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公开(公告)号：TWI563614B
公开(公告)日：2016-12-21
申请号：TW103145294
申请日：2014-12-24
发明人： 黃文濬 , HUANG, WENCHUN , 李建成 , LI, CHIENCHEN , 劉國洲 , LIU, KUOCHIO , 薛瑞雲 , SHIUE, RUEYYUN , 鄭錫圭 , CHENG, HSIKUEI , 林志賢 , LIN, CHIHHSIEN , 林俊成 , LIN, JINGCHENG , 陸湘台 , LU, HSIANGTAI , 謝子逸 , SHIEH, TZIYI
CPC分类号： H01L21/565 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5329 , H01L23/5384 , H01L23/60 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06181 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/10342 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TW201505154A
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW103115771
申请日：2014-05-02
发明人： 林俊成 , LIN, JING CHENG
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05563 , H01L2224/05564 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/08147 , H01L2224/13 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/80013 , H01L2224/80075 , H01L2224/80091 , H01L2224/80095 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/10338 , H01L2924/10342 , H01L2224/80 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
摘要： 本揭露提供一種半導體裝置結構，包括：一第一半導體晶圓，其中該第一半導體晶圓包括一第一電晶體形成在該第一半導體晶圓之一前側；一第二半導體晶圓，其中該第二半導體晶圓包括一第二電晶體形成在該第二半導體晶圓之一前側，其中該第二半導體晶圓之一背側接合至該第一半導體晶圓之該前側；一內連線結構，形成在該第二半導體晶圓之該前側；以及至少一第一基板穿孔(through substrate via,TSV)直接接觸該第一半導體晶圓之一導電特徵與該內連線結構。
简体摘要： 本揭露提供一种半导体设备结构，包括：一第一半导体晶圆，其中该第一半导体晶圆包括一第一晶体管形成在该第一半导体晶圆之一前侧；一第二半导体晶圆，其中该第二半导体晶圆包括一第二晶体管形成在该第二半导体晶圆之一前侧，其中该第二半导体晶圆之一背侧接合至该第一半导体晶圆之该前侧；一内连接结构，形成在该第二半导体晶圆之该前侧；以及至少一第一基板穿孔(through substrate via,TSV)直接接触该第一半导体晶圆之一导电特征与该内连接结构。
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公开(公告)号：TW201712835A
公开(公告)日：2017-04-01
申请号：TW105120723
申请日：2016-06-30
发明人： 謝正賢 , HSIEH, CHENG HSIEN , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 吳集錫 , WU, CHI HSI , 余振華 , YU, CHEN HUA , 葉德強 , YEH, DER CHYANG , 許立翰 , HSU, LI HAN , 吳偉誠 , WU, WEI CHENG
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/498 , H01L23/49827 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/11849 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/94 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/1032 , H01L2924/10336 , H01L2924/10337 , H01L2924/10338 , H01L2924/10339 , H01L2924/10342 , H01L2924/10351 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/11
摘要： 一結構包括一金屬墊，一鈍化層具有覆蓋該金屬墊之複數邊緣部分之一部分，及一第一虛金屬板於該鈍化層之上。該第一虛金屬板中具有第一複數通透開口。該第一虛金屬板包含一第一曲折邊緣。一介電層具有一第一部分上覆該第一虛金屬板，複數第二部分分別填充該第一複數通透開口，及一第三部分接觸該第一曲折邊緣。
简体摘要： 一结构包括一金属垫，一钝化层具有覆盖该金属垫之复数边缘部分之一部分，及一第一虚金属板于该钝化层之上。该第一虚金属板中具有第一复数通透开口。该第一虚金属板包含一第一曲折边缘。一介电层具有一第一部分上覆该第一虚金属板，复数第二部分分别填充该第一复数通透开口，及一第三部分接触该第一曲折边缘。
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公开(公告)号：TWI531046B
公开(公告)日：2016-04-21
申请号：TW103115771
申请日：2014-05-02
发明人： 林俊成 , LIN, JING CHENG
