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公开(公告)号：TW201413840A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102128059
申请日：2013-08-06
发明人： 脅岡紗香 , WAKIOKA, SAYAKA , 中川弘章 , NAKAGAWA, HIROAKI , 西村善雄 , NISHIMURA, YOSHIO , 定永周治郎 , SADANAGA, SHUJIRO
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L24/29 , C08K9/06 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L21/76841 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29387 , H01L2224/2949 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81444 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/83091 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/83907 , H01L2224/83986 , H01L2224/9205 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/20106 , H01L2924/3512 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/27 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012
摘要： 本發明係一種半導體裝置之製造方法、用於該半導體裝置之製造方法之覆晶構裝用接著劑，該半導體裝置之製造方法，包括：步驟1，將形成有具有焊料構成之前端部之突起電極之半導體晶片經由接著劑於基板上進行位置對準；步驟2，將上述半導體晶片加熱至焊料熔融點以上之溫度，使上述半導體晶片之突起電極與上述基板之電極部熔融接合，並使上述接著劑暫時接著；及步驟3，將上述接著劑於加壓環境下加熱去除空隙；且上述接著劑藉由示差掃描熱量測定及小澤法求出之活化能ΔE為100 kJ/mol以下，於260℃2秒後之反應率為20%以下，於260℃4秒後之反應率為40%以下。
简体摘要： 本发明系一种半导体设备之制造方法、用于该半导体设备之制造方法之覆晶构装用接着剂，该半导体设备之制造方法，包括：步骤1，将形成有具有焊料构成之前端部之突起电极之半导体芯片经由接着剂于基板上进行位置对准；步骤2，将上述半导体芯片加热至焊料熔融点以上之温度，使上述半导体芯片之突起电极与上述基板之电极部熔融接合，并使上述接着剂暂时接着；及步骤3，将上述接着剂于加压环境下加热去除空隙；且上述接着剂借由示差扫描热量测定及小泽法求出之活化能ΔE为100 kJ/mol以下，于260℃2秒后之反应率为20%以下，于260℃4秒后之反应率为40%以下。
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公开(公告)号：TW200707035A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095119136
申请日：2006-05-30
发明人： 末崎 , 西村善雄 , 高橋徹 TETSU TAKAHASHI , 小林紗耶香 , 松窪也
CPC分类号： G02F1/13394 , C08F220/28 , G02F2202/023
摘要： 本發明提供一種柱狀間隔物用硬化性樹脂組成物,其具有優異之顯影性及溶解性,當適用於製造液晶顯示元件的柱狀間隔物圖案形成時不會產生顯影殘渣,可形成清晰圖案之柱狀間隔物。本發明之柱狀間隔物用硬化性樹脂組成物,係含有於分子內有2個以上聚合性不飽和鍵之化合物、鹼可溶性高分子化合物、與光反應起始劑者;該於分子內有2個以上聚合性不飽和鍵之化合物,係經氧化物改質且於分子內有2個以上聚合性不飽和鍵之化合物。
简体摘要： 本发明提供一种柱状间隔物用硬化性树脂组成物,其具有优异之显影性及溶解性,当适用于制造液晶显示组件的柱状间隔物图案形成时不会产生显影残渣,可形成清晰图案之柱状间隔物。本发明之柱状间隔物用硬化性树脂组成物,系含有于分子内有2个以上聚合性不饱和键之化合物、碱可溶性高分子化合物、与光反应起始剂者;该于分子内有2个以上聚合性不饱和键之化合物,系经氧化物改质且于分子内有2个以上聚合性不饱和键之化合物。
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公开(公告)号：TW200536893A
公开(公告)日：2005-11-16
申请号：TW094103825
申请日：2005-02-04
IPC分类号： C08L
CPC分类号： G03F7/033 , G02F1/1339 , G02F2202/023 , Y10T428/10
摘要： 本發明之目的在於提供一種柱間隔物，其作為用以維持液晶顯示元件中2片玻璃基板之間隙為固定之間隔物時，不會由於重力不良造成色偏差或低溫發泡，可以製成耐久性良好的液晶顯示元件；並提供使用該柱間隔物之液晶顯示元件，以及可製造該柱間隔物之柱間隔物用硬化性樹脂組成物。本發明，係用以維持液晶顯示元件中2片玻璃基板之間隙為固定之柱間隔物，其於25℃壓縮15％時之彈性係數為0.2～1.0GPa。
简体摘要： 本发明之目的在于提供一种柱间隔物，其作为用以维持液晶显示组件中2片玻璃基板之间隙为固定之间隔物时，不会由于重力不良造成色偏差或低温发泡，可以制成耐久性良好的液晶显示组件；并提供使用该柱间隔物之液晶显示组件，以及可制造该柱间隔物之柱间隔物用硬化性树脂组成物。本发明，系用以维持液晶显示组件中2片玻璃基板之间隙为固定之柱间隔物，其于25℃压缩15％时之弹性系数为0.2～1.0GPa。
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公开(公告)号：TWI594344B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW102128059
申请日：2013-08-06
发明人： 脅岡紗香 , WAKIOKA, SAYAKA , 中川弘章 , NAKAGAWA, HIROAKI , 西村善雄 , NISHIMURA, YOSHIO , 定永周治郎 , SADANAGA, SHUJIRO
IPC分类号： H01L21/58
