公开(公告)号：US20090098673A1

公开(公告)日：2009-04-16

申请号：US12334241

申请日：2008-12-12

申请人： Sung-Hoon Yang ,  Kunal Satyabhushan Girotra ,  Byoung-June Kim

发明人： Sung-Hoon Yang ,  Kunal Satyabhushan Girotra ,  Byoung-June Kim

IPC分类号： H01L21/77

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908

摘要： A TFT array panel-including a substrate, a gate line having a gate electrode, a gate insulating layer formed on the gate line, a data line having a source electrode and a drain electrode spaced apart from the source electrode, a passivation layer formed on the data line and the drain electrode, and a pixel electrode connected to the drain electrode is provided. The TFT array panel further includes a protection layer including Si under at least one of the gate insulating layer and the passivation layer to enhance reliability.

摘要翻译： 一种TFT阵列面板，包括基板，具有栅极电极的栅极线，栅极线上形成的栅极绝缘层，具有与源极间隔开的源极和漏电极的数据线，形成在源电极上的钝化层 提供数据线和漏电极以及连接到漏电极的像素电极。 TFT阵列板还包括在栅极绝缘层和钝化层中的至少一个之下包括Si的保护层，以增强可靠性。

公开(公告)号：US20070096097A1

公开(公告)日：2007-05-03

申请号：US11538394

申请日：2006-10-03

申请人： Byoung-June Kim ,  Sung-Hoon Yang ,  Min-Seok Oh ,  Jae-HO Choi ,  Yong-Mo Choi

发明人： Byoung-June Kim ,  Sung-Hoon Yang ,  Min-Seok Oh ,  Jae-HO Choi ,  Yong-Mo Choi

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L29/78669 ,  H01L27/12 ,  H01L27/124 ,  H01L29/458 ,  H01L29/66765

摘要： A TFT includes a gate electrode, an active layer, a source electrode, a drain electrode, and a buffer layer. The gate electrode is formed on the substrate; the active layer is formed on the gate electrode. The source and drain electrodes, formed on the active layer, are separated by a predetermined distance. The buffer layer is formed between the active layer and the source and drain electrodes. The buffer layer has a substantially continuously varying content ratio corresponding to a buffer layer thickness. The buffer layer is formed to suppress oxidation of the active layer, and reduce contact resistance.

摘要翻译： TFT包括栅电极，有源层，源电极，漏电极和缓冲层。 栅电极形成在基板上; 在栅电极上形成有源层。 形成在有源层上的源电极和漏电极分开预定的距离。 缓冲层形成在有源层与源极和漏极之间。 缓冲层具有对应于缓冲层厚度的基本连续变化的含量比。 形成缓冲层以抑制有源层的氧化，并降低接触电阻。

公开(公告)号：US20120015487A1

公开(公告)日：2012-01-19

申请号：US13244036

申请日：2011-09-23

申请人： Sung-Hoon YANG ,  Won-Suk Shin ,  Byoung-June Kim

发明人： Sung-Hoon YANG ,  Won-Suk Shin ,  Byoung-June Kim

IPC分类号： H01L21/336

CPC分类号： G02F1/136286 ,  G02F1/136227 ,  G02F1/1368 ,  G02F2001/136295 ,  H01L27/124 ,  H01L29/4908

摘要： The present invention provides a thin film transistor array panel comprising a substrate; a gate line containing Ag formed on the substrate at a low temperature to prevent agglomeration, a first gate insulating layer formed on the gate line, a second gate insulating layer formed on the first gate insulating layer, a data line perpendicularly intersecting the gate line, and a thin film transistor connected to the gate line and the data line, and a manufacturing method thereof.

摘要翻译： 本发明提供一种薄膜晶体管阵列板，其包括基板; 在低温下形成在基板上的Ag以防止凝聚的栅极线，形成在栅极线上的第一栅极绝缘层，形成在第一栅极绝缘层上的第二栅极绝缘层，与栅极线垂直相交的数据线， 以及连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管及其制造方法。

公开(公告)号：US07696091B2

公开(公告)日：2010-04-13

申请号：US11675935

申请日：2007-02-16

申请人： Kunal Girotra ,  Byoung-June Kim ,  Sung-Hoon Yang

发明人： Kunal Girotra ,  Byoung-June Kim ,  Sung-Hoon Yang

IPC分类号： H01L21/44

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1296

摘要： A method of manufacturing a silicon layer includes pretreating a surface of a silicon nitride layer formed on a substrate through a plasma enhanced chemical vapor deposition method using a first reaction gas including at least one of silicone tetrafluoride (SiF4) gas, a nitrogen trifluoride (NF3) gas, SiF4—H2 gas and a mixture thereof. Then, a silicon layer is formed on the pretreated silicon nitride layer through the plasma enhanced chemical vapor deposition method using a second reaction gas including a mixture of gas including silicon tetrafluoride (SiF4), hydrogen (H2) and argon (Ar).

