公开(公告)号：US07461794B2

公开(公告)日：2008-12-09

申请号：US11206650

申请日：2005-08-18

申请人： Hien-Minh Huu Le ,  Michael T. Starr

发明人： Hien-Minh Huu Le ,  Michael T. Starr

IPC分类号： G05D23/12 ,  F25D23/12 ,  C23C16/00

CPC分类号： G05D23/121

摘要： A method and apparatus for regulating the temperature of substrates positioned within a chamber are provided. In one embodiment, a substrate support pin is provided that includes a body having a substrate support region defined at a first end and a mounting region defined at a second end of the body. A mounting feature is formed at the mounting region and is adapted to couple the body to a vacuum chamber body. A passage extends from the mounting region to the support region. An outlet formed through the body and orientated at an angle greater than zero relative to a centerline of the body is p provided to deliver fluids flowing through the passage out the first end of the body. In another embodiment, a chamber includes a pin configured to provide a temperature controlled fluid to an underside of a substrate supported on the pin.

摘要翻译： 提供了一种用于调节位于腔室内的衬底的温度的方法和装置。 在一个实施例中，提供了一种衬底支撑销，其包括具有限定在第一端处的衬底支撑区域和限定在身体的第二端处的安装区域的主体。 安装特征形成在安装区域处，并且适于将主体连接到真空室主体。 通道从安装区域延伸到支撑区域。 提供通过本体形成的并且相对于主体的中心线以大于零的角度定向的出口，以将流过通道的流体输送出身体的第一端。 在另一个实施例中，腔室包括构造成将温度控制的流体提供给支撑在销上的衬底的下侧的销。

公开(公告)号：US20110177648A1

公开(公告)日：2011-07-21

申请号：US12980132

申请日：2010-12-28

申请人： David Tanner ,  Hien-Minh Huu Le ,  Quancheng (Tommy) Gu ,  Shuran Sheng ,  Yong Kee Chae ,  Tzay-Fa (Jeff) Su ,  Dapeng Wang

发明人： David Tanner ,  Hien-Minh Huu Le ,  Quancheng (Tommy) Gu ,  Shuran Sheng ,  Yong Kee Chae ,  Tzay-Fa (Jeff) Su ,  Dapeng Wang

IPC分类号： H01L31/0352

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/67736 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method and apparatus for forming solar cells is provided. In one embodiment, a photovoltaic device includes a antireflection coating layer disposed on a first surface of a substrate, a barrier layer disposed on a second surface of the substrate, a first transparent conductive oxide layer disposed on the barrier layer, a conductive contact layer disposed on the first transparent conductive oxide layer, a first p-i-n junction formed on the conductive contact layer, and a second transparent conductive oxide layer formed on the first p-i-n junction.

摘要翻译： 提供一种用于形成太阳能电池的方法和装置。 在一个实施例中，光伏器件包括设置在衬底的第一表面上的抗反射涂层，设置在衬底的第二表面上的阻挡层，设置在阻挡层上的第一透明导电氧化物层，设置在导电接触层 在第一透明导电氧化物层上形成在导电接触层上的第一pin结，以及形成在第一pin结上的第二透明导电氧化物层。

公开(公告)号：US20100132783A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12326583

申请日：2008-12-02

申请人： Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner

发明人： Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner

IPC分类号： H01L31/0288 ,  C23C14/34

CPC分类号： H01L31/1884 ,  C23C14/0036 ,  C23C14/086 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/022483 ,  Y02E10/50

摘要： Methods for sputter depositing a transparent conductive layer are provided in the present invention. The transparent conductive layer may be utilized as a contact layer on a substrate or a back reflector in a photovoltaic device. In one embodiment, the method includes supplying a gas mixture into a processing chamber, sputtering source material from a target disposed in the processing chamber, wherein the target has dopants doped into a base material, wherein the dopants are selected from a group consisting of boron containing materials, titanium containing materials, tantalum containing materials, tungsten containing materials, alloys thereof, or combinations thereof, and reacting the sputtered material with the gas mixture to deposit a transparent conductive layer on a substrate disposed in the processing chamber.

