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    SEMICONDUCTOR METHODS
    1.
    发明申请
    SEMICONDUCTOR METHODS 有权
    半导体方法

    公开(公告)号：US20090130814A1

    公开(公告)日：2009-05-21

    申请号：US12357661

    申请日：2009-01-22

    申请人： Yuan-Hung LIU ,  Ming Chyi Liu ,  Yeur-Luen Tu ,  Chi-Hsin Lo ,  Chai-Shiung Tsai

    发明人： Yuan-Hung LIU ,  Ming Chyi Liu ,  Yeur-Luen Tu ,  Chi-Hsin Lo ,  Chai-Shiung Tsai

    IPC分类号： H01L21/20

    CPC分类号： H01L21/02274 ,  H01L21/02115 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/3086 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/3146 ,  H01L21/76816 ,  H01L21/7682 ,  H01L21/76885 ,  H01L21/76897 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/14632 ,  H01L27/14687 ,  H01L28/91 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/7881

    摘要： A method includes forming an amorphous carbon layer over a first dielectric layer formed over a substrate, forming a second dielectric layer over the amorphous carbon layer; and forming an opening within the amorphous carbon layer and second dielectric layer by a first etch process to partially expose a top surface of the first dielectric layer. A substantially conformal metal-containing layer is formed over the second dielectric layer and within the opening. The second dielectric layer and a portion of the metal-containing layer are removed. The amorphous carbon layer is removed by an oxygen-containing plasma process to expose a top surface of the first dielectric layer. An insulating layer is formed over the metal-containing layer, and a second metal-containing layer is formed over the insulating layer to form a capacitor.

    摘要翻译： 一种方法包括在形成在衬底上的第一电介质层上形成无定形碳层，在非晶碳层上形成第二电介质层; 以及通过第一蚀刻工艺在所述非晶碳层和所述第二介电层内形成开口，以部分地暴露所述第一介电层的顶表面。 在第二电介质层上并在开口内形成基本上共形的含金属层。 去除第二电介质层和一部分含金属层。 通过含氧等离子体工艺除去无定形碳层以暴露第一介电层的顶表面。 在含金属层的上方形成有绝缘层，在绝缘层上形成第二含金属层，形成电容器。

    Silicon substrate with reduced surface roughness
    4.
    发明授权
    Silicon substrate with reduced surface roughness 有权
    具有降低表面粗糙度的硅衬底

    公开(公告)号：US07863067B2

    公开(公告)日：2011-01-04

    申请号：US11686108

    申请日：2007-03-14

    申请人： Gwo-Yuh Shiau ,  Ming Chyi Liu ,  Tzu-Hsuan Hsu ,  Chia-Shiung Tsai

    发明人： Gwo-Yuh Shiau ,  Ming Chyi Liu ,  Tzu-Hsuan Hsu ,  Chia-Shiung Tsai

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

    摘要： The present disclosure provides a method for fabricating a semiconductor device including providing a semiconductor substrate comprising a first surface and a second surface, wherein at least one imaging sensor is located adjacent the first surface, activating a dopant layer in the semiconductor substrate adjacent the second surface using a localized annealing process, and etching the dopant layer.

    摘要翻译： 本公开提供一种制造半导体器件的方法，包括提供包括第一表面和第二表面的半导体衬底，其中至少一个成像传感器位于第一表面附近，激活邻近第二表面的半导体衬底中的掺杂剂层 使用局部退火工艺，并蚀刻掺杂剂层。

    Silicon substrate with reduced surface roughness
    5.
    再颁专利
    Silicon substrate with reduced surface roughness 有权
    具有降低表面粗糙度的硅衬底

    公开(公告)号：USRE44376E1

    公开(公告)日：2013-07-16

    申请号：US13117881

    申请日：2011-05-27

    申请人： Gwo-Yuh Shiau ,  Ming Chyi Liu ,  Tzu-Hsuan Hsu ,  Chia-Shiung Tsai

    发明人： Gwo-Yuh Shiau ,  Ming Chyi Liu ,  Tzu-Hsuan Hsu ,  Chia-Shiung Tsai

    IPC分类号： H01L21/00

    CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

    摘要： The present disclosure provides a method for fabricating a semiconductor device including providing a semiconductor substrate comprising a first surface and a second surface, wherein at least one imaging sensor is located adjacent the first surface, activating a dopant layer in the semiconductor substrate adjacent the second surface using a localized annealing process, and etching the dopant layer.