CPC分类号： H01L24/29 , C08K9/06 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L21/76841 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/81 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L2224/131 , H01L2224/16227 , H01L2224/27003 , H01L2224/271 , H01L2224/27312 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/27436 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/29294 , H01L2224/29387 , H01L2224/2949 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/8113 , H01L2224/81132 , H01L2224/81191 , H01L2224/81203 , H01L2224/81444 , H01L2224/81801 , H01L2224/81815 , H01L2224/83091 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83203 , H01L2224/83204 , H01L2224/83855 , H01L2224/83862 , H01L2224/83907 , H01L2224/83986 , H01L2224/9205 , H01L2224/9211 , H01L2224/92125 , H01L2224/94 , H01L2924/0665 , H01L2924/12042 , H01L2924/20106 , H01L2924/3512 , H01L2924/3841 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2924/00 , H01L2224/27 , H01L2924/05442 , H01L2924/00012
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公开(公告)号：TWI552237B
公开(公告)日：2016-10-01
申请号：TW100112384
申请日：2011-04-11
发明人： 竹田幸平 , TAKEDA, KOHEI , 石澤英亮 , ISHIZAWA, HIDEAKI , 金千鶴 , KIM, CHIZURU , 畠井宗宏 , HATAI, MUNEHIRO , 西村善雄 , NISHIMURA, YOSHIO , 岡山久敏 , OKAYAMA, HISATOSHI
IPC分类号： H01L21/60 , H01L23/29 , C09J9/00 , C09J163/00
CPC分类号： H01L23/293 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01061 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/29298 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/0401
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公开(公告)号：TWI488937B
公开(公告)日：2015-06-21
申请号：TW100130044
申请日：2011-08-23
发明人： 脇岡紗香 , WAKIOKA, SAYAKA , 西村善雄 , NISHIMURA, YOSHIO , 中山篤 , NAKAYAMA, ATSUSHI , 李洋洙 , LEE, YANGSOO
IPC分类号： C09J7/02 , C09J163/00 , H01L21/304
CPC分类号： C09J163/00 , C09J7/29 , C09J133/066 , C09J133/068 , C09J2201/162 , C09J2201/61 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2433/006 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2223/54426 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81855 , H01L2224/81862 , H01L2225/06513 , H01L2924/01029
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公开(公告)号：TW201140721A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW100112384
申请日：2011-04-11
申请人： 積水化學工業股份有限公司
CPC分类号： H01L23/293 , C09J163/00 , H01L21/563 , H01L24/16 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/16227 , H01L2224/2732 , H01L2224/27416 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/32058 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/73204 , H01L2224/81192 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2924/00011 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01061 , H01L2924/014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/3512 , H01L2924/00012 , H01L2224/29298 , H01L2224/29099 , H01L2224/29199 , H01L2224/29299 , H01L2224/2929 , H01L2224/0401
