公开(公告)号：US20050227496A1

公开(公告)日：2005-10-13

申请号：US11100759

申请日：2005-04-07

申请人： Joon-sang Park ,  Chang-ki Hong ,  Sang-yong Kim

发明人： Joon-sang Park ,  Chang-ki Hong ,  Sang-yong Kim

IPC分类号： H01L27/115 ,  G11B7/24 ,  H01L21/302 ,  H01L21/311 ,  H01L21/461 ,  H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC分类号： H01L45/06 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/126 ,  H01L45/143 ,  H01L45/144 ,  H01L45/148 ,  H01L45/1683

摘要： Methods of fabricating phase change memory elements include forming an insulating layer on a semiconductor substrate, forming a through hole penetrating the insulating layer, forming a lower electrode in the through hole and forming a recess having a sidewall comprising a portion of the insulating layer by selectively etching a surface of the lower electrode relative to the insulating layer. A phase change memory layer is formed on the lower electrode. The phase change memory layer has a portion confined by the recess and surrounded by the insulating layer. An upper electrode is formed on the phase change memory layer. Phase change memory elements are also provided.

摘要翻译： 制造相变存储元件的方法包括在半导体衬底上形成绝缘层，形成穿透绝缘层的通孔，在通孔中形成下电极，并通过选择性地形成具有侧壁的凹部，该侧壁包括绝缘层的一部分 相对于绝缘层蚀刻下电极的表面。 在下电极上形成相变存储层。 相变存储层具有被凹部限制并被绝缘层包围的部分。 上电极形成在相变存储层上。 还提供相变存储元件。

公开(公告)号：US20050213384A1

公开(公告)日：2005-09-29

申请号：US11135775

申请日：2005-05-23

申请人： Ji-Young Kim ,  Sang-Yong Kim

发明人： Ji-Young Kim ,  Sang-Yong Kim

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/8234 ,  H01L23/31 ,  G11C11/34

CPC分类号： H01L29/6656 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823468 ,  H01L23/3171 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： A semiconductor device protecting the ends of a gate line and a method of forming the same are disclosed. The semiconductor device includes a semiconductor substrate, a gate line crossing over the semiconductor substrate, and a protecting pattern covering ends of the gate line. According to the method, a gate line is formed at a semiconductor substrate. A spacer is formed to cover sidewalls of the gate line. A protecting pattern is formed to cover the ends of the gate line. The protecting pattern may be formed of silicon nitride or silicon oxide. Since the protecting pattern protects ends of a gate line, it is possible to prevent gate electrodes from being damaged by a cleaning solution such as SC1 in a subsequent process.

摘要翻译： 公开了保护栅极线的端部的半导体器件及其形成方法。 半导体器件包括半导体衬底，跨越半导体衬底的栅极线和覆盖栅极线的端部的保护图案。 根据该方法，在半导体衬底上形成栅极线。 形成间隔件以覆盖栅极线的侧壁。 形成保护图案以覆盖栅极线的端部。 保护图案可以由氮化硅或氧化硅形成。 由于保护图案保护栅极线的端部，因此可以防止在随后的工艺中栅电极被诸如SC1的清洁溶液损坏。

公开(公告)号：US06528290B1

公开(公告)日：2003-03-04

申请号：US09978559

申请日：2001-10-18

申请人： Kyung Hwa Song ,  Hong Baek ,  Song Mi Park ,  Hyung Hwan Hyun ,  Soo Ryun Jung ,  Sang Yong Kim ,  Jung Kul Lee ,  Ji Yoon Song

发明人： Kyung Hwa Song ,  Hong Baek ,  Song Mi Park ,  Hyung Hwan Hyun ,  Soo Ryun Jung ,  Sang Yong Kim ,  Jung Kul Lee ,  Ji Yoon Song

IPC分类号： C12P718

CPC分类号： C12R1/72 ,  C12P7/18 ,  Y10S435/921

摘要： The present Invention is to provide a novel strain, Candida magnoliae (KCCM-10252) producing mannitol isolated from the fermentation sludge collected from a xylitol manufacturing company, and further a method for manufacturing mannitol with high yield and high productivity by optimizing various culture conditions and medium composition using the new strain, Candida magnoliae.

