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公开(公告)号：TWI596879B
公开(公告)日：2017-08-21
申请号：TW102118822
申请日：2013-05-28
发明人： 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
IPC分类号： H02M3/22
CPC分类号： H01L27/0883 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L27/098 , H01L29/1608 , H01L29/7827 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02P27/06 , H03K3/012 , H03K17/102 , H03K17/107 , H03K17/567 , H03K2017/6875 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
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公开(公告)号：TW201624659A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104130364
申请日：2015-09-15
发明人： 舩津勝彥 , FUNATSU, KATSUHIKO , 佐藤幸弘 , SATO, YUKIHIRO , 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 小井土雅寬 , KOIDO, MASAHIRO , 田谷博美 , TAYA, HIROYOSHI
IPC分类号： H01L23/498 , H01L25/07 , H01L23/00
CPC分类号： H01L23/49838 , H01L21/52 , H01L21/54 , H01L23/02 , H01L23/04 , H01L23/053 , H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/12 , H01L23/15 , H01L23/16 , H01L23/3735 , H01L23/495 , H01L23/49541 , H01L23/49548 , H01L23/498 , H01L23/49811 , H01L23/49844 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/85 , H01L24/92 , H01L25/071 , H01L25/072 , H01L29/41708 , H01L2224/05553 , H01L2224/0603 , H01L2224/29101 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48101 , H01L2224/48106 , H01L2224/4813 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/1304 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H02S40/32 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2924/014 , H01L2224/85399
摘要： 本發明之目的在於抑制半導體裝置的可靠度降低。為了達成上述目的，本發明之半導體裝置，具有形成在陶瓷基板CS1上的複數個金屬圖案MP，以及搭載於複數個金屬圖案MP之中的一部分的半導體晶片CP。另外，於複數個金屬圖案MP的周緣部位，形成了複數個窪部DP。另外，於複數個金屬圖案MP之中的與半導體晶片CP重疊的區域，並未形成複數個窪部DP。另外，於複數個金屬圖案MP之中的配置在最靠近陶瓷基板CS1的頂面CSt的周緣部位的位置的複數個金屬圖案MPT設置複數個窪部DP。
简体摘要： 本发明之目的在于抑制半导体设备的可靠度降低。为了达成上述目的，本发明之半导体设备，具有形成在陶瓷基板CS1上的复数个金属图案MP，以及搭载于复数个金属图案MP之中的一部分的半导体芯片CP。另外，于复数个金属图案MP的周缘部位，形成了复数个洼部DP。另外，于复数个金属图案MP之中的与半导体芯片CP重叠的区域，并未形成复数个洼部DP。另外，于复数个金属图案MP之中的配置在最靠近陶瓷基板CS1的顶面CSt的周缘部位的位置的复数个金属图案MPT设置复数个洼部DP。
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公开(公告)号：TW201624666A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104130363
申请日：2015-09-15
发明人： 佐藤幸弘 , SATO, YUKIHIRO , 舩津勝彥 , FUNATSU, KATSUHIKO , 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 小井土雅寬 , KOIDO, MASAHIRO , 田谷博美 , TAYA, HIROYOSHI
IPC分类号： H01L25/065 , H01L23/00
CPC分类号： H01L25/0655 , H01L21/4846 , H01L23/049 , H01L23/24 , H01L23/3735 , H01L23/49838 , H01L23/49844 , H01L23/49861 , H01L24/09 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L25/072 , H01L25/16 , H01L25/18 , H01L2224/0603 , H01L2224/0905 , H01L2224/32225 , H01L2224/45014 , H01L2224/45124 , H01L2224/45139 , H01L2224/45144 , H01L2224/48227 , H01L2224/4846 , H01L2224/48472 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/49175 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/16151 , H01L2924/16251 , H01L2924/181 , H02M7/219 , H01L2924/00012 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要： 本發明之目的在於抑制半導體裝置的可靠度降低。為了達到上述目的，本發明之半導體裝置，具有形成在陶瓷基板CS1上的複數個金屬圖案MP，以及搭載於複數個金屬圖案MP的複數個半導體晶片。另外，複數個金屬圖案MP，具有互相對向的金屬圖案MPH以及金屬圖案MPU。另外，設置在金屬圖案MPH與金屬圖案MPU之間且從複數個金屬圖案MP露出的區域EX1，沿著金屬圖案MPH的延伸方向曲折狀延伸。
简体摘要： 本发明之目的在于抑制半导体设备的可靠度降低。为了达到上述目的，本发明之半导体设备，具有形成在陶瓷基板CS1上的复数个金属图案MP，以及搭载于复数个金属图案MP的复数个半导体芯片。另外，复数个金属图案MP，具有互相对向的金属图案MPH以及金属图案MPU。另外，设置在金属图案MPH与金属图案MPU之间且从复数个金属图案MP露出的区域EX1，沿着金属图案MPH的延伸方向曲折状延伸。
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公开(公告)号：TWI614877B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW105110663
申请日：2012-08-14
发明人： 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/8213 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/3701 , H01L2224/3702 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40105 , H01L2224/40145 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/84
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公开(公告)号：TW201314866A
