公开(公告)号：TW201737480A

公开(公告)日：2017-10-16

申请号：TW106102865

申请日：2017-01-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 何承穎 ,  HO, CHENG YING ,  盧彥池 ,  LU, YAN CHIH ,  洪豐基 ,  HUNG, FENG CHI ,  王俊智 ,  WANG, CHING CHUN ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/48451

Abstract: 在本發明的某些實施例中，是關於積體晶片結構，其具有導體遮蔽結構的配置，以避免第一裸晶中的裝置製造的輻射影響第二裸晶中的影像感應元件。導體接合結構具有附有一個或多個半導體裝置的第一積體晶片裸晶以及附有影像感應元件陣列的第二積體晶片裸晶。混合接合界面區排列於第一積體晶片裸晶與第二積體晶片裸晶之間。導體接合結構排列於混合接合界面區之中，且配置為將第一積體晶片裸晶電性連接於第二積體晶片裸晶。導體遮蔽結構排列於混合接合界面區之中，且在一個或多個半導體裝置與影像感應元件陣列之間橫向延伸。

Abstract in simplified Chinese: 在本发明的某些实施例中，是关于积体芯片结构，其具有导体屏蔽结构的配置，以避免第一裸晶中的设备制造的辐射影响第二裸晶中的影像感应组件。导体接合结构具有附有一个或多个半导体设备的第一积体芯片裸晶以及附有影像感应组件数组的第二积体芯片裸晶。混合接合界面区排列于第一积体芯片裸晶与第二积体芯片裸晶之间。导体接合结构排列于混合接合界面区之中，且配置为将第一积体芯片裸晶电性连接于第二积体芯片裸晶。导体屏蔽结构排列于混合接合界面区之中，且在一个或多个半导体设备与影像感应组件数组之间横向延伸。

公开(公告)号：TWI523121B

公开(公告)日：2016-02-21

申请号：TW102149205

申请日：2013-12-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉丙寅 ,  LIU, PING YIN ,  黃信華 ,  HUANG, XIN HUA ,  黃志輝 ,  HUANG, CHIH HUI ,  趙蘭璘 ,  CHAO, LAN LIN ,  杜友倫 ,  TU, YEUR LUEN ,  盧彥池 ,  LU, YAN CHIH ,  施俊吉 ,  SZE, JHY JYI ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIA SHIUNG

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00

公开(公告)号：TWI622164B

公开(公告)日：2018-04-21

申请号：TW106102865

申请日：2017-01-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 何承穎 ,  HO, CHENG YING ,  盧彥池 ,  LU, YAN CHIH ,  洪豐基 ,  HUNG, FENG CHI ,  王俊智 ,  WANG, CHING CHUN ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN

IPC: H01L27/146

CPC classification number: H01L27/14634 ,  H01L27/1462 ,  H01L27/14623 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14643 ,  H01L27/1469 ,  H01L2224/05 ,  H01L2224/48451

公开(公告)号：TW201436059A

公开(公告)日：2014-09-16

申请号：TW102149205

申请日：2013-12-31

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.

Inventor： 劉丙寅 ,  LIU, PING YIN ,  黃信華 ,  HUANG, XIN HUA ,  黃志輝 ,  HUANG, CHIH HUI ,  趙蘭璘 ,  CHAO, LAN LIN ,  杜友倫 ,  TU, YEUR LUEN ,  盧彥池 ,  LU, YAN CHIH ,  施俊吉 ,  SZE, JHY JYI ,  蔡嘉雄 ,  TSAI, CHIA SHIUNG

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/324

CPC classification number: H01L24/03 ,  H01L24/08 ,  H01L24/74 ,  H01L24/80 ,  H01L24/94 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/74 ,  H01L2224/7501 ,  H01L2224/7525 ,  H01L2224/75251 ,  H01L2224/75252 ,  H01L2224/753 ,  H01L2224/757 ,  H01L2224/7598 ,  H01L2224/80011 ,  H01L2224/80013 ,  H01L2224/80065 ,  H01L2224/80075 ,  H01L2224/80121 ,  H01L2224/80204 ,  H01L2224/80209 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80907 ,  H01L2224/80948 ,  H01L2224/94 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2224/80 ,  H01L2924/00

