公开(公告)号：US08847168B2

公开(公告)日：2014-09-30

申请号：US12929203

申请日：2011-01-07

申请人： Sun-il Kim ,  Jae-chul Park ,  Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim

发明人： Sun-il Kim ,  Jae-chul Park ,  Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim

IPC分类号： G01T1/24 ,  H01L31/08 ,  H01L27/146

CPC分类号： G01T1/24 ,  H01L24/24 ,  H01L24/73 ,  H01L27/14609 ,  H01L27/14618 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14676 ,  H01L27/14687 ,  H01L31/085 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/15788 ,  H01L2924/00

摘要： Large-scale X-ray detectors and methods of manufacturing the same are provided, the large-scale X-ray detectors include a photoconductor layer configured to generate electrical charges according to an incident X-ray using an entire area of the photoconductor layer, a common electrode on an upper surface of the photoconductor layer, a plurality of pixel electrodes, configured to convert the electrical charges into electrical signals, on a lower surface of the photoconductor layer and divided into a plurality of groups, and a plurality of application-specific integrated circuits (ASICs) each corresponding to one of the groups. Each ASIC is configured to process the electrical signals conveyed via the pixel electrodes in the corresponding group. The ASICs process the electrical signals so that seamless image information is collectively generated by the ASICs with respect to the entire area of the photoconductor layer.

摘要翻译： 提供了大规模X射线检测器及其制造方法，大规模X射线检测器包括：光电导体层，被配置为根据入射的X射线使用光电导体层的整个面积产生电荷; 所述光电导体层的上表面上的公共电极，被配置为将所述电荷转换为电信号的多个像素电极，在所述感光体层的下表面上并分成多个组，以及多个应用特定 集成电路（ASIC），每个对应于该组中的一个。 每个ASIC被配置为处理通过相应组中的像素电极传送的电信号。 ASIC处理电信号，使得ASIC相对于感光体层的整个区域共同地产生无缝图像信息。

公开(公告)号：US08773888B2

公开(公告)日：2014-07-08

申请号：US13590978

申请日：2012-08-21

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/00 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C29/021 ,  G11C29/028 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076 ,  G11C2213/56

摘要： According to an example embodiment, a method of operating a semiconductor device having a variable resistance device includes: applying a first voltage to the variable resistance device to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value; sensing a first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied; determining a second voltage used for changing the variable resistance device from the second resistance value to the first resistance value, based on a dispersion of the sensed first current; and applying the determined second voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种操作具有可变电阻器件的半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压以将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为第二电阻值， 与第一电阻值不同; 感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流; 基于感测到的第一电流的偏差，确定用于将可变电阻器件从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压; 以及将所确定的第二电压施加到所述可变电阻装置。

公开(公告)号：US08610652B2

公开(公告)日：2013-12-17

申请号：US12458312

申请日：2009-07-08

申请人： Sung-hoon Lee ,  Do-hyun Kim ,  Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim

发明人： Sung-hoon Lee ,  Do-hyun Kim ,  Sang-wook Kim ,  Chang-jung Kim

IPC分类号： G09G3/36

CPC分类号： G02F1/1368 ,  G09G3/3648 ,  G09G2330/027

摘要： Provided are display apparatuses and methods of operating the same. In a display apparatus, a display image may be continuously held for longer than about 10 msec after the power of the display panel is turned off. The display apparatus may indicate a liquid crystal display (LCD) apparatus including an oxide thin film transistor (TFT). Off leakage current of the oxide TFT may be less than about 10−14 A.

摘要翻译： 提供了显示装置及其操作方法。 在显示装置中，在显示面板的电源关闭之后，显示图像可以连续保持超过约10毫秒。 显示装置可以指示包括氧化物薄膜晶体管（TFT）的液晶显示器（LCD）装置。 氧化物TFT的漏电流可以小于约10-14A。

公开(公告)号：US20130026558A1

公开(公告)日：2013-01-31

申请号：US13451688

申请日：2012-04-20

申请人： Sang-hun Jeon ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim

发明人： Sang-hun Jeon ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim

IPC分类号： H01L29/792 ,  H01L21/336

CPC分类号： H01L29/66621 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/685 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

摘要： The semiconductor device includes an insulating substrate, a channel layer over the insulating substrate, a gate at least partially extending from an upper surface of the channel layer into the channel layer, a source and a drain respectively at opposing sides of the gate on the channel layer, a gate insulating layer surrounding, the gate and electrically insulating the gate from the channel layer, the source, and the drain, and a variable resistance material layer between the insulating substrate and the gate.

