半導體裝置用薄膜的製造方法
    9.
    发明专利
    半導體裝置用薄膜的製造方法 失效
    半导体设备用薄膜的制造方法

    公开(公告)号:TW201421602A

    公开(公告)日:2014-06-01

    申请号:TW103103265

    申请日:2010-09-13

    IPC分类号: H01L21/67 C09J7/00 C09J9/00

    CPC分类号: H01L21/67132 Y10T428/14

    摘要: 本發明提供一種半導體裝置用薄膜及使用該半導體裝置用薄膜而得到的半導體裝置,所述半導體裝置用薄膜即使在低溫狀態下輸送或長時間保存後,也可以防止各薄膜間的界面剝離或薄膜翹起現象、以及膠黏薄膜向覆蓋薄膜的轉印。一種半導體裝置用薄膜,其在切割薄膜上依次積層有膠黏薄膜和覆蓋薄膜,其中,在溫度23±2℃、剝離速度300mm/分鐘的條件下的T型剝離試驗中,所述膠黏薄膜與所述覆蓋薄膜之間的剝離力F1在0.025~0.075N/100mm的範圍內,所述膠黏薄膜與所述切割薄膜之間的剝離力F2在0.08~10N/100mm的範圍內,並且所述F1與所述F2滿足F1<F2的關係。

    简体摘要: 本发明提供一种半导体设备用薄膜及使用该半导体设备用薄膜而得到的半导体设备,所述半导体设备用薄膜即使在低温状态下输送或长时间保存后,也可以防止各薄膜间的界面剥离或薄膜翘起现象、以及胶黏薄膜向覆盖薄膜的转印。一种半导体设备用薄膜,其在切割薄膜上依次积层有胶黏薄膜和覆盖薄膜,其中,在温度23±2℃、剥离速度300mm/分钟的条件下的T型剥离试验中,所述胶黏薄膜与所述覆盖薄膜之间的剥离力F1在0.025~0.075N/100mm的范围内,所述胶黏薄膜与所述切割薄膜之间的剥离力F2在0.08~10N/100mm的范围内,并且所述F1与所述F2满足F1<F2的关系。