積體晶片結構及其形成方法
    1.
    发明专利
    積體晶片結構及其形成方法 审中-公开
    积体芯片结构及其形成方法

    公开(公告)号:TW201737480A

    公开(公告)日:2017-10-16

    申请号:TW106102865

    申请日:2017-01-25

    Abstract: 在本發明的某些實施例中,是關於積體晶片結構,其具有導體遮蔽結構的配置,以避免第一裸晶中的裝置製造的輻射影響第二裸晶中的影像感應元件。導體接合結構具有附有一個或多個半導體裝置的第一積體晶片裸晶以及附有影像感應元件陣列的第二積體晶片裸晶。混合接合界面區排列於第一積體晶片裸晶與第二積體晶片裸晶之間。導體接合結構排列於混合接合界面區之中,且配置為將第一積體晶片裸晶電性連接於第二積體晶片裸晶。導體遮蔽結構排列於混合接合界面區之中,且在一個或多個半導體裝置與影像感應元件陣列之間橫向延伸。

    Abstract in simplified Chinese: 在本发明的某些实施例中,是关于积体芯片结构,其具有导体屏蔽结构的配置,以避免第一裸晶中的设备制造的辐射影响第二裸晶中的影像感应组件。导体接合结构具有附有一个或多个半导体设备的第一积体芯片裸晶以及附有影像感应组件数组的第二积体芯片裸晶。混合接合界面区排列于第一积体芯片裸晶与第二积体芯片裸晶之间。导体接合结构排列于混合接合界面区之中,且配置为将第一积体芯片裸晶电性连接于第二积体芯片裸晶。导体屏蔽结构排列于混合接合界面区之中,且在一个或多个半导体设备与影像感应组件数组之间横向延伸。

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