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    Flash memory device
    91.
    发明授权
    Flash memory device 有权
    闪存设备

    公开(公告)号：US07279735B1

    公开(公告)日：2007-10-09

    申请号：US10838215

    申请日：2004-05-05

    申请人： Bin Yu ,  Haihong Wang

    发明人： Bin Yu ,  Haihong Wang

    IPC分类号： H01L29/788

    CPC分类号： H01L29/7883 ,  H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11521 ,  H01L29/785

    摘要： A non-volatile memory device includes a substrate, an insulating layer, a fin structure, a floating gate, an inter-gate dielectric and a control gate. The insulating layer is formed on the substrate and the fin structure is formed on the insulating layer. The fin structure may include a strained layer formed on a non-strained layer.

    摘要翻译： 非易失性存储器件包括衬底，绝缘层，翅片结构，浮动栅极，栅极间电介质和控制栅极。 绝缘层形成在基板上，翅片结构形成在绝缘层上。 翅片结构可以包括形成在非应变层上的应变层。

    Damascene tri-gate FinFET
    93.
    发明授权
    Damascene tri-gate FinFET 有权
    大马士革三栅极FinFET

    公开(公告)号：US07041542B2

    公开(公告)日：2006-05-09

    申请号：US10754559

    申请日：2004-01-12

    申请人： Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L21/338

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

    摘要： A method of forming a fin field effect transistor includes forming a fin and forming a source region adjacent a first end of the fin and a drain region adjacent a second end of the fin. The method further includes forming a dummy gate over the fin and forming a dielectric layer around the dummy gate. The method also includes removing the dummy gate to form a trench in the dielectric layer and forming a metal gate in the trench.

    摘要翻译： 形成鳍状场效应晶体管的方法包括形成鳍片并形成与鳍片的第一端相邻的源极区域和与鳍片的第二端部相邻的漏极区域。 该方法还包括在鳍上方形成虚拟栅极，并在虚拟栅极周围形成电介质层。 该方法还包括去除伪栅极以在电介质层中形成沟槽并在沟槽中形成金属栅极。

    Damascene gate semiconductor processing with local thinning of channel region
    94.
    发明授权
    Damascene gate semiconductor processing with local thinning of channel region 有权
    大马士革半导体处理与通道区局部变薄

    公开(公告)号：US06967175B1

    公开(公告)日：2005-11-22

    申请号：US10726619

    申请日：2003-12-04

    申请人： Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L21/302 ,  H01L21/336 ,  H01L21/461 ,  H01L29/786

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66818 ,  Y10S438/933

    摘要： A method of manufacturing a semiconductor device may include forming a fin on an insulator and forming a gate oxide on sides of the fin. The method may also include forming a gate structure over the fin and the gate oxide and forming a dielectric layer adjacent the gate structure. Material in the gate structure may be removed to define a gate recess. A width of a portion of the fin below the gate recess may be reduced, and a metal gate may be formed in the gate recess.

    摘要翻译： 半导体器件的制造方法可以包括在绝缘体上形成翅片并在鳍的侧面形成栅极氧化物。 该方法还可以包括在鳍片和栅极氧化物上形成栅极结构，并形成与栅极结构相邻的电介质层。 可以去除栅极结构中的材料以限定栅极凹部。 可以减小栅极凹部下方的鳍的一部分的宽度，并且可以在栅极凹部中形成金属栅极。

    Narrow-body damascene tri-gate FinFET
    96.
    发明申请
    Narrow-body damascene tri-gate FinFET 有权
    窄体镶嵌三栅极FinFET

    公开(公告)号：US20050153485A1

    公开(公告)日：2005-07-14

    申请号：US10754540

    申请日：2004-01-12

    申请人： Shibly Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    发明人： Shibly Ahmed ,  Haihong Wang ,  Bin Yu

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L21/335

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66795

    摘要： A method of forming a fin field effect transistor includes forming a fin and forming a source region on a first end of the fin and a drain region on a second end of the fin. The method further includes forming a dummy gate with a first semi-conducting material in a first pattern over the fin and forming a dielectric layer around the dummy gate. The method also includes removing the first semi-conducting material to leave a trench in the dielectric layer corresponding to the first pattern, thinning a portion of the fin exposed within the trench, and forming a metal gate within the trench.

    摘要翻译： 形成鳍状场效应晶体管的方法包括：在鳍片的第一端上形成翅片并形成源极区域，在鳍片的第二端部形成漏极区域。 该方法还包括在鳍上形成具有第一图案的第一半导体材料的虚拟栅极，并在虚拟栅极周围形成介电层。 该方法还包括去除第一半导体材料以在对应于第一图案的电介质层中留下沟槽，使在沟槽内暴露的鳍片的一部分变薄，并在沟槽内形成金属栅极。

    FLASH MEMORY DEVICE
    97.
    发明申请
    FLASH MEMORY DEVICE 有权
    闪存存储器件

    公开(公告)号：US20050121716A1

    公开(公告)日：2005-06-09

    申请号：US10726508

    申请日：2003-12-04

    申请人： Wiley Hill ,  Haihong Wang ,  Yider Wu ,  Bin Yu

    发明人： Wiley Hill ,  Haihong Wang ,  Yider Wu ,  Bin Yu

    IPC分类号： G11C16/04 ,  H01L21/28 ,  H01L21/8247 ,  H01L27/115 ,  H01L29/788

    CPC分类号： H01L21/28273 ,  H01L27/115 ,  H01L27/11556 ,  H01L29/785

    摘要： A memory device includes a conductive structure, a number of dielectric layers and a control gate. The dielectric layers are formed around the conductive structure and the control gate is formed over the dielectric layers. A portion of the conductive structure functions as a drain region for the memory device and at least one of the dielectric layers functions as a charge storage structure for the memory device. The dielectric layers may include oxide-nitride-oxide layers.

    摘要翻译： 存储器件包括导电结构，多个电介质层和控制栅极。 电介质层形成在导电结构周围，并且控制栅极形成在电介质层上。 导电结构的一部分用作存储器件的漏极区，并且至少一个介电层用作存储器件的电荷存储结构。 电介质层可以包括氧化物 - 氮化物 - 氧化物层。

    Additional gate control for a double-gate MOSFET
    99.
    发明授权
    Additional gate control for a double-gate MOSFET 有权
    双栅极MOSFET的附加栅极控制

    公开(公告)号：US06876042B1

    公开(公告)日：2005-04-05

    申请号：US10653105

    申请日：2003-09-03

    申请人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang

    发明人： Bin Yu ,  Shibly S. Ahmed ,  Haihong Wang

    IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L29/76 ,  H01L27/01

    CPC分类号： H01L29/785 ,  H01L29/66795

    摘要： A FinFET includes a fin formed on an insulating layer and a first gate material layer formed proximate to sides of the fin. The FinFET further includes a protective layer formed above the first gate material layer and the fin, and a second gate material layer formed above the protective layer and the fin. The second gate material layer may be formed into a gate for the fin that may be biased independently of gate(s) formed from the first gate material layer, thus providing additional design flexibility in controlling the potential in the fin during on/off switching of the FinFET.

    摘要翻译： FinFET包括形成在绝缘层上的鳍和靠近鳍的侧面形成的第一栅极材料层。 FinFET还包括形成在第一栅极材料层和鳍上方的保护层，以及形成在保护层和鳍上方的第二栅极材料层。 第二栅极材料层可以形成为可以独立于由第一栅极材料层形成的栅极偏置的鳍的栅极，从而在控制鳍的电位的开/关切换期间提供额外的设计灵活性 FinFET。