摘要翻译： 本发明提供一种从木糖醇制造公司收集的发酵污泥中分离得到的甘露醇生产甘露醇的新型菌株（KCCM-10252），另外，通过优化各种培养条件，进一步提高高产率和高生产率的甘露糖醇的方法， 中等成分使用新菌株，Candida magnoliae。

公开(公告)号：US06200841B1

公开(公告)日：2001-03-13

申请号：US09223236

申请日：1998-12-30

申请人： Sang Yong Kim

发明人： Sang Yong Kim

IPC分类号： H01L2176

CPC分类号： H01L29/66553 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/66575 ,  H01L29/78

摘要： A MOS transistor that includes: a semiconductor substrate; a well region formed in the semiconductor substrate, where a trench region is defined in the well region; an isolator formed on a corner of the trench region, where the trench region is filled with polysilicon; a gate conductor formed over the trench region; and source/drain regions formed within the well region laterally aligned to the gate conductor. A suitable method to form the MOS transistor includes the acts of: forming a well region in a semiconductor substrate; forming a trench region in the well region; forming an isolator in a corner of the trench region; filling the trench region with polysilicon; forming a gate conductor formed over the trench region; and forming source/drain regions within the well region on opposite sides of the gate conductor.

摘要翻译： 一种MOS晶体管，包括：半导体衬底; 形成在所述半导体衬底中的阱区，其中在所述阱区中限定沟槽区; 隔离器，形成在沟槽区域的拐角处，其中沟槽区域被多晶硅填充; 形成在所述沟槽区域上的栅极导体; 以及形成在阱区内的与栅极导体横向对准的源/漏区。 形成MOS晶体管的合适方法包括以下动作：在半导体衬底中形成阱区; 在所述阱区域中形成沟槽区域; 在沟槽区域的角部形成绝缘体; 用多晶硅填充沟槽区域; 形成在沟槽区域上形成的栅极导体; 以及在栅极导体的相对侧上的阱区域内形成源极/漏极区域。

公开(公告)号：US5880387A

公开(公告)日：1999-03-09

申请号：US775293

申请日：1996-12-31

申请人： Sang Yong Kim ,  Hag Keun Kim

发明人： Sang Yong Kim ,  Hag Keun Kim

IPC分类号： G10H1/26 ,  G10H1/02 ,  G10H1/18 ,  G10H7/00 ,  G10H1/46

CPC分类号： G10H7/004 ,  G10H1/186

摘要： A digital sound generating apparatus and sound generating method therefor is disclosed including a CPU interface for exchanging information with a CPU controlling the generation of a sound, a slot memory for storing various control parameters of the sound to be generated, a slot assigner for providing slot information for generating a new sound to the CPU when the new sound is generated, a data processor for executing an operation to reproduce an original sound using the various parameters of the slot memory, and a volume controller for receiving the information of the slot memory and the slot assigner to control the volume of the original sound.

摘要翻译： 公开了一种数字声音发生装置及其声音产生方法，其包括用于与控制声音生成的CPU交换信息的CPU接口，用于存储要生成的声音的各种控制参数的时隙存储器，用于提供时隙的时隙分配器 用于在产生新声音时向CPU产生新声音的信息，用于执行使用时隙存储器的各种参数再现原始声音的操作的数据处理器，以及用于接收时隙存储器的信息的音量控制器，以及 插槽分配器来控制原始声音的音量。

公开(公告)号：US09484526B2

公开(公告)日：2016-11-01

申请号：US14656659

申请日：2015-03-12

申请人： Dae-Eun Jeong ,  Sang-Yong Kim ,  Yoon-Jong Song

发明人： Dae-Eun Jeong ,  Sang-Yong Kim ,  Yoon-Jong Song

IPC分类号： H01L43/08 ,  H01L43/02 ,  G11C11/16 ,  G11C13/00

CPC分类号： H01L43/08 ,  G11C11/161 ,  G11C11/1675 ,  G11C2013/0083 ,  H01L43/02 ,  H01L43/12

摘要： Provided are a magnetic memory device and a method of forming the same. The magnetic memory device includes a magnetic tunnel junction pattern located on a substrate and including magnetic patterns and a tunnel barrier pattern located between the magnetic patterns, and a first crystallinity conserving pattern located on the magnetic tunnel junction pattern and having a higher crystallization temperature than the magnetic patterns. The first crystallinity conserving pattern is amorphous.