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW101129402
申请日：2012-08-14
发明人： 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/8213 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/3701 , H01L2224/3702 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40105 , H01L2224/40145 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/84
摘要： 本發明係提供一種可提高半導體裝置之可靠性之技術。在本發明中，形成於半導體晶片CHP1之表面上之閘極焊墊GPj係以比其他引線(汲極引線DL或閘極引線GL)更接近源極引線SL之方式配置。其結果，根據本發明，由於可縮短閘極焊墊GPj與源極引線SL間之距離，故可縮短連接閘極焊墊GPj與源極引線SL之導線Wgj之長度。因此，根據本發明，可充分降低存在於導線Wgj中之寄生電感。
简体摘要： 本发明系提供一种可提高半导体设备之可靠性之技术。在本发明中，形成于半导体芯片CHP1之表面上之闸极焊垫GPj系以比其他引线(汲极引线DL或闸极引线GL)更接近源极引线SL之方式配置。其结果，根据本发明，由于可缩短闸极焊垫GPj与源极引线SL间之距离，故可缩短连接闸极焊垫GPj与源极引线SL之导线Wgj之长度。因此，根据本发明，可充分降低存在于导线Wgj中之寄生电感。
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公开(公告)号：TW201628161A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW105110663
申请日：2012-08-14
发明人： 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/8213 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/3701 , H01L2224/3702 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40105 , H01L2224/40145 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/84
摘要： 本發明係提供一種可提高半導體裝置之可靠性之技術。在本發明中，形成於半導體晶片CHP1之表面上之閘極焊墊GPj係以比其他引線(汲極引線DL或閘極引線GL)更接近源極引線SL之方式配置。其結果，根據本發明，由於可縮短閘極焊墊GPj與源極引線SL間之距離，故可縮短連接閘極焊墊GPj與源極引線SL之導線Wgj之長度。因此，根據本發明，可充分降低存在於導線Wgj中之寄生電感。
简体摘要： 本发明系提供一种可提高半导体设备之可靠性之技术。在本发明中，形成于半导体芯片CHP1之表面上之闸极焊垫GPj系以比其他引线(汲极引线DL或闸极引线GL)更接近源极引线SL之方式配置。其结果，根据本发明，由于可缩短闸极焊垫GPj与源极引线SL间之距离，故可缩短连接闸极焊垫GPj与源极引线SL之导线Wgj之长度。因此，根据本发明，可充分降低存在于导线Wgj中之寄生电感。
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公开(公告)号：TWI538161B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW101129402
申请日：2012-08-14
发明人： 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
CPC分类号： H01L25/072 , H01L21/8213 , H01L23/3107 , H01L23/3142 , H01L23/4952 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/34 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/41 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L27/0207 , H01L27/0617 , H01L27/088 , H01L29/1066 , H01L29/1608 , H01L29/78 , H01L29/7802 , H01L29/808 , H01L29/8083 , H01L2224/04034 , H01L2224/04042 , H01L2224/05554 , H01L2224/0603 , H01L2224/291 , H01L2224/29139 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/32245 , H01L2224/3701 , H01L2224/3702 , H01L2224/371 , H01L2224/37147 , H01L2224/40105 , H01L2224/40145 , H01L2224/40245 , H01L2224/40247 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/4903 , H01L2224/49111 , H01L2224/49113 , H01L2224/73221 , H01L2224/73263 , H01L2224/73265 , H01L2224/83801 , H01L2224/8385 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/12032 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1305 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/181 , H01L2924/1815 , H01L2924/30107 , H01L2924/014 , H01L2924/00012 , H01L2224/48227 , H01L2924/00 , H01L2224/84
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公开(公告)号：TW201404025A
公开(公告)日：2014-01-16
申请号：TW102118822
申请日：2013-05-28
发明人： 金澤孝光 , KANAZAWA, TAKAMITSU , 秋山悟 , AKIYAMA, SATORU
IPC分类号： H02M3/22
CPC分类号： H01L27/0883 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L27/098 , H01L29/1608 , H01L29/7827 , H01L2224/0603 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/49111 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/30107 , H01L2924/3011 , H02P27/06 , H03K3/012 , H03K17/102 , H03K17/107 , H03K17/567 , H03K2017/6875 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要： 具有級聯連接之常開型JFET與常關型MOSFET之半導體裝置有因錯誤啟動等而被破壞之虞。本發明之半導體裝置具有常開型之SiCJFET與常關型之Si型MOSFET。常開型之SiCJFET與常關型之Si型MOSFET級聯連接，構成開關電路。根據1個輸入信號，對常開型之SiCJFET與常關型之Si型MOSFET以具有皆成為關閉狀態之期間的方式予以控制。
简体摘要： 具有级联连接之常开型JFET与常关型MOSFET之半导体设备有因错误启动等而被破坏之虞。本发明之半导体设备具有常开型之SiCJFET与常关型之Si型MOSFET。常开型之SiCJFET与常关型之Si型MOSFET级联连接，构成开关电路。根据1个输入信号，对常开型之SiCJFET与常关型之Si型MOSFET以具有皆成为关闭状态之期间的方式予以控制。
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