摘要翻译： 一种制造硅层的方法包括：使用包括四氟化硅（SiF 4）气体，三氟化氮（NF 3），氟化三氟化硼中的至少一种的第一反应气体，通过等离子体增强化学气相沉积法，对形成在基板上的氮化硅层的表面进行预处理 ）气体，SiF 4 -H 2气体及其混合物。 然后，使用包括四氟化硅（SiF 4），氢（H 2）和氩（Ar）的气体混合物的第二反应气体，通过等离子体增强化学气相沉积法在预处理的氮化硅层上形成硅层。

公开(公告)号：US08409916B2

公开(公告)日：2013-04-02

申请号：US13233399

申请日：2011-09-15

申请人： Kap-Soo Yoon ,  Sung-Hoon Yang ,  Byoung-June Kim ,  Czang-Ho Lee ,  Sung-Ryul Kim ,  Hwa-Yeul Oh ,  Jae-Ho Choi ,  Yong-Mo Choi

发明人： Kap-Soo Yoon ,  Sung-Hoon Yang ,  Byoung-June Kim ,  Czang-Ho Lee ,  Sung-Ryul Kim ,  Hwa-Yeul Oh ,  Jae-Ho Choi ,  Yong-Mo Choi

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/16

CPC分类号： H01L29/7869 ,  H01L27/1225

摘要： A thin film transistor substrate includes an insulating plate; a gate electrode disposed on the insulating plate; a semiconductor layer comprising a metal oxide, wherein the metal oxide has oxygen defects of less than or equal to 3%, and wherein the metal oxide comprises about 0.01 mole/cm3 to about 0.3 mole/cm3 of a 3d transition metal; a gate insulating layer disposed between the gate electrode and the semiconductor layer; and a source electrode and a drain electrode disposed on the semiconductor layer. Also described is a display substrate. The metal oxide has oxygen defects of less than or equal to 3%, and is doped with about 0.01 mole/cm3 to about 0.3 mole/cm3 of 3d transition metal. The metal oxide comprises indium oxide or titanium oxide. The 3d transition metal includes at least one 3d transition metal selected from the group consisting of chromium, cobalt, nickel, iron, manganese, and mixtures thereof.

摘要翻译： 薄膜晶体管基板包括绝缘板; 设置在绝缘板上的栅电极; 包含金属氧化物的半导体层，其中所述金属氧化物具有小于或等于3％的氧缺陷，并且其中所述金属氧化物包含约0.01mol / cm 3至约0.3mol / cm 3的3d过渡金属; 设置在所述栅极电极和所述半导体层之间的栅极绝缘层; 以及设置在半导体层上的源电极和漏电极。 还描述了显示基板。 金属氧化物具有小于或等于3％的氧缺陷，并且掺杂有约0.01摩尔/ cm3至约0.3摩尔/ cm3的3d过渡金属。 金属氧化物包括氧化铟或二氧化钛。 3d过渡金属包括选自铬，钴，镍，铁，锰及其混合物中的至少一种3d过渡金属。

公开(公告)号：US20060118793A1

公开(公告)日：2006-06-08

申请号：US11262163

申请日：2005-10-27

申请人： Sung-Hoon Yang ,  Kunal Girotra ,  Byoung-June Kim

发明人： Sung-Hoon Yang ,  Kunal Girotra ,  Byoung-June Kim

IPC分类号： H01L33/00 ,  H01L31/113

CPC分类号： H01L29/458 ,  H01L27/124 ,  H01L27/1288 ,  H01L29/4908

摘要： A TFT array panel including a substrate, a gate line having a gate electrode, a gate insulating layer formed on the gate line, a data line having a source electrode and a drain electrode spaced apart from the source electrode, a passivation layer formed on the data line and the drain electrode, and a pixel electrode connected to the drain electrode is provided. The TFT array panel further includes a protection layer including Si under at least one of the gate insulating layer and the passivation layer to enhance reliability.

摘要翻译： 一种TFT阵列面板，包括基板，具有栅极电极的栅极线，栅极线上形成的栅极绝缘层，具有与源极间隔开的源极和漏电极的数据线，形成在栅电极上的钝化层 数据线和漏电极，以及连接到漏电极的像素电极。 TFT阵列板还包括在栅极绝缘层和钝化层中的至少一个之下包括Si的保护层，以增强可靠性。

公开(公告)号：US08486775B2

公开(公告)日：2013-07-16

申请号：US13020467

申请日：2011-02-03

申请人： Byoung-June Kim ,  Jae-Ho Choi ,  Chang-Oh Jeong ,  Sung-Hoon Yang ,  Je-Hun Lee ,  Do-Hyun Kim ,  Hwa-Yeul Oh ,  Yong-Mo Choi

发明人： Byoung-June Kim ,  Jae-Ho Choi ,  Chang-Oh Jeong ,  Sung-Hoon Yang ,  Je-Hun Lee ,  Do-Hyun Kim ,  Hwa-Yeul Oh ,  Yong-Mo Choi

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1255 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66765

摘要： A manufacturing method of a thin film transistor (TFT) includes forming a gate electrode including a metal that can be combined with silicon to form silicide on a substrate and forming a gate insulation layer by supplying a gas which includes silicon to the gate electrode at a temperature below about 280° C. The method further includes forming a semiconductor on the gate insulation layer, forming a data line and a drain electrode on the semiconductor and forming a pixel electrode connected to the drain electrode.

