系提供一种半导体基板、化合物半导体层、第1绝缘层、第2绝缘层依序配置的半导体基板，其中，第1绝缘层含有由金属原子等第1原子、与氧原子及氮原子；第2绝缘层含有金属原子等第2原子、氧原子及氮原子；化合物半导体层含有金属原子之第3原子与非金属原子之第4原子；氧原子及氮原子在深度方向连续地分布，沿着深度方向之氮原子数在第1绝缘层之中显示极大，沿着深度方向之第3原子及第4原子之合计原子数在化合物半导体层之中成为最大，化合物半导体层与第1绝缘层之界面的氧原子数，小于第1绝缘层与第2绝缘层之界面的氧原子。本发明之半导体基板可降低制造化合物半导体MIS构造时之界面位准。

公开(公告)号：TW201816180A

公开(公告)日：2018-05-01

申请号：TW106117674

申请日：2017-05-26

申请人： 日商住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

发明人： 青木健志 ,  AOKI, TAKESHI ,  中田邦彦 ,  NAKATA, KUNIHIKO

IPC分类号： C23C16/54 ,  C23C16/34 ,  C23C14/06 ,  C01G9/00 ,  H01L21/336 ,  H01L21/363 ,  H01L29/786

摘要： 相關於本發明之金屬氧氮化物半導體膜之製造方法，係把由鋅及錫所選擇的至少1種金屬元素的氧化物濺鍍靶，在含有80體積百分比以上的氮氣的氛圍氣體中，1.5Pa以下的壓力條件下，供濺鍍使用。

简体摘要： 相关于本发明之金属氧氮化物半导体膜之制造方法，系把由锌及锡所选择的至少1种金属元素的氧化物溅镀靶，在含有80体积百分比以上的氮气的氛围气体中，1.5Pa以下的压力条件下，供溅镀使用。

公开(公告)号：TWI528548B

公开(公告)日：2016-04-01

申请号：TW101106933

申请日：2012-03-02

申请人： 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED ,  國立大學法人東京大學 ,  THE UNIVERSITY OF TOKYO ,  獨立行政法人產業技術總合研究所 ,  NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY

发明人： 青木健志 ,  AOKI, TAKESHI ,  山田永 ,  YAMADA, HISASHI ,  福原昇 ,  FUKUHARA, NOBORU ,  秦雅彥 ,  HATA, MASAHIKO ,  橫山正史 ,  YOKOYAMA, MASASHI ,  金相賢 ,  KIM, SANGHYEON ,  竹中充 ,  TAKENAKA, MITSURU ,  高木信一 ,  TAKAGI, SHINICHI ,  安田哲二 ,  YASUDA, TETSUJI

IPC分类号： H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC分类号： H01L29/78681 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TWI609490B

公开(公告)日：2017-12-21

申请号：TW103118954

申请日：2014-05-30

申请人： 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

发明人： 青木健志 ,  AOKI, TAKESHI ,  福原昇 ,  FUKUHARA, NOBORU ,  佐澤洋幸 ,  SAZAWA, HIROYUKI

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L29/512 ,  H01L21/02178 ,  H01L21/02205 ,  H01L21/0228 ,  H01L21/28264 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/7785 ,  H01L29/78

公开(公告)号：TW201413833A

公开(公告)日：2014-04-01

申请号：TW102127230

申请日：2013-07-30

申请人： 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED ,  獨立行政法人產業技術總合研究所 ,  NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

发明人： 山本武繼 ,  YAMAMOTO, TAKETSUGU ,  青木健志 ,  AOKI, TAKESHI ,  前田辰郎 ,  MAEDA, TATSURO ,  三枝榮子 ,  MIEDA, EIKO ,  菊池俊之 ,  KIKUCHI, TOSHIYUKI ,  小川有人 ,  OGAWA, ARITO

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L23/48

CPC分类号： H01L21/8258 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/02598 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/7813 ,  H01L27/12

