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公开(公告)号：TWI512927B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW102146971
申请日：2013-12-18
发明人： 賴昱嘉 , LAI, YUCHIA , 杜賢明 , TU, HSIENMING , 邵棟樑 , SHAO, TUNGLIANG , 陳憲偉 , CHEN, HSIENWEI , 黃章斌 , HUANG, CHANGPIN , 楊慶榮 , YANG, CHINGJUNG
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02235 , H01L2224/0225 , H01L2224/02255 , H01L2224/02313 , H01L2224/0233 , H01L2224/0236 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/10125 , H01L2224/11015 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2924/01029 , H01L2924/181 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201804587A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105133167
申请日：2016-10-14
发明人： 黃章斌 , HUANG, CHANG-PIN , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 杜賢明 , TU, HSIEN-MING , 郭鴻毅 , KUO, HUNG-YI , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 梁世緯 , LIANG, SHIH-WEI , 賴昱嘉 , LAI, YU-CHIA , 劉人瑄 , LIU, REN-XUAN
IPC分类号： H01L23/485 , H01L23/31
CPC分类号： H01L24/02 , H01L21/566 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02315 , H01L2224/02331 , H01L2224/02351 , H01L2224/02373 , H01L2224/02379 , H01L2224/0401 , H01L2224/05024 , H01L2224/13026
摘要： 本發明實施例提供一種封裝結構。封裝結構包括晶片、模製元件以及重佈線電路結構。晶片包括半導體基板、連接件以及鈍化層。半導體基板具有上表面。連接件配置於半導體基板的上表面上方。鈍化層配置於半導體基板的上表面上方且暴露部分連接件。模製元件側向圍繞半導體基板，其中模製元件的上表面高於半導體基板的上表面且模製元件形成掛鉤結構，掛鉤結構掛在半導體基板的邊緣部分上。重佈線電路結構延伸於鈍化層以及模製元件上方，以及電性連接連接件。
简体摘要： 本发明实施例提供一种封装结构。封装结构包括芯片、模制组件以及重布线电路结构。芯片包括半导体基板、连接件以及钝化层。半导体基板具有上表面。连接件配置于半导体基板的上表面上方。钝化层配置于半导体基板的上表面上方且暴露部分连接件。模制组件侧向围绕半导体基板，其中模制组件的上表面高于半导体基板的上表面且模制组件形成挂钩结构，挂钩结构挂在半导体基板的边缘部分上。重布线电路结构延伸于钝化层以及模制组件上方，以及电性连接连接件。
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公开(公告)号：TW201503305A
公开(公告)日：2015-01-16
申请号：TW102146971
申请日：2013-12-18
发明人： 賴昱嘉 , LAI, YUCHIA , 杜賢明 , TU, HSIENMING , 邵棟樑 , SHAO, TUNGLIANG , 陳憲偉 , CHEN, HSIENWEI , 黃章斌 , HUANG, CHANGPIN , 楊慶榮 , YANG, CHINGJUNG
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/563 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/05 , H01L24/13 , H01L2224/02235 , H01L2224/0225 , H01L2224/02255 , H01L2224/02313 , H01L2224/0233 , H01L2224/0236 , H01L2224/024 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/10125 , H01L2224/11015 , H01L2224/13022 , H01L2224/13024 , H01L2224/131 , H01L2224/13111 , H01L2924/01029 , H01L2924/181 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00
摘要： 被封裝的半導體裝置包含半導體基材、金屬墊、金屬座、聚合物絕緣層、含銅結構，以及導體凸塊。金屬墊與金屬座沉積於半導體基材上。聚合物絕緣層位於金屬座與半導體基材上。含銅結構沉積於聚合物絕緣層上，並包含支持結構與後鈍化內連線(Post-Passivation Interconnect Line；PPI Line)。支持結構對準至金屬座。後鈍化內連線部分地位於支持結構內，並延伸穿過支持結構之開口，其中支持結構之頂端的所在位置高於後鈍化內連線之頂端的所在位置。導體凸塊被支持結構所支撐。
简体摘要： 被封装的半导体设备包含半导体基材、金属垫、金属座、聚合物绝缘层、含铜结构，以及导体凸块。金属垫与金属座沉积于半导体基材上。聚合物绝缘层位于金属座与半导体基材上。含铜结构沉积于聚合物绝缘层上，并包含支持结构与后钝化内连接(Post-Passivation Interconnect Line；PPI Line)。支持结构对准至金属座。后钝化内连接部分地位于支持结构内，并延伸穿过支持结构之开口，其中支持结构之顶端的所在位置高于后钝化内连接之顶端的所在位置。导体凸块被支持结构所支撑。
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公开(公告)号：TW201801269A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW105138411
申请日：2016-11-23
发明人： 賴昱嘉 , LAI, YU-CHIA , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 黃章斌 , HUANG, CHANG-PIN , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 杜賢明 , TU, HSIEN-MING , 郭鴻毅 , KUO, HUNG-YI , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 梁世緯 , LIANG, SHIH-WEI , 劉人瑄 , LIU, REN-XUAN
