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公开(公告)号：TW201727865A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134355
申请日：2016-10-24
发明人： 高金福 , KAO, CHIN-FU , 符策忠 , FU, TSEI-CHUNG , 林俊成 , LIN, JING-CHENG
IPC分类号： H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0657 , H01L21/76898 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/50 , H01L2224/04 , H01L2224/0401 , H01L2224/05557 , H01L2224/05638 , H01L2224/05647 , H01L2224/05687 , H01L2224/0569 , H01L2224/08145 , H01L2224/1161 , H01L2224/11616 , H01L2224/11831 , H01L2224/13009 , H01L2224/13019 , H01L2224/13124 , H01L2224/13147 , H01L2224/13184 , H01L2224/1601 , H01L2224/16012 , H01L2224/16145 , H01L2224/16146 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73201 , H01L2224/73204 , H01L2224/80075 , H01L2224/80203 , H01L2224/80896 , H01L2224/8101 , H01L2224/81011 , H01L2224/81012 , H01L2224/81022 , H01L2224/81075 , H01L2224/81203 , H01L2224/81895 , H01L2224/83075 , H01L2224/83104 , H01L2224/83191 , H01L2224/83203 , H01L2224/9211 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/1434 , H01L2924/3511 , H01L2224/81 , H01L2924/01014 , H01L2924/05442 , H01L2924/05042 , H01L2924/00014 , H01L2924/07025 , H01L2224/83 , H01L2224/80 , H01L2924/00012 , H01L2224/08 , H01L2224/16 , H01L2924/01029
摘要： 本揭露提供一種半導體封裝，該半導體封裝包含：一第一裝置；其具有一第一接合表面； 一第一導電組件，其至少自該第一接合表面部分地突出；一第二裝置，其具有面向該第一接合表面之一第二接合表面；及一第二導電組件，其至少自該第二接合表面暴露。該第一導電組件及該第二導電組件形成具有一第一喙部之一接合。該第一喙部指向該第一接合表面或該第二接合表面。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体封装，该半导体封装包含：一第一设备；其具有一第一接合表面； 一第一导电组件，其至少自该第一接合表面部分地突出；一第二设备，其具有面向该第一接合表面之一第二接合表面；及一第二导电组件，其至少自该第二接合表面暴露。该第一导电组件及该第二导电组件形成具有一第一喙部之一接合。该第一喙部指向该第一接合表面或该第二接合表面。
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2.发明专利將晶片連結於晶圓上之方法 METHOD FOR BONDING OF CHIPS ON WAFERS 审中-公开将芯片链接于晶圆上之方法 METHOD FOR BONDING OF CHIPS ON WAFERS
公开(公告)号：TW201133772A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099131886
申请日：2010-09-20
申请人： EV集團E塔那有限公司
发明人： 威普林格 馬克斯
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L24/08 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68304 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/08225 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/74 , H01L2224/7598 , H01L2224/80006 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80205 , H01L2224/80805 , H01L2224/80815 , H01L2224/8082 , H01L2224/80907 , H01L2224/81 , H01L2224/81005 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81205 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/8182 , H01L2224/81907 , H01L2224/83005 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83205 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2224/8382 , H01L2224/83907 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15738 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本發明揭示一種將複數個晶片(3)接合於一基底晶圓(1)上之方法,該基底晶圓(1)在前部上含有晶片(3'),該等晶片(3)在該基底晶圓(1)之背部上堆疊成至少一層,且在垂直鄰近的晶片(3、3')之間建立導電連接(7),該方法利用下列步驟:a)將該基底晶圓(1)之該前部(2)固定在一載體(5)上,b)將至少一層晶片(3)放置在該基底晶圓(1)之背部(6)上之預定義位置內,及c)熱處理固定於該載體(5)上的該基底晶圓(1)上之該等晶片(3、3'),該方法特徵為:在步驟c)之前,該基底晶圓(1)之該等晶片(3')至少部分分離為該基底晶圓(1)的分離式晶片堆疊區段(1c)。
简体摘要： 本发明揭示一种将复数个芯片(3)接合于一基底晶圆(1)上之方法,该基底晶圆(1)在前部上含有芯片(3'),该等芯片(3)在该基底晶圆(1)之背部上堆栈成至少一层,且在垂直邻近的芯片(3、3')之间创建导电连接(7),该方法利用下列步骤:a)将该基底晶圆(1)之该前部(2)固定在一载体(5)上,b)将至少一层芯片(3)放置在该基底晶圆(1)之背部(6)上之预定义位置内,及c)热处理固定于该载体(5)上的该基底晶圆(1)上之该等芯片(3、3'),该方法特征为:在步骤c)之前,该基底晶圆(1)之该等芯片(3')至少部分分离为该基底晶圆(1)的分离式芯片堆栈区段(1c)。
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公开(公告)号：TWI531046B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW103115771
申请日：2014-05-02
发明人： 林俊成 , LIN, JING CHENG