摘要翻译： 在本发明中提供溅射沉积透明导电层的方法。 透明导电层可以用作光伏器件中的衬底或背反射器上的接触层。 在一个实施方案中，所述方法包括将气体混合物供应到处理室中，从设置在处理室中的靶溅射源材料，其中所述靶具有掺杂到基材中的掺杂剂，其中所述掺杂剂选自硼 含钛材料，含钛材料，含钽材料，含钨材料，其合金或其组合，并使溅射材料与气体混合物反应，以在设置在处理室中的基板上沉积透明导电层。

公开(公告)号：US20100047954A1

公开(公告)日：2010-02-25

申请号：US12548273

申请日：2009-08-26

申请人： Tzay-Fa (Jeff) Su ,  Hien-Minh Huu Le ,  Fang Mei ,  Yong-kee Chae ,  Michel R. Frei ,  Asaf Schlezinger ,  Shuran Sheng ,  Jeffrey S. Sullivan ,  David Tanner

发明人： Tzay-Fa (Jeff) Su ,  Hien-Minh Huu Le ,  Fang Mei ,  Yong-kee Chae ,  Michel R. Frei ,  Asaf Schlezinger ,  Shuran Sheng ,  Jeffrey S. Sullivan ,  David Tanner

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： B26F3/002 ,  B23K26/364 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B26F3/004 ,  B65G49/064 ,  B65G49/068 ,  B65G2249/02 ,  C03B33/0222 ,  H01L21/67115 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/67276 ,  H01L21/67706 ,  H01L21/67712 ,  H01L21/67727 ,  H01L21/67748 ,  H01L21/6776 ,  H01L21/681 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1876 ,  Y02E10/548 ,  Y02P40/57 ,  Y02P70/521

摘要： The present invention generally relates to a system that can be used to form a photovoltaic device, or solar cell, using processing modules that are adapted to perform one or more steps in the solar cell formation process. The automated solar cell fab is generally an arrangement of automated processing modules and automation equipment that is used to form solar cell devices. The automated solar fab will thus generally comprise a substrate receiving module that is adapted to receive a substrate, one or more absorbing layer deposition cluster tools having at least one processing chamber that is adapted to deposit a silicon-containing layer on a surface of the substrate, one or more back contact deposition chambers, one or more material removal chambers, a solar cell encapsulation device, an autoclave module, an automated junction box attaching module, and one or more quality assurance modules that are adapted to test and qualify the completely formed solar cell device.

摘要翻译： 本发明一般涉及一种可用于形成光伏器件或太阳能电池的系统，该系统使用适于在太阳能电池形成过程中执行一个或多个步骤的处理模块。 自动化太阳能电池制造厂通常是用于形成太阳能电池器件的自动化处理模块和自动化设备的布置。 因此，自动化太阳能工厂将通常包括适于接收衬底的衬底接收模块，一个或多个吸收层沉积簇工具，其具有至少一个适于在衬底的表面上沉积含硅层的处理室 ，一个或多个背接触沉积室，一个或多个材料去除室，太阳能电池封装装置，高压釜模块，自动接线盒附接模块和一个或多个质量保证模块，其适于测试和限定完全形成 太阳能电池装置。

公开(公告)号：US06750156B2

公开(公告)日：2004-06-15

申请号：US10083725

申请日：2001-10-24

申请人： Hien-Minh Huu Le ,  Hoa Thi Kieu

发明人： Hien-Minh Huu Le ,  Hoa Thi Kieu

IPC分类号： H01L2131

CPC分类号： H01J37/32706 ,  C23C14/083 ,  C23C14/56 ,  H01J37/3408

摘要： In a method of depositing a titanium oxide layer on a substrate, a substrate is placed on a support in a process zone of a sputtering chamber. A target containing titanium faces the substrate. A sputtering gas containing an oxygen-containing gas, such as oxygen, and a non-reactive gas, such as argon, is introduced into the process zone. A pulsed DC voltage is applied to the target to sputter titanium from the target. The sputtered titanium combines with oxygen from the oxygen-containing gas to form a titanium oxide layer on the substrate. A multiple layer titanium oxide deposition process may also be implemented.