摘要翻译： 提供一种磁存储器件及其形成方法。 磁存储器件包括位于衬底上的磁性隧道结图案，其包括磁性图案和位于磁性图案之间的隧道势垒图案，以及位于磁性隧道结图案上的第一结晶保存图案，并且具有比 磁性图案。 第一个结晶保存图案是无定形的。

公开(公告)号：US09206147B2

公开(公告)日：2015-12-08

申请号：US14348566

申请日：2012-07-09

申请人： Jin Ku Cho ,  Sang Yong Kim ,  Jae Hoon Cho ,  Bo Ra Kim ,  Paul Joo

发明人： Jin Ku Cho ,  Sang Yong Kim ,  Jae Hoon Cho ,  Bo Ra Kim ,  Paul Joo

IPC分类号： C07D407/00 ,  C07D307/50 ,  C07D307/48 ,  C07D307/46

CPC分类号： C07D307/50 ,  C07D307/46 ,  C07D307/48

摘要： The present invention relates to a method for producing a furan-based compound using an ion exchange resin in the presence of an organic solvent. In the method for producing a furan-based compound according to the present invention, a furan-based compound is made from an aldose-type hexose compound in the presence of an organic solvent by using an anion exchange resin and a cation exchange resin. Thus, the aldose-type hexose compound obtained from biomass by simultaneously or consecutively using the anion/cation exchange resins as catalysts can be made into 5-hydroxymethyl-2-furfural (HMF) or alkyl ether derivatives thereof such as 5-alkoxymethyl-2-furfural (AMF) without using an expensive reagent. Also, since the selection of an organic solvent is not limitative and a heterogeneous catalyst can be used, separation and purification is easy and chemically stable AMF can be directly obtained. Further, the conversion efficiency of the aldose-type hexose compound is excellent, and the hexose compound can be used at a high concentration.

摘要翻译： 本发明涉及在有机溶剂存在下使用离子交换树脂生产呋喃类化合物的方法。 在本发明的呋喃类化合物的制造方法中，通过使用阴离子交换树脂和阳离子交换树脂，在有机溶剂的存在下，通过醛糖型己糖化合物制造呋喃系化合物。 因此，通过同时或连续使用阴离子/阳离子交换树脂作为催化剂从生物质获得的醛糖型己糖化合物可以制成5-羟甲基-2-糠醛（HMF）或其烷基醚衍生物，例如5-烷氧基甲基-2 （AMF），而不使用昂贵的试剂。 此外，由于有机溶剂的选择不是限制性的并且可以使用多相催化剂，所以分离和纯化容易，并且可以直接获得化学稳定的AMF。 此外，醛糖型己糖化合物的转化效率优异，可以高浓度使用己糖化合物。

公开(公告)号：US20150207064A1

公开(公告)日：2015-07-23

申请号：US14505995

申请日：2014-10-03

申请人： Joon-Myoung LEE ,  Hong-Lae PARK ,  Sang-Yong KIM ,  Woo-Chang LIM

发明人： Joon-Myoung LEE ,  Hong-Lae PARK ,  Sang-Yong KIM ,  Woo-Chang LIM

IPC分类号： H01L43/12 ,  H01L43/10

CPC分类号： H01L43/12 ,  G11C11/161 ,  H01L27/228 ,  H01L43/10

摘要： A MRAM device may include a fixed layer pattern on a substrate, a first tunnel barrier layer pattern on the fixed layer pattern, a free layer pattern on the first tunnel barrier layer pattern, a second tunnel barrier layer pattern on the free layer pattern, the second tunnel barrier layer pattern including a metal oxide, and a capping layer pattern on the second tunnel barrier layer pattern. The capping layer pattern including a metal may have an oxide layer formation energy lower than the oxide layer formation energy of tantalum.