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05563 , H01L2224/05564 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/08147 , H01L2224/13 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/80013 , H01L2224/80075 , H01L2224/80091 , H01L2224/80095 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/10338 , H01L2924/10342 , H01L2224/80 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
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公开(公告)号：TWI523121B
公开(公告)日：2016-02-21
申请号：TW102149205
申请日：2013-12-31
发明人： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 盧彥池 , LU, YAN CHIH , 施俊吉 , SZE, JHY JYI , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/324
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/753 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80121 , H01L2224/80204 , H01L2224/80209 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TWI512940B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW099131886
申请日：2010-09-20
发明人： 威普林格 馬克斯 , WIMPLINGER, MARKUS
IPC分类号： H01L25/065 , H01L21/50
CPC分类号： H01L21/568 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/3128 , H01L24/08 , H01L24/16 , H01L24/32 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L25/50 , H01L2221/68304 , H01L2221/68327 , H01L2221/68331 , H01L2221/68381 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/08225 , H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2224/74 , H01L2224/7598 , H01L2224/80006 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80205 , H01L2224/80805 , H01L2224/80815 , H01L2224/8082 , H01L2224/80907 , H01L2224/81 , H01L2224/81005 , H01L2224/81065 , H01L2224/81075 , H01L2224/81205 , H01L2224/81805 , H01L2224/81815 , H01L2224/8182 , H01L2224/81907 , H01L2224/83005 , H01L2224/83065 , H01L2224/83075 , H01L2224/83205 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2224/8382 , H01L2224/83907 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2225/06541 , H01L2225/06568 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01322 , H01L2924/12042 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15738 , H01L2224/80 , H01L2224/83 , H01L2924/01014 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
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公开(公告)号：TW201535594A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：TW103134881
申请日：2014-10-07
申请人： 東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人： 川崎敦子 , KAWASAKI, ATSUKO
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/00
CPC分类号： H01L24/24 , H01L21/31144 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/08 , H01L24/19 , H01L24/80 , H01L24/82 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2224/034 , H01L2224/03616 , H01L2224/05572 , H01L2224/05647 , H01L2224/08147 , H01L2224/08148 , H01L2224/215 , H01L2224/24146 , H01L2224/80075 , H01L2224/8009 , H01L2224/80201 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/821 , H01L2224/96 , H01L2225/06513 , H01L2225/06527 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/05042 , H01L2924/05442 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/80001
摘要： 本發明係一種半導體裝置之製造方法及半導體裝置，其中，如根據實施形態之半導體裝置之製造方法，形成第1導電層及第1絕緣層則從表面露出之第1配線層，形成第2導電層及第2絕緣層則從表面露出之第2配線層，經由前述第1絕緣層表面之中，將包含前述第1導電層周圍之一部分範圍，作為較前述第1導電層表面為低之時，於前述第1絕緣層表面，形成第1非接合面，接合前述第1導電層表面與前述第2導電層表面之同時，接合除了前述第1非接合面之前述第1絕緣層表面與前述第2絕緣層表面。
简体摘要： 本发明系一种半导体设备之制造方法及半导体设备，其中，如根据实施形态之半导体设备之制造方法，形成第1导电层及第1绝缘层则从表面露出之第1配线层，形成第2导电层及第2绝缘层则从表面露出之第2配线层，经由前述第1绝缘层表面之中，将包含前述第1导电层周围之一部分范围，作为较前述第1导电层表面为低之时，于前述第1绝缘层表面，形成第1非接合面，接合前述第1导电层表面与前述第2导电层表面之同时，接合除了前述第1非接合面之前述第1绝缘层表面与前述第2绝缘层表面。
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公开(公告)号：TW201505154A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103115771
申请日：2014-05-02
发明人： 林俊成 , LIN, JING CHENG
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05563 , H01L2224/05564 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/08147 , H01L2224/13 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/80013 , H01L2224/80075 , H01L2224/80091 , H01L2224/80095 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/10338 , H01L2924/10342 , H01L2224/80 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