摘要翻译： 在将氧化钛层沉积在衬底上的方法中，将衬底放置在溅射室的工艺区域中的支撑体上。 含钛的靶材面向基材。 将含有氧的含氧气体和氩气等非反应性气体的溅射气体引入工艺区域。 向目标物施加脉冲直流电压以从靶溅射钛。 溅射的钛与来自含氧气体的氧气结合，以在衬底上形成氧化钛层。 还可以实现多层氧化钛沉积工艺。

公开(公告)号：US08252624B2

公开(公告)日：2012-08-28

申请号：US12980132

申请日：2010-12-28

申请人： David Tanner ,  Hien-Minh Huu Le ,  Quancheng (Tommy) Gu ,  Shuran Sheng ,  Yong Kee Chae ,  Tzay-Fa (Jeff) Su ,  Dapeng Wang

发明人： David Tanner ,  Hien-Minh Huu Le ,  Quancheng (Tommy) Gu ,  Shuran Sheng ,  Yong Kee Chae ,  Tzay-Fa (Jeff) Su ,  Dapeng Wang

IPC分类号： H01L21/00

CPC分类号： H01L31/022466 ,  H01L21/67236 ,  H01L21/67736 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/076 ,  H01L31/202 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： A method and apparatus for forming solar cells is provided. In one embodiment, a photovoltaic device includes a antireflection coating layer disposed on a first surface of a substrate, a barrier layer disposed on a second surface of the substrate, a first transparent conductive oxide layer disposed on the barrier layer, a conductive contact layer disposed on the first transparent conductive oxide layer, a first p-i-n junction formed on the conductive contact layer, and a second transparent conductive oxide layer formed on the first p-i-n junction.

摘要翻译： 提供一种用于形成太阳能电池的方法和装置。 在一个实施例中，光伏器件包括设置在衬底的第一表面上的抗反射涂层，设置在衬底的第二表面上的阻挡层，设置在阻挡层上的第一透明导电氧化物层，设置在导电接触层 在第一透明导电氧化物层上形成在导电接触层上的第一pin结，以及形成在第一pin结上的第二透明导电氧化物层。

公开(公告)号：US20110126875A1

公开(公告)日：2011-06-02

申请号：US12628569

申请日：2009-12-01

申请人： Hien-Minh Huu Le ,  Valery V. Komin ,  David Tanner ,  Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Tzay-Fa Su ,  Dapeng Wang

发明人： Hien-Minh Huu Le ,  Valery V. Komin ,  David Tanner ,  Mohd Fadzli Anwar Hassan ,  Tzay-Fa Su ,  Dapeng Wang

IPC分类号： H01L31/042 ,  C23C14/34 ,  H01L31/06

CPC分类号： C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3464 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/076 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/548

摘要： Methods for sputter depositing a transparent conductive layer and a conductive contact layer are provided in the present invention. In one embodiment, the method includes forming a transparent conductive layer on a substrate by materials sputtered from a first target disposed in a reactive sputter chamber, and forming a conductive contact layer on the transparent conductive layer by materials sputtered from a second target disposed in the reactive sputter chamber.

摘要翻译： 在本发明中提供溅射沉积透明导电层和导电接触层的方法。 在一个实施例中，该方法包括通过从设置在反应性溅射室中的第一靶溅射的材料在衬底上形成透明导电层，以及在透明导电层上形成导电接触层，该导电接触层由设置在 反应溅射室。

公开(公告)号：US20100133094A1

公开(公告)日：2010-06-03

申请号：US12326571

申请日：2008-12-02

申请人： Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner

发明人： Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner

IPC分类号： C23C14/34

CPC分类号： C23C14/0036 ,  C23C14/08 ,  C23C14/086 ,  C23C14/3492

摘要： Methods for sputter depositing a transparent conductive layer are provided in the present invention. The transparent conductive layer may be utilized as a contact layer on a substrate or a back reflector in a photovoltaic device. In one embodiment, the method includes supplying a gas mixture into the processing chamber, sputtering source material from a target disposed in the processing chamber, wherein the target is fabricated from a zinc containing material having an aluminum containing dopant concentration less than 3 percent by weight, and reacting the sputtered material with the gas mixture.

摘要翻译： 在本发明中提供溅射沉积透明导电层的方法。 透明导电层可以用作光伏器件中的衬底或背反射器上的接触层。 在一个实施例中，该方法包括将气体混合物供应到处理室中，从设置在处理室中的靶溅射源材料，其中靶材由含铝掺杂剂浓度小于3重量％的含锌材料制成 并使溅射的材料与气体混合物反应。