Abstract: 一種鍵合方法包括執行一混合鍵合使一第一封裝元件鍵合於一第二封裝元件，以形成一鍵合對。在前述鍵合對中，位於第一封裝元件上之一第一金屬墊鍵合於位於第二封裝元件上之一第二金屬墊，且位於第一封裝元件表面之一第一表面介電層鍵合於位於第二封裝元件表面之一第二表面介電層。待混合鍵合結束後，施行一熱壓縮退火於前述鍵合對。

Abstract in simplified Chinese: 一种键合方法包括运行一混合键合使一第一封装组件键合于一第二封装组件，以形成一键合对。在前述键合对中，位于第一封装组件上之一第一金属垫键合于位于第二封装组件上之一第二金属垫，且位于第一封装组件表面之一第一表面介电层键合于位于第二封装组件表面之一第二表面介电层。待混合键合结束后，施行一热压缩退火于前述键合对。

公开(公告)号：TWI624006B

公开(公告)日：2018-05-11

申请号：TW104139108

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡喻丞 ,  TSAI, YU CHENG ,  莊俊傑 ,  CHUANG, CHUN CHIEH ,  王俊智 ,  WANG, CHING CHUN ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN ,  洪豐基 ,  HUNG, FENG CHI ,  黃志輝 ,  HUANG, CHIH HUI ,  盧彥池 ,  LU, YAN CHIH ,  陳如曦 ,  CHEN, JU SHI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

公开(公告)号：TW201717315A

公开(公告)日：2017-05-16

申请号：TW104139108

申请日：2015-11-25

Applicant: 台灣積體電路製造股份有限公司 ,  TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY LTD.

Inventor： 蔡喻丞 ,  TSAI, YU CHENG ,  莊俊傑 ,  CHUANG, CHUN CHIEH ,  王俊智 ,  WANG, CHING CHUN ,  楊敦年 ,  YAUNG, DUN NIAN ,  洪豐基 ,  HUNG, FENG CHI ,  黃志輝 ,  HUANG, CHIH HUI ,  盧彥池 ,  LU, YAN CHIH ,  陳如曦 ,  CHEN, JU SHI

IPC: H01L21/768 ,  H01L21/02 ,  H01L23/00 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L23/532 ,  H01L25/00 ,  H01L25/065

CPC classification number: H01L25/0657 ,  H01L21/0214 ,  H01L21/02164 ,  H01L21/0217 ,  H01L21/31111 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/76807 ,  H01L21/7684 ,  H01L21/76843 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76877 ,  H01L21/76883 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/53238 ,  H01L24/80 ,  H01L24/89 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/05025 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/08145 ,  H01L2224/215 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06524 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01025 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/0104 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2224/80

Abstract: 提供使用基於混合鍵的銅合金的積體電路(IC)。積體電路包括一對垂直堆疊於彼此之上的半導體結構。半導體結構包含對應的介電層及佈置在介電層中的對應的金屬特徵。金屬特徵包含銅合金，其具有銅和次要金屬。積體電路另包括混合鍵，該混合鍵佈置在半導體結構之間的界面。混合鍵包含將介電層接合在一起的第一鍵及將金屬特徵接合在一起的第二鍵。第二鍵包含佈置於金屬特徵的銅晶粒之間的空隙且該空隙被次要金屬填充。本揭露還提供了使用基於混合鍵的銅合金將一對半導體結構接合在一起的方法。

Abstract in simplified Chinese: 提供使用基于混合键的铜合金的集成电路(IC)。集成电路包括一对垂直堆栈于彼此之上的半导体结构。半导体结构包含对应的介电层及布置在介电层中的对应的金属特征。金属特征包含铜合金，其具有铜和次要金属。集成电路另包括混合键，该混合键布置在半导体结构之间的界面。混合键包含将介电层接合在一起的第一键及将金属特征接合在一起的第二键。第二键包含布置于金属特征的铜晶粒之间的空隙且该空隙被次要金属填充。本揭露还提供了使用基于混合键的铜合金将一对半导体结构接合在一起的方法。