公开(公告)号：US07964250B2

公开(公告)日：2011-06-21

申请号：US11677353

申请日：2007-02-21

申请人： Byoung-June Kim ,  Sung-Hoon Yang ,  Jae-Ho Choi

发明人： Byoung-June Kim ,  Sung-Hoon Yang ,  Jae-Ho Choi

IPC分类号： B05D3/00

CPC分类号： C23C16/24 ,  C23C16/56 ,  G02F1/133305 ,  G02F1/133345 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1262 ,  H01L27/127 ,  H01L29/78603

摘要： A manufacturing method for a flat panel display device includes forming a barrier layer on a flexible plastic substrate by RF sputtering, forming an amorphous silicon layer on the plastic substrate, and subjecting the amorphous silicon layer to a rapid heat treatment so as to thereby improve electrical characteristics and/or homogeneity of the amorphous silicon layer.

摘要翻译： 平板显示装置的制造方法包括通过RF溅射在柔性塑料基板上形成阻挡层，在塑料基板上形成非晶硅层，对非晶硅层进行快速热处理，从而改善电气 非晶硅层的特性和/或均匀性。

公开(公告)号：US20080185590A1

公开(公告)日：2008-08-07

申请号：US11930536

申请日：2007-10-31

申请人： Byoung-June Kim ,  Jae-Ho Choi ,  Chang-Oh Jeong ,  Sung-Hoon Yang ,  Je-Hun Lee ,  Do-Hyun Kim ,  Hwa-Yeul Oh ,  Yong-Mo Choi

发明人： Byoung-June Kim ,  Jae-Ho Choi ,  Chang-Oh Jeong ,  Sung-Hoon Yang ,  Je-Hun Lee ,  Do-Hyun Kim ,  Hwa-Yeul Oh ,  Yong-Mo Choi

IPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/84

CPC分类号： H01L27/1255 ,  H01L27/12 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/124 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/66765

摘要： A manufacturing method of a thin film transistor (TFT) includes forming a gate electrode including a metal that can be combined with silicon to form silicide on a substrate and forming a gate insulation layer by supplying a gas which includes silicon to the gate electrode at a temperature below about 280° C. The method further includes forming a semiconductor on the gate insulation layer, forming a data line and a drain electrode on the semiconductor and forming a pixel electrode connected to the drain electrode.

摘要翻译： 薄膜晶体管（TFT）的制造方法包括形成包括可以与硅组合的金属的栅电极，以在衬底上形成硅化物，并通过在栅极电极中向栅电极提供包括硅的气体形成栅极绝缘层 该方法还包括在栅极绝缘层上形成半导体，在半导体上形成数据线和漏极并形成连接到漏电极的像素电极。

公开(公告)号：US20070212827A1

公开(公告)日：2007-09-13

申请号：US11675935

申请日：2007-02-16

申请人： Kunal Girotra ,  Byoung-June Kim ,  Sung-Hoon Yang

发明人： Kunal Girotra ,  Byoung-June Kim ,  Sung-Hoon Yang

IPC分类号： H01L21/84

CPC分类号： H01L29/04 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0262 ,  H01L27/1296

摘要： A method of manufacturing a silicon layer includes pretreating a surface of a silicon nitride layer formed on a substrate through a plasma enhanced chemical vapor deposition method using a first reaction gas including at least one of silicone tetrafluoride (SiF4) gas, a nitrogen trifluoride (NF3) gas, SiF4—H2 gas and a mixture thereof Then, a silicon layer is formed on the pretreated silicon nitride layer through the plasma enhanced chemical vapor deposition method using a second reaction gas including a mixture of gas including silicon tetrfluoride (SiF4), hydrogen (H2) and argon (Ar),

摘要翻译： 一种制造硅层的方法包括：使用第一反应气体，通过等离子体增强化学气相沉积方法来预处理在衬底上形成的氮化硅层的表面，所述第一反应气体包括四氟化硅（SiF 4 N 4 O 4） ）气体，三氟化氮（NF 3 3）气体，SiF 4 H 2 H 2气体及其混合物然后，形成硅层 通过等离子体增强化学气相沉积方法在预处理的氮化硅层上，使用包括包括四氟化硅（SiF 4 N 4），氢（H 2 O 3）的气体混合物的第二反应气体， ）和氩（Ar），