公开(公告)号：US06946408B2

公开(公告)日：2005-09-20

申请号：US10857181

申请日：2004-05-28

申请人： Hien-Minh Huu Le ,  Hoa T. Kieu

发明人： Hien-Minh Huu Le ,  Hoa T. Kieu

IPC分类号： C23C14/08 ,  C23C14/56 ,  H01J37/34 ,  H01L21/31

CPC分类号： C23C14/083 ,  C23C14/56 ,  H01J37/32706 ,  H01J37/3408

摘要： A method of depositing a dielectric film, such as tantalum oxide, on a substrate is described. In one example, a substrate is placed in a process zone to face a metal target and a pulsed DC voltage is applied to the target. A sputtering gas comprising a non-reactive component and an oxygen-containing component is introduced to the process zone in a volumetric flow ratio selected to achieve the desired x and y values in the deposited dielectric film, for example, in the deposition of a non-stoichiometric TaxOy film or in the deposition of a tantalum oxide film in which the oxidation state of tantalum is less than +5. The sputtering gas is removed from the process zone by condensing at least some of the non-reactive component on a cooled surface external to the process zone, and exhausting at least some of the oxygen-containing component from the process zone with moving rotors. A multiple layer dielectric film having different stoichiometric ratios in the layers can also be deposited by the instant method.

摘要翻译： 描述了在衬底上沉积诸如氧化钽的电介质膜的方法。 在一个示例中，将衬底放置在处理区中以面对金属靶，并且将脉冲DC电压施加到靶。 将包含非反应性组分和含氧组分的溅射气体以选定的体积流量比被引入处理区，以在沉积的介电膜中实现期望的x和y值，例如在非沉积 化学计量的Ta x O y O y膜或在其中钽的氧化态小于+ 5的钽氧化物膜的沉积中。 通过在工艺区域外部的冷却表面上冷凝至少一些非反应性组分，并用移动的转子从工艺区域排出至少一些含氧组分，从工艺区域中除去溅射气体。 也可以通过本方法沉积在层中具有不同化学计量比的多层电介质膜。

公开(公告)号：US08318589B2

公开(公告)日：2012-11-27

申请号：US12748780

申请日：2010-03-29

申请人： Valery V. Komin ,  Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner ,  James S. Papanu ,  Philip A. Greene ,  Suresh M. Shrauti ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke

发明人： Valery V. Komin ,  Hien-Minh Huu Le ,  David Tanner ,  James S. Papanu ,  Philip A. Greene ,  Suresh M. Shrauti ,  Roman Gouk ,  Steven Verhaverbeke

IPC分类号： H01L21/20

CPC分类号： C23C14/086 ,  C23C14/5806 ,  C23C14/5873 ,  H01L31/022466 ,  H01L31/0236 ,  H01L31/02366 ,  H01L31/03682 ,  H01L31/03685 ,  H01L31/03762 ,  H01L31/03921 ,  H01L31/056 ,  H01L31/075 ,  H01L31/077 ,  H01L31/1864 ,  H01L31/1884 ,  Y02E10/52 ,  Y02E10/545 ,  Y02E10/546 ,  Y02E10/548 ,  Y02P70/521

摘要： Embodiments disclosed herein generally relate to a process of depositing a transparent conductive oxide layer over a substrate. The transparent oxide layer is sometimes deposited onto a substrate for later use in a solar cell device. The transparent conductive oxide layer may be deposited by a “cold” sputtering process. In other words, during the sputtering process, a plasma is ignited in the processing chamber which naturally heats the substrate. No additional heat is provided to the substrate during deposition such as from the susceptor. After the transparent conductive oxide layer is deposited, the substrate may be annealed and etched, in either order, to texture the transparent conductive oxide layer. In order to tailor the shape of the texturing, different wet etch chemistries may be utilized. The different etch chemistries may be used to shape the surface of the transparent conductive oxide and the etch rate.

摘要翻译： 本文公开的实施例通常涉及在衬底上沉积透明导电氧化物层的工艺。 透明氧化物层有时沉积在衬底上，以供以后用于太阳能电池器件中。 可以通过冷溅射工艺沉积透明导电氧化物层。 换句话说，在溅射过程中，在处理室中点燃等离子体，其自然地加热基板。 在诸如从感受器的沉积期间不会向衬底提供额外的热量。 在沉积透明导电氧化物层之后，可以以任何顺序对衬底进行退火和蚀刻，以对透明导电氧化物层进行纹理化。 为了调整纹理的形状，可以使用不同的湿蚀刻化学物质。 可以使用不同的蚀刻化学物质来形成透明导电氧化物的表面和蚀刻速率。