摘要： 本發明之目的在於提供一種半導體晶片接合用接著材料，其控制填邊（fillet）形狀，以使其不變成凸形狀，且可製造可靠性高之半導體裝置。本發明係一種半導體晶片接合用接著材料，其以黏彈性測量裝置測得之25℃之剪切彈性模數Gr為1×10 6 Pa以上，以流變儀測得至焊料熔點之最低複數黏度η*min為5×10 1 Pa‧s以下，以溫度140℃、變形量1 rad、頻率1 Hz測定之複數黏度η*（1 Hz）為於溫度140℃、變形量1 rad、頻率10 Hz下測得之複數黏度η*（10 Hz）之0.5～4.5倍。
简体摘要： 本发明之目的在于提供一种半导体芯片接合用接着材料，其控制填边（fillet）形状，以使其不变成凸形状，且可制造可靠性高之半导体设备。本发明系一种半导体芯片接合用接着材料，其以黏弹性测量设备测得之25℃之剪切弹性模数Gr为1×10 6 Pa以上，以流变仪测得至焊料熔点之最低复数黏度η*min为5×10 1 Pa‧s以下，以温度140℃、变形量1 rad、频率1 Hz测定之复数黏度η*（1 Hz）为于温度140℃、变形量1 rad、频率10 Hz下测得之复数黏度η*（10 Hz）之0.5～4.5倍。
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公开(公告)号：TW201213489A
公开(公告)日：2012-04-01
申请号：TW100130044
申请日：2011-08-23
申请人： 積水化學工業股份有限公司
CPC分类号： C09J163/00 , C09J7/29 , C09J133/066 , C09J133/068 , C09J2201/162 , C09J2201/61 , C09J2201/622 , C09J2203/326 , C09J2433/006 , C09J2463/00 , H01L21/6836 , H01L23/544 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2221/68377 , H01L2223/54426 , H01L2224/16145 , H01L2224/16225 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/73104 , H01L2224/81855 , H01L2224/81862 , H01L2225/06513 , H01L2924/01029
摘要： 本發明之目的在於提供一種可抑制突起電極之損傷及變形，可較佳地用於可靠性優異之半導體晶片構裝體之製造之接著片；及使用該接著片之半導體晶片之構裝方法。本發明係一種接著片，係用以將表面具有突起電極之半導體晶片構裝於基板或其他半導體晶片上；該接著片具有包含硬質層與柔軟層之樹脂基材，該硬質層於40～80℃之拉伸儲存彈性模數為0.5 GPa以上；該柔軟層積層於該硬質層之至少一面，40～80℃下之拉伸儲存彈性模數為10 kPa～9 Mpa且由交聯丙烯酸系聚合物所構成；且該接著片具有形成於上述柔軟層上之熱硬化性接著劑層，該熱硬化性接著劑層係使用旋轉式流變計以升溫速度5℃/分鐘、於頻率1 Hz測定40～80℃之熔融黏度時之最低熔融黏度大於3000 Pa‧s且為100000 Pa‧s以下。
简体摘要： 本发明之目的在于提供一种可抑制突起电极之损伤及变形，可较佳地用于可靠性优异之半导体芯片构装体之制造之接着片；及使用该接着片之半导体芯片之构装方法。本发明系一种接着片，系用以将表面具有突起电极之半导体芯片构装于基板或其他半导体芯片上；该接着片具有包含硬质层与柔软层之树脂基材，该硬质层于40～80℃之拉伸存储弹性模数为0.5 GPa以上；该柔软层积层于该硬质层之至少一面，40～80℃下之拉伸存储弹性模数为10 kPa～9 Mpa且由交联丙烯酸系聚合物所构成；且该接着片具有形成于上述柔软层上之热硬化性接着剂层，该热硬化性接着剂层系使用旋转式流变计以升温速度5℃/分钟、于频率1 Hz测定40～80℃之熔融黏度时之最低熔融黏度大于3000 Pa‧s且为100000 Pa‧s以下。
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公开(公告)号：TW539730B
公开(公告)日：2003-07-01
申请号：TW090108549
申请日：2001-04-10
申请人： 積水化學工業股份有限公司
CPC分类号： B29D11/00865 , C09D4/00 , C08F222/1006
摘要： 本發明係提供一種去靜電硬被覆層用組成物，其係由100重量分之多官能丙烯酸酯(A)，相對之50~400重量分之粒徑為10~30奈米之導電性微粒子(B)、與10~80重量分之選自於經有機物表面處理之二氧化矽粒子、有機聚矽氧烷和聚矽氧丙烯酸酯所組成群類之至少一種聚矽氧化合物(C)摻混而成；或者提供一種去靜電硬被覆層，其係由上述之去靜電硬被覆層用組成物經硬化而形成；其特徵在於：在該去靜電硬被覆層表面之元素組成中Si所佔之比例，相對於Si、C及O之總量計係為10~35原子%；更提供一種其特徵為由上述之去靜電硬被覆層形成在基材薄膜上所成之去靜電硬被覆層積層體薄膜、或一種其特徵為在具有去靜電硬被覆層之基材側之相對邊上形成一黏著層所成之去靜電硬被覆層積層體薄膜、或其特徵為在最外層上形成一具有附加機能膜所成之去靜電硬被覆層積層體薄膜；或者提供一種去靜電硬被覆層之製造方法，其特徵在於：對上述之去靜電硬被覆層用組成物塗布於基材薄膜上、乾燥、使之硬化所形成去靜電硬被覆層，進行自電暈放電、電漿放電、低壓水銀燈、或準分子電射相關之物理處理，或使硬化物表面浸泡有機溶劑、控制Si元素量之化學處理中所任意選取之表面處理。
简体摘要： 本发明系提供一种去静电硬被覆层用组成物，其系由100重量分之多官能丙烯酸酯(A)，相对之50~400重量分之粒径为10~30奈米之导电性微粒子(B)、与10~80重量分之选自于经有机物表面处理之二氧化硅粒子、有机聚硅氧烷和聚硅氧丙烯酸酯所组成群类之至少一种聚硅氧化合物(C)掺混而成；或者提供一种去静电硬被覆层，其系由上述之去静电硬被覆层用组成物经硬化而形成；其特征在于：在该去静电硬被覆层表面之元素组成中Si所占之比例，相对于Si、C及O之总量计系为10~35原子%；更提供一种其特征为由上述之去静电硬被覆层形成在基材薄膜上所成之去静电硬被覆层积层体薄膜、或一种其特征为在具有去静电硬被覆层之基材侧之相对边上形成一黏着层所成之去静电硬被覆层积层体薄膜、或其特征为在最外层上形成一具有附加机能膜所成之去静电硬被覆层积层体薄膜；或者提供一种去静电硬被覆层之制造方法，其特征在于：对上述之去静电硬被覆层用组成物涂布于基材薄膜上、干燥、使之硬化所形成去静电硬被覆层，进行自电晕放电、等离子放电、低压水银灯、或准分子电射相关之物理处理，或使硬化物表面浸泡有机溶剂、控制Si元素量之化学处理中所任意选取之表面处理。
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