CPC分类号： H01L23/528 , H01L23/3171 , H01L23/5226 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647
摘要： 一種積體電路上的導電端子。導電端子包括導電接墊、介電層及導通孔。導電接墊配置於積體電路上並電連接至積體電路。介電層覆蓋積體電路及導電接墊，介電層包括排列成陣列的多個接觸開口，且導電接墊被接觸開口局部地暴露出。導通孔配置於介電層上並經由接觸開口電連接至導電接墊。導通孔包括排列成陣列的多個凸出部。凸出部分佈於導通孔的頂表面上，且凸出部對應於接觸開口。
简体摘要： 一种集成电路上的导电端子。导电端子包括导电接垫、介电层及导通孔。导电接垫配置于集成电路上并电连接至集成电路。介电层覆盖集成电路及导电接垫，介电层包括排列成数组的多个接触开口，且导电接垫被接触开口局部地暴露出。导通孔配置于介电层上并经由接触开口电连接至导电接垫。导通孔包括排列成数组的多个凸出部。凸出部分布于导通孔的顶表面上，且凸出部对应于接触开口。
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公开(公告)号：TW201715681A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105133833
申请日：2016-10-20
发明人： 黃章斌 , HUANG, CHANG-PIN , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 楊慶榮 , YANG, CHING-JUNG , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 杜賢明 , TU, HSIEN-MING , 郭鴻毅 , KUO, HUNG-YI , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 梁世緯 , LIANG, SHIH-WEI , 賴昱嘉 , LAI, YU-CHIA
IPC分类号： H01L23/50
CPC分类号： H01L24/08 , H01L21/561 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/293 , H01L23/3157 , H01L24/03 , H01L24/10 , H01L24/19 , H01L24/97 , H01L2224/0231 , H01L2224/02379 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2924/18162 , H01L2924/3511
摘要： 一種實施例方法包括：提供具有凹槽的載板，並且將晶粒貼合至載板，其中晶粒至少局部地安置於凹槽中。上述方法更包括：在載板上及晶粒的至少一部分周圍形成模製化合物；在所述模製化合物上形成扇出型重佈線層，扇出型重佈線層電性連接至晶粒；以及移除載板。
简体摘要： 一种实施例方法包括：提供具有凹槽的载板，并且将晶粒贴合至载板，其中晶粒至少局部地安置于凹槽中。上述方法更包括：在载板上及晶粒的至少一部分周围形成模制化合物；在所述模制化合物上形成扇出型重布线层，扇出型重布线层电性连接至晶粒；以及移除载板。
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公开(公告)号：TW201804593A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105134244
申请日：2016-10-24
发明人： 梁世緯 , LIANG, SHIH-WEI , 杜賢明 , TU, HSIEN-MING , 郭鴻毅 , KUO, HUNG-YI , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 曾明鴻 , TSENG, MING-HUNG
IPC分类号： H01L23/522 , H02J50/12
CPC分类号： H01L23/5227 , H01L23/3157 , H01L23/5223 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L28/10 , H01L28/40 , H02J50/12
摘要： 一種半導體裝置，包括第一模製層；第二模製層，形成於所述第一模製層上；第一導電線圈，包括連續形成於所述第一模製層中的第一部分與連續形成於所述第二模製層中的第二部分，其中所述第一部分與所述第二部分彼此橫向移置；以及第二導電線圈，形成於所述第二模製層中。所述第二導電線圈與位於所述第二模製層中的所述第一導電線圈的所述第二部分交織在一起。
简体摘要： 一种半导体设备，包括第一模制层；第二模制层，形成于所述第一模制层上；第一导电线圈，包括连续形成于所述第一模制层中的第一部分与连续形成于所述第二模制层中的第二部分，其中所述第一部分与所述第二部分彼此横向移置；以及第二导电线圈，形成于所述第二模制层中。所述第二导电线圈与位于所述第二模制层中的所述第一导电线圈的所述第二部分交织在一起。
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公开(公告)号：TW201804581A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW105132993
申请日：2016-10-13
发明人： 賴昱嘉 , LAI, YU-CHIA , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 黃章斌 , HUANG, CHANG-PIN , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 杜賢明 , TU, HSIEN-MING , 郭鴻毅 , KUO, HUNG-YI , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 梁世緯 , LIANG, SHIH-WEI , 劉人瑄 , LIU, REN-XUAN
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01L23/585 , H01L23/3185 , H01L23/5226 , H01L24/05 , H01L24/17 , H01L2224/0237 , H01L2924/01013 , H01L2924/01022 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01074
摘要： 一種半導體結構包括一積體電路元件、一導電接墊、一密封環結構、一導電通孔、一環型阻障及一模製材料。導電接墊配置於且電性連接於積體電路元件。密封環結構配置於積體電路元件且環繞導電接墊。導電通孔配置於且電性連接於導電接墊。環型阻障配置於密封環結構上。密封環結構環繞導電通孔。模製材料覆蓋積體電路元件的多個側面。