摘要： 本揭露提供一種半導體裝置結構，包括：一第一半導體晶圓，其中該第一半導體晶圓包括一第一電晶體形成在該第一半導體晶圓之一前側；一第二半導體晶圓，其中該第二半導體晶圓包括一第二電晶體形成在該第二半導體晶圓之一前側，其中該第二半導體晶圓之一背側接合至該第一半導體晶圓之該前側；一內連線結構，形成在該第二半導體晶圓之該前側；以及至少一第一基板穿孔(through substrate via,TSV)直接接觸該第一半導體晶圓之一導電特徵與該內連線結構。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体设备结构，包括：一第一半导体晶圆，其中该第一半导体晶圆包括一第一晶体管形成在该第一半导体晶圆之一前侧；一第二半导体晶圆，其中该第二半导体晶圆包括一第二晶体管形成在该第二半导体晶圆之一前侧，其中该第二半导体晶圆之一背侧接合至该第一半导体晶圆之该前侧；一内连接结构，形成在该第二半导体晶圆之该前侧；以及至少一第一基板穿孔(through substrate via,TSV)直接接触该第一半导体晶圆之一导电特征与该内连接结构。
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公开(公告)号：TW201436059A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102149205
申请日：2013-12-31
发明人： 劉丙寅 , LIU, PING YIN , 黃信華 , HUANG, XIN HUA , 黃志輝 , HUANG, CHIH HUI , 趙蘭璘 , CHAO, LAN LIN , 杜友倫 , TU, YEUR LUEN , 盧彥池 , LU, YAN CHIH , 施俊吉 , SZE, JHY JYI , 蔡嘉雄 , TSAI, CHIA SHIUNG
IPC分类号： H01L21/50 , H01L21/324
CPC分类号： H01L24/03 , H01L24/08 , H01L24/74 , H01L24/80 , H01L24/94 , H01L2224/08145 , H01L2224/74 , H01L2224/7501 , H01L2224/7525 , H01L2224/75251 , H01L2224/75252 , H01L2224/753 , H01L2224/757 , H01L2224/7598 , H01L2224/80011 , H01L2224/80013 , H01L2224/80065 , H01L2224/80075 , H01L2224/80121 , H01L2224/80204 , H01L2224/80209 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/80907 , H01L2224/80948 , H01L2224/94 , H01L2924/01322 , H01L2924/00012 , H01L2224/80 , H01L2924/00
摘要： 一種鍵合方法包括執行一混合鍵合使一第一封裝元件鍵合於一第二封裝元件，以形成一鍵合對。在前述鍵合對中，位於第一封裝元件上之一第一金屬墊鍵合於位於第二封裝元件上之一第二金屬墊，且位於第一封裝元件表面之一第一表面介電層鍵合於位於第二封裝元件表面之一第二表面介電層。待混合鍵合結束後，施行一熱壓縮退火於前述鍵合對。
简体摘要： 一种键合方法包括运行一混合键合使一第一封装组件键合于一第二封装组件，以形成一键合对。在前述键合对中，位于第一封装组件上之一第一金属垫键合于位于第二封装组件上之一第二金属垫，且位于第一封装组件表面之一第一表面介电层键合于位于第二封装组件表面之一第二表面介电层。待混合键合结束后，施行一热压缩退火于前述键合对。
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公开(公告)号：TWI382481B
公开(公告)日：2013-01-11
申请号：TW098115572
申请日：2009-05-11
发明人： 余振華 , YU, CHENHUA , 邱文智 , CHIOU, WENCHIH , 吳文進 , WU, WENGJIN
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/485
CPC分类号： H01L24/74 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/74 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75701 , H01L2224/75702 , H01L2224/75705 , H01L2224/75753 , H01L2224/75901 , H01L2224/80055 , H01L2224/80075 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83801 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , Y10T29/49124 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/49135 , H01L2924/00
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10.发明专利整合式調整與接合系統 INTEGRATED ALIGNMENT AND BONDING SYSTEM 审中-公开集成式调整与接合系统 INTEGRATED ALIGNMENT AND BONDING SYSTEM
公开(公告)号：TW201021138A
公开(公告)日：2010-06-01
申请号：TW098115572
申请日：2009-05-11
申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L24/74 , H01L24/75 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L25/50 , H01L2224/74 , H01L2224/75102 , H01L2224/75251 , H01L2224/75701 , H01L2224/75702 , H01L2224/75705 , H01L2224/75753 , H01L2224/75901 , H01L2224/80055 , H01L2224/80075 , H01L2224/80895 , H01L2224/80896 , H01L2224/83055 , H01L2224/83075 , H01L2224/83801 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/0105 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/181 , Y10T29/49124 , Y10T29/4913 , Y10T29/49133 , Y10T29/49135 , H01L2924/00
摘要： 一種接合方法,包含下列步驟:提供第一晶粒和第二晶粒。首先,掃描第一晶粒和第二晶粒至少其中之一,以判斷其厚度變化。其次,將第一晶粒之第一表面朝向第二晶粒之第二表面。利用厚度變化,調整第一晶粒與第二晶粒,使得第一表面與第二表面互相平行。最後,將第二晶粒接合至第一晶粒之上。其中,調整第一晶粒與第二晶粒之步驟包含傾斜第一晶粒和第二晶粒其中之一。
简体摘要： 一种接合方法,包含下列步骤:提供第一晶粒和第二晶粒。首先,扫描第一晶粒和第二晶粒至少其中之一,以判断其厚度变化。其次,将第一晶粒之第一表面朝向第二晶粒之第二表面。利用厚度变化,调整第一晶粒与第二晶粒,使得第一表面与第二表面互相平行。最后,将第二晶粒接合至第一晶粒之上。其中,调整第一晶粒与第二晶粒之步骤包含倾斜第一晶粒和第二晶粒其中之一。
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