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公开(公告)号：TWI636538B
公开(公告)日：2018-09-21
申请号：TW105125582
申请日：2016-08-11
发明人： 王垂堂 , WANG, CHUEI TANG , 陳韋廷 , CHEN, WEI TING , 陳頡彥 , CHEN, VINCENT , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 曾明鴻 , TSENG, MING HUNG , 郭鴻毅 , KUO, HUNG YI , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC分类号： H01L23/48
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公开(公告)号：TWI622105B
公开(公告)日：2018-04-21
申请号：TW105121366
申请日：2016-07-06
发明人： 余振華 , YU, CHEN HUA , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 陳玉芬 , CHEN, YU FENG
IPC分类号： H01L21/50 , H01L23/28 , H01L23/485 , H01L25/16
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/4846 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/76898 , H01L23/13 , H01L23/49811 , H01L23/5385 , H01L23/5389 , H01L24/16 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/97 , H01L35/34 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/16227 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/48227 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92244 , H01L2224/97 , H01L2924/00014 , H01L2924/14 , H01L2924/1421 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1436 , H01L2924/1437 , H01L2924/1461 , H01L2224/83 , H01L2224/45099
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公开(公告)号：TW201635452A
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW104138920
申请日：2015-11-24
发明人： 楊慶榮 , YANG, CHING JUNG , 黃章斌 , HUANG, CHANG PIN , 杜賢明 , TU, HSIEN MING , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 李明機 , LII, MIRNG JI , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 賴昱嘉 , LAI, YU CHIA
CPC分类号： H01L28/60 , H01L23/5223 , H01L23/525 , H01L23/5329 , H01L23/544 , H01L2223/54426 , H01L2223/54453 , H01L2224/11
摘要： 本發明一些實施例提供了一種封裝件，封裝件包括無機介電層和電容器。電容器包括：底部電極，底部電極的頂面與無機介電層的頂面接觸；位於底部電極上方的絕緣體；以及位於絕緣體上方的頂部電極。封裝件還包括覆蓋電容器的聚合物層，聚合物層的部分與電容器共平面並且環繞電容器。聚合物層接觸無機介電層的頂面。本發明還涉及MIM電容器及其形成方法。
简体摘要： 本发明一些实施例提供了一种封装件，封装件包括无机介电层和电容器。电容器包括：底部电极，底部电极的顶面与无机介电层的顶面接触；位于底部电极上方的绝缘体；以及位于绝缘体上方的顶部电极。封装件还包括覆盖电容器的聚合物层，聚合物层的部分与电容器共平面并且环绕电容器。聚合物层接触无机介电层的顶面。本发明还涉及MIM电容器及其形成方法。
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公开(公告)号：TW201519384A
公开(公告)日：2015-05-16
申请号：TW103116033
申请日：2014-05-06
发明人： 李明機 , LII, MIRNG JI , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 郭鴻毅 , KUO, HUNG YI
CPC分类号： H01L24/14 , H01L22/14 , H01L22/32 , H01L23/5226 , H01L23/528 , H01L24/02 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/0231 , H01L2224/02311 , H01L2224/02331 , H01L2224/0239 , H01L2224/024 , H01L2224/034 , H01L2224/0347 , H01L2224/0361 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05018 , H01L2224/05073 , H01L2224/05166 , H01L2224/05551 , H01L2224/05552 , H01L2224/05556 , H01L2224/05569 , H01L2224/05572 , H01L2224/05611 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/05687 , H01L2224/061 , H01L2224/0612 , H01L2224/0801 , H01L2224/08059 , H01L2224/1146 , H01L2224/1147 , H01L2224/131 , H01L2224/14104 , H01L2224/16145 , H01L2224/16227 , H01L2224/81815 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/01029 , H01L2924/01013 , H01L2924/01028 , H01L2924/00014 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/00012 , H01L2924/014