简体摘要： 一种半导体结构包括一集成电路组件、一导电接垫、一密封环结构、一导电通孔、一环型阻障及一模制材料。导电接垫配置于且电性连接于集成电路组件。密封环结构配置于集成电路组件且环绕导电接垫。导电通孔配置于且电性连接于导电接垫。环型阻障配置于密封环结构上。密封环结构环绕导电通孔。模制材料覆盖集成电路组件的多个侧面。
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公开(公告)号：TW201533871A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103146004
申请日：2014-12-29
发明人： 邵棟樑 , SHAO, TUNG LIANG , 賴昱嘉 , LAI, YU CHIA , 杜賢明 , TU, HSIEN MING , 黃章斌 , HUANG, CHANG PIN , 楊慶榮 , YANG, CHING JUNG
IPC分类号： H01L23/482 , H01L23/488 , H01L23/16
CPC分类号： H01L24/11 , H01L21/268 , H01L21/561 , H01L21/78 , H01L21/784 , H01L23/3114 , H01L23/3157 , H01L23/3192 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/10 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/94 , H01L2224/02381 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0346 , H01L2224/0401 , H01L2224/05548 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/10126 , H01L2224/10145 , H01L2224/11013 , H01L2224/11334 , H01L2224/1182 , H01L2224/13014 , H01L2224/13016 , H01L2224/13023 , H01L2224/13024 , H01L2224/13027 , H01L2224/13111 , H01L2224/94 , H01L2924/12042 , H01L2924/181 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2924/01023 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2924/01047 , H01L2924/01029
摘要： 半導體裝置包含基板，其包含第一層以及位於該第一層上方的第二層，位於該第二層上方的凸塊，位於該第二層上方且環繞該凸塊的模塑物，以及位於該第二層上方的支持物，其中該支持物係位於該模塑物與該基板的周圍之間。再者，製造半導體裝置的方法包含提供基板，放置一些凸塊於該基板上，放置支持物於該基板上且環繞該凸塊，以及放置模塑物於該凸塊與該支持物之間。
简体摘要： 半导体设备包含基板，其包含第一层以及位于该第一层上方的第二层，位于该第二层上方的凸块，位于该第二层上方且环绕该凸块的模塑物，以及位于该第二层上方的支持物，其中该支持物系位于该模塑物与该基板的周围之间。再者，制造半导体设备的方法包含提供基板，放置一些凸块于该基板上，放置支持物于该基板上且环绕该凸块，以及放置模塑物于该凸块与该支持物之间。
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公开(公告)号：TW201729381A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW105135786
申请日：2016-11-03
发明人： 黃章斌 , HUANG, CHANG-PIN , 杜賢明 , TU, HSIEN-MING , 楊慶榮 , YANG, CHING-JUNG , 梁世緯 , LIANG, SHIH-WEI , 郭鴻毅 , KUO, HUNG-YI , 賴昱嘉 , LAI, YU-CHIA , 蔡豪益 , TSAI, HAO-YI , 劉重希 , LIU, CHUNG-SHI , 余振華 , YU, CHEN-HUA
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/532
CPC分类号： H01L24/05 , H01L21/568 , H01L23/5226 , H01L23/53228 , H01L24/02 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L2224/02372 , H01L2224/0401 , H01L2224/04105 , H01L2224/05015 , H01L2224/05024 , H01L2224/05147 , H01L2224/12105 , H01L2224/13026 , H01L2224/1413 , H01L2924/18162 , H01L2924/35121
摘要： 一種半導體結構包含：一晶粒，其包含放置於該晶粒上方之一晶粒墊；一導電部件，其放置於該晶粒墊上方並與其電連接；一成型件，其環繞該晶粒及該導電部件；及一重佈層(RDL)，其放置於該成型件、該導電部件及該晶粒上方，且包含一介電層及一互連結構，其中該互連結構包含一平台部分及複數個通路部分，該平台部分放置於該介電層上方，該複數個通路部分貫穿該介電層自該平台部分突出至該導電部件，且該複數個通路部分之各者至少與該導電部件部分地接觸。
简体摘要： 一种半导体结构包含：一晶粒，其包含放置于该晶粒上方之一晶粒垫；一导电部件，其放置于该晶粒垫上方并与其电连接；一成型件，其环绕该晶粒及该导电部件；及一重布层(RDL)，其放置于该成型件、该导电部件及该晶粒上方，且包含一介电层及一互链接构，其中该互链接构包含一平台部分及复数个通路部分，该平台部分放置于该介电层上方，该复数个通路部分贯穿该介电层自该平台部分突出至该导电部件，且该复数个通路部分之各者至少与该导电部件部分地接触。
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公开(公告)号：TWI584424B
公开(公告)日：2017-05-21
申请号：TW104138920
申请日：2015-11-24
发明人： 楊慶榮 , YANG, CHING JUNG , 黃章斌 , HUANG, CHANG PIN , 杜賢明 , TU, HSIEN MING , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 李明機 , LII, MIRNG JI , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 賴昱嘉 , LAI, YU CHIA
CPC分类号： H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L23/525 , H01L23/5329 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2224/11
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