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/76224 , H01L21/76898 , H01L24/80 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0688 , H01L2224/0401 , H01L2224/05025 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05563 , H01L2224/05564 , H01L2224/05572 , H01L2224/05573 , H01L2224/05582 , H01L2224/05647 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/08147 , H01L2224/13 , H01L2224/13111 , H01L2224/13113 , H01L2224/13116 , H01L2224/13139 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/80013 , H01L2224/80075 , H01L2224/80091 , H01L2224/80095 , H01L2224/80896 , H01L2224/9202 , H01L2224/9212 , H01L2224/94 , H01L2225/06524 , H01L2225/06541 , H01L2225/06544 , H01L2225/06565 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/10338 , H01L2924/10342 , H01L2224/80 , H01L2224/8203 , H01L2224/821 , H01L2224/80001 , H01L2224/82
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公开(公告)号：TWI595623B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：TW105120723
申请日：2016-06-30
发明人： 謝正賢 , HSIEH, CHENG HSIEN , 陳憲偉 , CHEN, HSIEN WEI , 吳集錫 , WU, CHI HSI , 余振華 , YU, CHEN HUA , 葉德強 , YEH, DER CHYANG , 許立翰 , HSU, LI HAN , 吳偉誠 , WU, WEI CHENG
IPC分类号： H01L23/522 , H01L23/528
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L23/3171 , H01L23/3192 , H01L23/498 , H01L23/49827 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5329 , H01L23/585 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0401 , H01L2224/05572 , H01L2224/05666 , H01L2224/05681 , H01L2224/11849 , H01L2224/13082 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/94 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/1032 , H01L2924/10336 , H01L2924/10337 , H01L2924/10338 , H01L2924/10339 , H01L2924/10342 , H01L2924/10351 , H01L2924/14 , H01L2924/3512 , H01L2924/014 , H01L2924/00014 , H01L2224/03 , H01L2224/11
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公开(公告)号：TW201727826A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105134157
申请日：2016-10-21
发明人： 葉松峯 , YEH, SUNG-FENG , 余振華 , YU, CHEN-HUA , 陳明發 , CHEN, MING-FA
IPC分类号： H01L21/768 , H01L23/522 , H01L25/065
CPC分类号： H01L25/0652 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L21/568 , H01L23/3114 , H01L23/3135 , H01L23/315 , H01L23/49816 , H01L23/5226 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L23/5389 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/80 , H01L24/83 , H01L24/96 , H01L25/50 , H01L2224/04105 , H01L2224/08145 , H01L2224/12105 , H01L2224/19 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73209 , H01L2224/73267 , H01L2224/80006 , H01L2224/8203 , H01L2224/83896 , H01L2224/92124 , H01L2224/97 , H01L2225/06524 , H01L2225/06548 , H01L2225/06555 , H01L2225/06582 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10331 , H01L2924/10332 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/10338 , H01L2924/10339 , H01L2924/10342 , H01L2924/14 , H01L2924/141 , H01L2924/143 , H01L2924/1431 , H01L2924/1434 , H01L2924/1816 , H01L2924/18162 , H01L2224/80 , H01L2224/83005
摘要： 本發明實施例揭示一種用於形成一半導體封裝之實施例方法，其包含：將一第一晶粒附接至一第一載體；圍繞該第一晶粒沉積一第一隔離材料；及在沉積該第一隔離材料之後將一第二晶粒接合至該第一晶粒。將該第二晶粒接合至該第一晶粒包含形成一介電質至介電質接合。該方法進一步包含移除該第一載體且在該第一晶粒之與該第二晶粒相對之一側上形成扇出重佈層(RDL)。該等扇出RDL電連接至該第一晶粒及該第二晶粒。
简体摘要： 本发明实施例揭示一种用于形成一半导体封装之实施例方法，其包含：将一第一晶粒附接至一第一载体；围绕该第一晶粒沉积一第一隔离材料；及在沉积该第一隔离材料之后将一第二晶粒接合至该第一晶粒。将该第二晶粒接合至该第一晶粒包含形成一介电质至介电质接合。该方法进一步包含移除该第一载体且在该第一晶粒之与该第二晶粒相对之一侧上形成扇出重布层(RDL)。该等扇出RDL电连接至该第一晶粒及该第二晶粒。
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公开(公告)号：TW201608653A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104114915
申请日：2015-05-11