摘要翻译： 半导体器件包括绝缘衬底，绝缘衬底上的沟道层，至少部分地从沟道层的上表面延伸到沟道层中的栅极，分别在沟道上的栅极的相对侧处的源极和漏极 所述栅极绝缘层包围所述栅极并使所述栅极与所述沟道层，所述源极和所述漏极电绝缘，以及所述绝缘基板和所述栅极之间的可变电阻材料层。

公开(公告)号：US20120319076A1

公开(公告)日：2012-12-20

申请号：US13483578

申请日：2012-05-30

申请人： Chang-bum Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee ,  Kyung-min Kim

发明人： Chang-bum Lee ,  Chang-jung Kim ,  Young-bae Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Dong-soo Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee ,  Kyung-min Kim

IPC分类号： H01L45/00

CPC分类号： G11C11/5685 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L45/08 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/146 ,  H01L45/1658 ,  H01L45/1675

摘要： In one embodiment, the memory element may include a first electrode, a second electrode spaced apart from the first electrode, a memory layer between the first electrode and the second electrode, and an auxiliary layer between the memory layer and the second electrode. The auxiliary layer provides a multi-bit memory characteristic to the memory layer.

摘要翻译： 在一个实施例中，存储元件可以包括第一电极，与第一电极间隔开的第二电极，在第一电极和第二电极之间的存储层，以及在存储层和第二电极之间的辅助层。 辅助层向存储器层提供多位存储器特性。

公开(公告)号：US20120230080A1

公开(公告)日：2012-09-13

申请号：US13307672

申请日：2011-11-30

申请人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

发明人： Man Chang ,  Young-bae Kim ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Seong-jun Park ,  Ji-hyun Hur ,  Dong-soo Lee ,  Chang-bum Lee ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0064 ,  G11C13/0069 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2013/0076

摘要： According to an example embodiment, a method of operating a semiconductor device includes applying a first voltage to the variable resistance device so as to change a resistance value of the variable resistance device from a first resistance value to a second resistance value that is different from the first resistance value, sensing first current flowing through the variable resistance device to which the first voltage is applied, determining a second voltage used to change the resistance value of the variable resistance device from the second resistance value to the first resistance value based on a distribution of the sensed first current, and applying the determined second voltage to the variable resistance device.

摘要翻译： 根据示例性实施例，一种操作半导体器件的方法包括：向可变电阻器件施加第一电压，以便将可变电阻器件的电阻值从第一电阻值改变为不同于第一电阻值的第二电阻值 第一电阻值，感测流过施加有第一电压的可变电阻装置的第一电流，基于分布确定用于将可变电阻装置的电阻值从第二电阻值改变为第一电阻值的第二电压 并且将确定的第二电压施加到可变电阻装置。

公开(公告)号：US20120181440A1

公开(公告)日：2012-07-19

申请号：US13246221

申请日：2011-09-27

申请人： Sun-il Kim ,  Jae-chul Park ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim

发明人： Sun-il Kim ,  Jae-chul Park ,  Chang-jung Kim ,  Sang-wook Kim

IPC分类号： G01T1/24 ,  B05D5/12 ,  G01T1/16 ,  H01L31/0264

CPC分类号： H01L51/441 ,  Y02E10/549 ,  Y02P70/521

摘要： A paste for a photoelectric conversion layer used in an X-ray detector includes photoconductive particles, an organic polymer binder, a first organic solvent to dissolve the organic polymer binder, and a second organic solvent. The second organic solvent has a boiling point in a range of between about 150° C. and about 210° C., inclusive.