摘要翻译： MRAM器件可以包括衬底上的固定层图案，固定层图案上的第一隧道势垒层图案，第一隧道势垒层图案上的自由层图案，自由层图案上的第二隧道势垒层图案， 包括金属氧化物的第二隧道势垒层图案和在第二隧道势垒层图案上的覆盖层图案。 包含金属的覆盖层图案可以具有比钽的氧化物层形成能低的氧化层形成能。

公开(公告)号：US20140073716A1

公开(公告)日：2014-03-13

申请号：US14110457

申请日：2011-12-29

申请人： Jin Ku Cho ,  Baek Jin Kim ,  Sang Yong Kim ,  Seung Han Shin ,  Jae Won Jeong ,  Bo Ra Kim

发明人： Jin Ku Cho ,  Baek Jin Kim ,  Sang Yong Kim ,  Seung Han Shin ,  Jae Won Jeong ,  Bo Ra Kim

IPC分类号： C07D493/04 ,  C08F136/20

CPC分类号： C07D493/04 ,  C08F136/20

摘要： Provided herein is a photocurable dianhydrohexanehexol derivative, a method preparing the same, and a composition including the same, for example, to a photocurable compound derived from environmentally friendly biomass, the compound having a structure where a 2-hydroxypropyl methacrylate (HPM) functional group prepared by reacting a biomass derived dianhydrohexanehexol (1,4:3,6-dianhydro-d-hexane-1,2,3,4,5,6-hexol, DHH) compound under an optimal reaction condition is combined, a preparing method thereof, and a photocurable composition comprising the photocurable compound.

摘要翻译： 本发明提供可光固化的二氢己烷己醇衍生物，其制备方法和包含该方法的组合物，例如衍生自环境友好的生物质的光固化性化合物，具有以下结构的化合物：甲基丙烯酸2-羟丙酯（HPM）官能团 将在最佳反应条件下使生物质衍生的二羟己烷己醇（1,4：3,6-二脱氢-d-己烷-1,2,3,4,5,6-己醇，DHH）​​化合物反应制备，制备方法 以及包含该光固化性化合物的光固化性组合物。

公开(公告)号：US20140066641A1

公开(公告)日：2014-03-06

申请号：US13985019

申请日：2012-02-16

申请人： Jin-Ku Cho ,  Sang-Yong Kim ,  Do-Hoon Lee ,  Bo Ra Kim ,  Jae-Won Jung

发明人： Jin-Ku Cho ,  Sang-Yong Kim ,  Do-Hoon Lee ,  Bo Ra Kim ,  Jae-Won Jung

IPC分类号： C07D307/46 ,  B01J31/02

CPC分类号： C07D307/46 ,  B01J31/0231

摘要： The present disclosure relates to an acid catalyst composition for producing 5-chloromethyl-2-furfural from galactan derived from seaweed and a method for producing 5-chloromethyl-2-furfural from galactan derived from seaweed on a two component phase using the acid catalyst, the acid catalyst composition for producing 5-chloromethyl-2-furfural from galactan derived from seaweed including organic solvent and dilute hydrochloric acid, a concentration of the dilute hydrochloric acid being 4N to 8N (normal).According to the present disclosure, there is an advantage of converting 5-chloromethyl-2-furfural from galactan derived from seaweed by means of a single process by mixing dilute hydrochloric acid and organic solvent by an optimal ratio, unlike conventional methods for producing 5-chloromethyl-2-furfural that had to go through a multi-phase process of preconditioning and saccharification.

摘要翻译： 本公开内容涉及用于从海藻衍生的半乳聚糖制备5-氯甲基-2-糠醛的酸催化剂组合物，以及使用酸催化剂在双组分相上从海藻衍生的半乳聚糖制备5-氯甲基-2-糠醛的方法， 由衍生自海藻的半乳聚糖（包括有机溶剂和稀盐酸）生产5-氯甲基-2-糠醛的酸催化剂组合物，稀盐酸的浓度为4N至8N（正常）。 根据本公开内容，与常规的制备5-氯甲基-2-糠醛的方法相比，通过以单一方法通过混合稀盐酸和有机溶剂以最佳比例将来自海藻的半乳聚糖转化为5-氯甲基-2-糠醛的优点， 氯甲基-2-糠醛，必须经过预处理和糖化的多相过程。