公开(公告)号：TW201806050A

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：TW106107785

申请日：2017-03-09

申请人： 瑞西恩公司 ,  RAYTHEON COMPANY

发明人： 蘇雅雷斯 愛德華R ,  SOARES, EDWARD R. ,  傑柏 約翰J ,  DRAB, JOHN J.

IPC分类号： H01L21/66 ,  H01L21/768 ,  H01L23/58 ,  H01L23/66 ,  H01L25/065

CPC分类号： H01L25/0657 ,  H01L21/0273 ,  H01L21/7685 ,  H01L21/76871 ,  H01L21/76883 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/8221 ,  H01L22/14 ,  H01L23/585 ,  H01L23/66 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/08 ,  H01L24/80 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/6677 ,  H01L2224/03416 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/03464 ,  H01L2224/0347 ,  H01L2224/0348 ,  H01L2224/039 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05686 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/06051 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/06505 ,  H01L2224/08147 ,  H01L2224/80001 ,  H01L2224/80895 ,  H01L2224/80896 ,  H01L2224/80986 ,  H01L2224/9202 ,  H01L2225/06548 ,  H01L2924/3651 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/05442 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01074 ,  H01L21/76898 ,  H01L2224/03

摘要： 一種電子裝置整合方法以及整合電子裝置。該整合方法可以包含藉由下面方式製備第一電子裝置的步驟：形成一導電跡線，疊置在一基板上方；形成一阻障層，疊置在該導電跡線上方；於該阻障層上形成一或更多個導電互連；以及形成一接合層，疊置在該跡線上方及/或至少部分包圍該一或更多個互連。該阻障層被配置成用以防止在該些跡線結構和互連結構之間形成金屬間化合物，仍可在該跡線和互連之間達成電通訊。該整合方法可以進一步包含下面步驟：將該第一電子裝置直接接合至一第二電子裝置；將一第三電子裝置直接接合至該第二電子裝置；依此類推。在每一個堆疊序列之後可以進行該垂直整合電子裝置的高溫處理和功能測試。

简体摘要： 一种电子设备集成方法以及集成电子设备。该集成方法可以包含借由下面方式制备第一电子设备的步骤：形成一导电迹线，叠置在一基板上方；形成一阻障层，叠置在该导电迹在线方；于该阻障层上形成一或更多个导电互连；以及形成一接合层，叠置在该迹在线方及/或至少部分包围该一或更多个互连。该阻障层被配置成用以防止在该些迹线结构和互链接构之间形成金属间化合物，仍可在该迹线和互连之间达成电通信。该集成方法可以进一步包含下面步骤：将该第一电子设备直接接合至一第二电子设备；将一第三电子设备直接接合至该第二电子设备；依此类推。在每一个堆栈串行之后可以进行该垂直集成电子设备的高温处理和功能测试。

公开(公告)号：TW201803038A

公开(公告)日：2018-01-16

申请号：TW105133336

申请日：2016-10-14

申请人： 南亞科技股份有限公司 ,  NANYA TECHNOLOGY CORPORATION

发明人： 林柏均 ,  LIN, PO CHUN

IPC分类号： H01L23/16 ,  H01L23/18 ,  H01L21/48 ,  H01L21/50

CPC分类号： H01L24/13 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0332 ,  H01L2224/03416 ,  H01L2224/0361 ,  H01L2224/0391 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05017 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05073 ,  H01L2224/05111 ,  H01L2224/05116 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05139 ,  H01L2224/05144 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05164 ,  H01L2224/05184 ,  H01L2224/05551 ,  H01L2224/05557 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05572 ,  H01L2224/05578 ,  H01L2224/056 ,  H01L2224/05611 ,  H01L2224/05616 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05664 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/0569 ,  H01L2224/10126 ,  H01L2224/1112 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13017 ,  H01L2224/13018 ,  H01L2224/13019 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13078 ,  H01L2224/1319 ,  H01L2224/13191 ,  H01L2224/13541 ,  H01L2224/13553 ,  H01L2224/1356 ,  H01L2224/13561 ,  H01L2224/13562 ,  H01L2224/13582 ,  H01L2224/136 ,  H01L2224/13611 ,  H01L2224/13616 ,  H01L2224/13624 ,  H01L2224/13639 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13655 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13666 ,  H01L2224/13684 ,  H01L2224/1369 ,  H01L2924/06 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/07025 ,  H01L2924/0715 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/3511 ,  H01L2924/3512 ,  H01L2924/35121 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/014

摘要： 一種半導體結構包含一基板；設置該基板上方的一接墊；設置該基板上方且暴露該接墊之一暴露部分的一保護層；以及設置該接墊之該暴露部分上方的一凸塊。該凸塊包含一緩衝件及一導電層，該緩衝件位於該接墊之該暴露部分上方，該導電層環繞該緩衝件且電連接至該接墊。

简体摘要： 一种半导体结构包含一基板；设置该基板上方的一接垫；设置该基板上方且暴露该接垫之一暴露部分的一保护层；以及设置该接垫之该暴露部分上方的一凸块。该凸块包含一缓冲件及一导电层，该缓冲件位于该接垫之该暴露部分上方，该导电层环绕该缓冲件且电连接至该接垫。