摘要： 本發明係提供一種複合基板的製造方法，為使用具有單晶層之半導體結晶層形成基板之複合基板的製造方法，其係具有：(a)於半導體結晶層形成基板的單晶層上，依序形成犧牲層及半導體結晶層之步驟；(b)使成為半導體結晶層形成基板側的表面之第1表面、與成為轉貼目的基板側的表面且將接觸於第1表面之第2表面相對向，來貼合半導體結晶層形成基板與轉貼目的基板之步驟；以及(c)對犧牲層進行蝕刻，在使半導體結晶層殘留於轉貼目的基板之狀態下，分離半導體結晶層形成基板與轉貼目的基板之步驟；使用(c)步驟中被分離之半導體結晶層形成基板，重複進行(a)至(c)的各步驟。

简体摘要： 本发明系提供一种复合基板的制造方法，为使用具有单晶层之半导体结晶层形成基板之复合基板的制造方法，其系具有：(a)于半导体结晶层形成基板的单晶层上，依序形成牺牲层及半导体结晶层之步骤；(b)使成为半导体结晶层形成基板侧的表面之第1表面、与成为转贴目的基板侧的表面且将接触于第1表面之第2表面相对向，来贴合半导体结晶层形成基板与转贴目的基板之步骤；以及(c)对牺牲层进行蚀刻，在使半导体结晶层残留于转贴目的基板之状态下，分离半导体结晶层形成基板与转贴目的基板之步骤；使用(c)步骤中被分离之半导体结晶层形成基板，重复进行(a)至(c)的各步骤。

公开(公告)号：TW201411713A

公开(公告)日：2014-03-16

申请号：TW102126424

申请日：2013-07-24

申请人： 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED

发明人： 青木健志 ,  AOKI, TAKESHI ,  市川磨 ,  ICHIKAWA, OSAMU ,  山本武繼 ,  YAMAMOTO, TAKETSUGU

IPC分类号： H01L21/306

CPC分类号： H01L29/267 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02543 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/30612 ,  H01L21/3081 ,  H01L21/7806 ,  H01L21/8258 ,  H01L27/092 ,  H01L29/165 ,  H01L29/205 ,  H01L29/66522 ,  H01L29/737 ,  H01L29/778 ,  H01L29/812

摘要： 本發明係提供一種半導體基板，其係於半導體結晶層形成基板上，依序具有第1半導體結晶層、第2半導體結晶層及第3半導體結晶層；第1半導體結晶層之由第1蝕刻劑所蝕刻之蝕刻速度及第3半導體結晶層之由第1蝕刻劑所蝕刻之蝕刻速度，均較第2半導體結晶層之由第1蝕刻劑所蝕刻之蝕刻速度更大，而第1半導體結晶層之由第2蝕刻劑所蝕刻之蝕刻速度及第3半導體結晶層之由第2蝕刻劑所蝕刻之蝕刻速度，均較第2半導體結晶層之由第2蝕刻劑所蝕刻之蝕刻速度更小。

简体摘要： 本发明系提供一种半导体基板，其系于半导体结晶层形成基板上，依序具有第1半导体结晶层、第2半导体结晶层及第3半导体结晶层；第1半导体结晶层之由第1蚀刻剂所蚀刻之蚀刻速度及第3半导体结晶层之由第1蚀刻剂所蚀刻之蚀刻速度，均较第2半导体结晶层之由第1蚀刻剂所蚀刻之蚀刻速度更大，而第1半导体结晶层之由第2蚀刻剂所蚀刻之蚀刻速度及第3半导体结晶层之由第2蚀刻剂所蚀刻之蚀刻速度，均较第2半导体结晶层之由第2蚀刻剂所蚀刻之蚀刻速度更小。

公开(公告)号：TW201405740A

公开(公告)日：2014-02-01

申请号：TW102121319

申请日：2013-06-17

申请人： 住友化學股份有限公司 ,  SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED ,  獨立行政法人產業技術總合研究所 ,  NATIONAL INSTITUTE OF ADVANCED INDUSTRIAL SCIENCE AND TECHNOLOGY ,  日立國際電氣股份有限公司 ,  HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.