发明人： 黃文濬 , HUANG, WENCHUN , 李建成 , LI, CHIENCHEN , 劉國洲 , LIU, KUOCHIO , 薛瑞雲 , SHIUE, RUEYYUN , 鄭錫圭 , CHENG, HSIKUEI , 林志賢 , LIN, CHIHHSIEN , 林俊成 , LIN, JINGCHENG , 陸湘台 , LU, HSIANGTAI , 謝子逸 , SHIEH, TZIYI
CPC分类号： H01L21/565 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5329 , H01L23/5384 , H01L23/60 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06181 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/10342 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
摘要： 本揭露的實施例包含半導體封裝體及其製造方法。一實施例為方法，包含安裝一晶粒至一基板的頂表面，以形成一元件，密封晶粒及基板的頂表面於一模塑化合物內，此模塑化合物於晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物於晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含對元件進行進一步的處理，以及移除模塑化合物於晶粒上的剩餘厚度。
简体摘要： 本揭露的实施例包含半导体封装体及其制造方法。一实施例为方法，包含安装一晶粒至一基板的顶表面，以形成一组件，密封晶粒及基板的顶表面于一模塑化合物内，此模塑化合物于晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物于晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含对组件进行进一步的处理，以及移除模塑化合物于晶粒上的剩余厚度。
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公开(公告)号：TW201533861A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103145294
申请日：2014-12-24
发明人： 黃文濬 , HUANG, WENCHUN , 李建成 , LI, CHIENCHEN , 劉國洲 , LIU, KUOCHIO , 薛瑞雲 , SHIUE, RUEYYUN , 鄭錫圭 , CHENG, HSIKUEI , 林志賢 , LIN, CHIHHSIEN , 林俊成 , LIN, JINGCHENG , 陸湘台 , LU, HSIANGTAI , 謝子逸 , SHIEH, TZIYI
CPC分类号： H01L21/565 , H01L21/486 , H01L21/56 , H01L21/561 , H01L21/563 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L23/145 , H01L23/147 , H01L23/28 , H01L23/29 , H01L23/31 , H01L23/3107 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/3135 , H01L23/36 , H01L23/49816 , H01L23/49827 , H01L23/5329 , H01L23/5384 , H01L23/60 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/0652 , H01L25/0655 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/0401 , H01L2224/0557 , H01L2224/05573 , H01L2224/05583 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/05684 , H01L2224/06181 , H01L2224/11002 , H01L2224/1132 , H01L2224/11334 , H01L2224/1145 , H01L2224/11452 , H01L2224/11462 , H01L2224/11464 , H01L2224/13082 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13116 , H01L2224/13124 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1403 , H01L2224/14181 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/73204 , H01L2224/73253 , H01L2224/81192 , H01L2224/81815 , H01L2224/81895 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2225/06513 , H01L2225/06517 , H01L2225/06541 , H01L2225/06589 , H01L2924/10252 , H01L2924/10253 , H01L2924/10254 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/10333 , H01L2924/10335 , H01L2924/10342 , H01L2924/12042 , H01L2924/1431 , H01L2924/1432 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/157 , H01L2924/1579 , H01L2924/181 , H01L2924/18161 , H01L2924/00 , H01L2224/11 , H01L2224/03 , H01L2924/00012
摘要： 本揭露的實施例包含半導體封裝體及其製造方法。一實施例為方法，包含安裝一晶粒至一基板的頂表面，以形成一元件，密封晶粒及基板的頂表面於一模塑化合物內，此模塑化合物於晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物於晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含對元件進行進一步的處理，以及移除模塑化合物於晶粒上的剩餘厚度。
简体摘要： 本揭露的实施例包含半导体封装体及其制造方法。一实施例为方法，包含安装一晶粒至一基板的顶表面，以形成一组件，密封晶粒及基板的顶表面于一模塑化合物内，此模塑化合物于晶粒上具有一第一厚度，以及移除模塑化合物于晶粒上的厚度的一部分，而非全部。此方法更包含对组件进行进一步的处理，以及移除模塑化合物于晶粒上的剩余厚度。
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