摘要： 一種具有覆於一介電層之一凸塊下冶金層(UBM)的半導體裝置被提供。該UBM具有一溝渠，該溝渠經組態以自該UBM之一中心點偏移。介於該溝渠之一中心及該UBM之一邊緣之一距離大於介於該溝渠之該中心至該UBM之一相對邊緣的一距離。一探針經組態以接觸該UBM並收集測量資料。
简体摘要： 一种具有覆于一介电层之一凸块下冶金层(UBM)的半导体设备被提供。该UBM具有一沟渠，该沟渠经组态以自该UBM之一中心点偏移。介于该沟渠之一中心及该UBM之一边缘之一距离大于介于该沟渠之该中心至该UBM之一相对边缘的一距离。一探针经组态以接触该UBM并收集测量数据。
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公开(公告)号：TW201719480A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105124032
申请日：2016-07-29
发明人： 黃育智 , HUANG, YU CHIH , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 余振華 , YU, CHEN HUA , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI , 林志偉 , LIN, CHIH WEI , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 陳玉芬 , CHEN, YU FENG , 鄭余任 , CHENG, YU JEN
IPC分类号： G06F21/32 , H01L23/31 , H01L23/485
CPC分类号： G06K9/00053 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/49827 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/00014
摘要： 本揭露提供指紋感測器封裝與方法。實施例包含感測器與感測器表面材料囊封於該指紋感測器封裝內。感測器的電極陣列的電連接係使用貫穿通路，其係位於感測器中、與感測器分離的連接塊中、或是經由連接塊，或是經由其他連接而連接，例如線接合。附接高電壓晶粒，以增加指紋感測器的靈敏性。
简体摘要： 本揭露提供指纹传感器封装与方法。实施例包含传感器与传感器表面材料囊封于该指纹传感器封装内。传感器的电极数组的电连接系使用贯穿通路，其系位于传感器中、与传感器分离的连接块中、或是经由连接块，或是经由其他连接而连接，例如线接合。附接高电压晶粒，以增加指纹传感器的灵敏性。
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公开(公告)号：TW201721771A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105122581
申请日：2016-07-18
发明人： 余振華 , YU, CHEN HUA , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 余國寵 , YEE, KUO CHUNG , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/14181 , H01L2224/16227 , H01L2224/16265 , H01L2224/24137 , H01L2224/24147 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73217 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/9222 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2224/214 , H01L2224/83 , H01L2224/19 , H01L2224/83005
摘要： 一種方法包括自第一裝置晶粒之第一導電墊形成一貫穿通路。該第一導電墊位於該第一裝置晶粒之一頂表面處。第二裝置晶粒黏附至該第一裝置晶粒之該頂表面。該第二裝置晶粒具有一表面導電構件。該第二裝置晶粒及該貫穿通路包封於一包封材料中。平坦化該包封材料以顯露該貫穿通路及該表面導電構件。在該貫穿通路及該表面導電構件上方形成重佈線並電性耦接至該貫穿通路及該表面導電構件。
简体摘要： 一种方法包括自第一设备晶粒之第一导电垫形成一贯穿通路。该第一导电垫位于该第一设备晶粒之一顶表面处。第二设备晶粒黏附至该第一设备晶粒之该顶表面。该第二设备晶粒具有一表面导电构件。该第二设备晶粒及该贯穿通路包封于一包封材料中。平坦化该包封材料以显露该贯穿通路及该表面导电构件。在该贯穿通路及该表面导电构件上方形成重布线并电性耦接至该贯穿通路及该表面导电构件。
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公开(公告)号：TW201508885A
公开(公告)日：2015-03-01
申请号：TW103114632
申请日：2014-04-23
发明人： 呂俊麟 , LU, CHUN LIN , 吳凱強 , WU, KAI CHIANG , 劉明凱 , LIU, MING KAI , 王彥評 , WANG, YEN PING , 梁世緯 , LIANG, SHIH WEI , 楊青峰 , YANG, CHING FENG , 繆佳君 , MIAO, CHIA CHUN , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L24/13 , H01L23/49811 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/14 , H01L24/81 , H01L2224/0345 , H01L2224/03462 , H01L2224/0401 , H01L2224/05552 , H01L2224/05555 , H01L2224/05568 , H01L2224/05569 , H01L2224/05573 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06051 , H01L2224/1134 , H01L2224/13012 , H01L2224/13026 , H01L2224/13124 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13166 , H01L2224/13169 , H01L2224/13551 , H01L2224/13562 , H01L2224/13565 , H01L2224/1357 , H01L2224/13611 , H01L2224/13616 , H01L2224/14051 , H01L2224/16058 , H01L2224/81191 , H01L2224/81411 , H01L2224/81416 , H01L2224/81444 , H01L2224/81447 , H01L2224/81455 , H01L2224/81815 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01322 , H01L2924/014 , H01L2924/3512
摘要： 本揭露提供一種半導體裝置及其製造方法，半導體裝置包含有載體，球下冶金墊設置於載體上，以及支柱設置於球下冶金墊之表面上。於一些實施例當中，支柱之高度與球下冶金墊之最長長度之比率介於大約0.25~0.7之間。於半導體裝置製造方法，包含有提供載體，設置球下冶金墊於載體上，以及形成支柱於球下冶金墊上。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体设备及其制造方法，半导体设备包含有载体，球下冶金垫设置于载体上，以及支柱设置于球下冶金垫之表面上。于一些实施例当中，支柱之高度与球下冶金垫之最长长度之比率介于大约0.25~0.7之间。于半导体设备制造方法，包含有提供载体，设置球下冶金垫于载体上，以及形成支柱于球下冶金垫上。
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公开(公告)号：TWI616956B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105122581
申请日：2016-07-18
发明人： 余振華 , YU, CHEN HUA , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 余國寵 , YEE, KUO CHUNG , 郭庭豪 , KUO, TIN HAO
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/295 , H01L23/3128 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/13025 , H01L2224/14181 , H01L2224/16227 , H01L2224/16265 , H01L2224/24137 , H01L2224/24147 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73217 , H01L2224/73267 , H01L2224/81005 , H01L2224/9222 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/18162 , H01L2924/19041 , H01L2224/214 , H01L2224/83 , H01L2224/19 , H01L2224/83005
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公开(公告)号：TWI616767B
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW105124032
申请日：2016-07-29
发明人： 黃育智 , HUANG, YU CHIH , 陳志華 , CHEN, CHIH HUA , 余振華 , YU, CHEN HUA , 劉重希 , LIU, CHUNG SHI , 林志偉 , LIN, CHIH WEI , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 陳玉芬 , CHEN, YU FENG , 鄭余任 , CHENG, YU JEN
IPC分类号： G06F21/32 , H01L23/31 , H01L23/485
CPC分类号： G06K9/00053 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/49827 , H01L24/19 , H01L2224/04105 , H01L2224/16227 , H01L2224/18 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73204 , H01L2224/73267 , H01L2224/92244 , H01L2924/00014
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公开(公告)号：TW201724407A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105125582
申请日：2016-08-11
发明人： 王垂堂 , WANG, CHUEI TANG , 陳韋廷 , CHEN, WEI TING , 陳頡彥 , CHEN, VINCENT , 蔡豪益 , TSAI, HAO YI , 曾明鴻 , TSENG, MING HUNG , 郭鴻毅 , KUO, HUNG YI , 余振華 , YU, CHEN HUA
IPC分类号： H01L23/48
CPC分类号： H01F27/2804 , H01F27/362 , H01F38/14 , H01F2027/2809 , H05K1/165
摘要： 本發明揭示一種結構，其包含一囊封材料及包含一貫穿導體之一線圈。該貫穿導體在該囊封材料中，其中該貫穿導體之一頂面與該囊封材料之一頂面共面，且該貫穿導體之一底面與該囊封材料之一底面共面。一金屬板下伏於該囊封材料。一槽在該金屬板中且填充有一介電材料。該槽具有與該線圈重疊之一部分。
简体摘要： 本发明揭示一种结构，其包含一囊封材料及包含一贯穿导体之一线圈。该贯穿导体在该囊封材料中，其中该贯穿导体之一顶面与该囊封材料之一顶面共面，且该贯穿导体之一底面与该囊封材料之一底面共面。一金属板下伏于该囊封材料。一槽在该金属板中且填充有一介电材料。该槽具有与该线圈重叠之一部分。
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