    摘要翻译： 本公开提供一种制造半导体器件的方法，包括提供包括第一表面和第二表面的半导体衬底，其中至少一个成像传感器位于第一表面附近，激活邻近第二表面的半导体衬底中的掺杂剂层 使用局部退火工艺，并蚀刻掺杂剂层。

    Silicon Substrate With Reduced Surface Roughness
    7.
    发明申请
    Silicon Substrate With Reduced Surface Roughness 有权
    具有降低表面粗糙度的硅基板

    公开(公告)号：US20080227276A1

    公开(公告)日：2008-09-18

    申请号：US11686108

    申请日：2007-03-14

    申请人： Gwo-Yuh Shiau ,  Ming Chyi Liu ,  Tzu-Hsuan Hsu ,  Chia-Shiung Tsai

    发明人： Gwo-Yuh Shiau ,  Ming Chyi Liu ,  Tzu-Hsuan Hsu ,  Chia-Shiung Tsai

    IPC分类号： H01L21/22

    CPC分类号： H01L21/268 ,  H01L27/1464 ,  H01L27/14683

    摘要： The present disclosure provides a method for fabricating a semiconductor device including providing a semiconductor substrate comprising a first surface and a second surface, wherein at least one imaging sensor is located adjacent the first surface, activating a dopant layer in the semiconductor substrate adjacent the second surface using a localized annealing process, and etching the dopant layer

    摘要翻译： 本公开提供一种制造半导体器件的方法，包括提供包括第一表面和第二表面的半导体衬底，其中至少一个成像传感器位于第一表面附近，激活邻近第二表面的半导体衬底中的掺杂剂层 使用局部退火工艺，并蚀刻掺杂剂层

    METHODS OF AVOIDING WAFER BREAKAGE DURING MANUFACTURE OF BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSORS
    8.
    发明申请
    METHODS OF AVOIDING WAFER BREAKAGE DURING MANUFACTURE OF BACKSIDE ILLUMINATED IMAGE SENSORS 审中-公开
    在背光照明图像传感器制造过程中避免浪涌破裂的方法

    公开(公告)号：US20080044984A1

    公开(公告)日：2008-02-21

    申请号：US11465047

    申请日：2006-08-16

    申请人： Yuan-Chih Hsieh ,  Chung-Yi Yu ,  Gwo-Yuh Shiau ,  Shih-Chi Fu ,  Ming Chyi Liu ,  Chia-Shiung Tsai

    发明人： Yuan-Chih Hsieh ,  Chung-Yi Yu ,  Gwo-Yuh Shiau ,  Shih-Chi Fu ,  Ming Chyi Liu ,  Chia-Shiung Tsai

    IPC分类号： H01L21/30 ,  H01L21/46

    CPC分类号： H01L21/304 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14687 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

    摘要： A process for forming backside illuminated devices is disclosed. Specifically, the process reduces processing damage to wafers caused by poor bond quality at the wafer edge ring. In one embodiment, a wafer edge trimming step is implemented prior to bonding the wafer to the substrate. A pre-grind blade is used to create a straight edge around the wafer perimeter, eliminating any sharp edges. In another embodiment, edge trimming is performed after the wafer has been bonded to the substrate, and a pre-grind blade is used to remove portion of the wafer edge ring subject to poor bonding quality before grinding. The final thickness of the ground wafer is about 50 microns in either case.

    摘要翻译： 公开了一种用于形成背面照明装置的工艺。 具体地说，该方法减少了由于晶片边缘环上的接合质量差而导致的对晶片的加工损坏。 在一个实施例中，在将晶片接合到基板之前实现晶片边缘修剪步骤。 预磨刀片用于在晶片周边周围创建直边，消除任何尖锐边缘。 在另一个实施例中，在晶片已经结合到基板之后进行边缘修整，并且在研磨之前使用预研磨刀片来去除在接合质量差的条件下的部分晶片边缘环。 在任一情况下，接地晶片的最终厚度为约50微米。