发明人： 秦雅彥 ,  HATA, MASAHIKO ,  長田剛規 ,  OSADA, TAKENORI ,  山本武繼 ,  YAMAMOTO, TAKETSUGU ,  青木健志 ,  AOKI, TAKESHI ,  安田哲二 ,  YASUDA, TETSUJI ,  前田辰郎 ,  MAEDA, TATSURO ,  三枝榮子 ,  MIEDA, EIKO ,  高木秀樹 ,  TAKAGI, HIDEKI ,  倉島優一 ,  KURASHIMA, YUICHI ,  國井泰夫 ,  KUNII, YASUO ,  菊池俊之 ,  KIKUCHI, TOSHIYUKI ,  小川有人 ,  OGAWA, ARITO

IPC分类号： H01L23/48 ,  H01L21/304

CPC分类号： H01L21/02373 ,  H01L21/02002 ,  H01L21/02387 ,  H01L21/02546 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/30604 ,  H01L21/84 ,  H01L29/0657 ,  H01L29/16 ,  H01L29/20 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本發明提供一種具備有半導體結晶層之複合基板的製造方法，其係：在半導體結晶層形成基板的上方依序形成犧牲層及半導體結晶層，以蝕刻至使犧牲層的一部分露出之方式蝕刻半導體結晶層，將半導體結晶層分割為複數個分割體，使形成於半導體結晶層形成基板之層的表面(第一表面)、與由無機物所構成之轉印目的地基板或形成於轉印目的地基板之層的表面(第二表面)相對合，以使第一表面與第二表面相接之方式使半導體結晶層形成基板與轉印目的地基板相貼合，再以0.01Mpa至1Gpa之壓力範圍將半導體結晶層形成基板及轉印目的地基板予以壓接，然後將犧牲層蝕刻掉，使轉印目的地基板與半導體結晶層形成基板在半導體結晶層殘留在轉印目的地基板側之狀態下相分離。

简体摘要： 本发明提供一种具备有半导体结晶层之复合基板的制造方法，其系：在半导体结晶层形成基板的上方依序形成牺牲层及半导体结晶层，以蚀刻至使牺牲层的一部分露出之方式蚀刻半导体结晶层，将半导体结晶层分割为复数个分割体，使形成于半导体结晶层形成基板之层的表面(第一表面)、与由无机物所构成之转印目的地基板或形成于转印目的地基板之层的表面(第二表面)相对合，以使第一表面与第二表面相接之方式使半导体结晶层形成基板与转印目的地基板相贴合，再以0.01Mpa至1Gpa之压力范围将半导体结晶层形成基板及转印目的地基板予以压接，然后将牺牲层蚀刻掉，使转印目的地基板与半导体结晶层形成基板在半导体结晶层残留在转印目的地基板侧之状态下相分离。

公开(公告)号：TW201244080A

公开(公告)日：2012-11-01

申请号：TW101106933

申请日：2012-03-02

申请人： 住友化學股份有限公司 ,  國立大學法人東京大學 ,  獨立行政法人產業技術總合研究所

发明人： 青木健志 ,  山田永 ,  福原昇 ,  秦雅彥 ,  橫山正史 ,  金相賢 ,  竹中充 ,  高木信一 ,  安田哲二

IPC分类号： H01L

CPC分类号： H01L29/78681 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/76256 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/517 ,  H01L29/6631 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7783 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/78

摘要： 本發明提供一種半導體基板,係具有基板、第1絕緣體層與半導體層,而基底基板、第1絕緣體層及半導體層的位置係依基底基板、第1絕緣體層、半導體層之順序而排列,而第1絕緣體層係由非結晶型金屬氧化物或非結晶型金屬氮化物所構成,而半導體層包含第1結晶層及第2結晶層,且第1結晶層及第2結晶層的位置係從基底基板之側,依第1結晶層、第2結晶層之順序而排列,而第1結晶層之電子親和力Ea1比第2結晶層的電子親和力Ea2還大。

简体摘要： 本发明提供一种半导体基板,系具有基板、第1绝缘体层与半导体层,而基底基板、第1绝缘体层及半导体层的位置系依基底基板、第1绝缘体层、半导体层之顺序而排列,而第1绝缘体层系由非结晶型金属氧化物或非结晶型金属氮化物所构成,而半导体层包含第1结晶层及第2结晶层,且第1结晶层及第2结晶层的位置系从基底基板之侧,依第1结晶层、第2结晶层之顺序而排列,而第1结晶层之电子亲和力Ea1比第2结晶层的电子亲和力Ea2还大。