摘要翻译： 用于X射线检测器的光电转换层用糊剂包括光电导性颗粒，有机聚合物粘合剂，溶解有机聚合物粘合剂的第一有机溶剂和第二有机溶剂。 第二有机溶剂的沸点在约150℃至约210℃的范围内。

公开(公告)号：US20110310652A1

公开(公告)日：2011-12-22

申请号：US12926404

申请日：2010-11-16

申请人： Young-bae Kim ,  Chang-bum Lee ,  Dong-soo Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee

发明人： Young-bae Kim ,  Chang-bum Lee ,  Dong-soo Lee ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Man Chang ,  Seung-ryul Lee

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01C7/10

CPC分类号： G11C13/0007 ,  G11C13/0069 ,  G11C13/0097 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/15 ,  G11C2213/31 ,  G11C2213/32

摘要： Methods of operating semiconductor devices that include variable resistance devices, the methods including writing first data to a semiconductor device by applying a reset pulse voltage to the variable resistance device so that the variable resistance device is switched from a first resistance state to a second resistance state, and writing second data to the semiconductor device by applying a set pulse voltage to the variable resistance device so that the variable resistance device is switched from the second resistance state to the first resistance state to the second resistance state. The reset pulse voltage is higher than the set pulse voltage, and a resistance in the second resistance state is greater than in the first resistance state

摘要翻译： 操作包括可变电阻器件的半导体器件的方法，所述方法包括通过向可变电阻器件施加复位脉冲电压将第一数据写入半导体器件，使得可变电阻器件从第一电阻状态切换到第二电阻状态 并且通过向可变电阻器件施加设置的脉冲电压将第二数据写入半导体器件，使得可变电阻器件从第二电阻状态切换到第一电阻状态到第二电阻状态。 复位脉冲电压高于设定脉冲电压，第二电阻状态下的电阻大于第一电阻状态

公开(公告)号：US20110188290A1

公开(公告)日：2011-08-04

申请号：US12929519

申请日：2011-01-31

申请人： Young-bae Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim

发明人： Young-bae Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Chang-jung Kim

IPC分类号： G11C11/00 ,  H01L29/12 ,  G06K19/077

CPC分类号： H01L29/685 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/004 ,  G11C13/0069 ,  G11C2213/53

摘要： Semiconductor devices including variable resistance materials and methods of operating the semiconductor devices. The semiconductor devices use variable resistance materials with resistances that vary according to applied voltages as channel layers.

摘要翻译： 包括可变电阻材料的半导体器件和操作半导体器件的方法。 半导体器件使用具有根据施加的电压而变化的电阻的可变电阻材料作为沟道层。

公开(公告)号：US20110128772A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12801533

申请日：2010-06-14

申请人： Ho-Jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

发明人： Ho-Jung Kim ,  In-kyeong Yoo ,  Jai-kwang Shin ,  Chang-jung Kim ,  Myoung-jae Lee ,  Ki-ha Hong

IPC分类号： G11C11/00 ,  G11C8/08

CPC分类号： G11C8/08 ,  G11C5/063 ,  G11C11/21 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0023 ,  G11C13/003 ,  G11C13/0069 ,  G11C15/04 ,  G11C2013/0073 ,  G11C2213/33 ,  G11C2213/71 ,  G11C2213/76 ,  H01L27/2409 ,  H01L27/2481 ,  H01L27/249 ,  H01L45/04 ,  H01L45/147 ,  H01L45/148

摘要： A nonvolatile memory cell may include a bidirectional switch having a first threshold voltage when a forward current is applied to the bidirectional switch and a second threshold voltage when a reverse current is applied to the bidirectional switch; and a variable resistor connected to the bidirectional switch in series. A state of resistance of the variable resistor may be controlled according to voltage applied to the variable resistor. A sum of a magnitude of the first threshold voltage and a magnitude of the second threshold voltage may be greater than a write voltage that is used to perform a write operation on the variable resistor.

摘要翻译： 当向双向开关施加正向电流时，非易失性存储单元可以包括具有第一阈值电压的双向开关，当向双向开关施加反向电流时，非易失性存储单元可包括第二阈值电压; 以及串联连接到双向开关的可变电阻器。 可变电阻器的电阻状态可以根据施加到可变电阻器的电压来控制。 第一阈值电压的大小和第二阈值电压的大小的和可以大于用于对可变电阻器执行写入操作的写入电压。